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公开(公告)号：CN112634224A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011503029.3
申请日：2020-12-17
Applicant: 北京大学 , 北京肿瘤医院(北京大学肿瘤医院)
Abstract: 本发明提供一种基于目标影像的病灶检测方法和装置，该方法包括：提取待检测的目标影像；对于当前循环，获取当前查询切片中病灶的预测位置；将当前查询切片和当前查询切片中病灶的预测位置输入至病灶检测模型的修正模块，获取当前查询切片中病灶的修正位置；利用当前查询切片中病灶的修正位置更新所述当前参考切片，重复上述步骤，直到目标影像中病灶的区域面积小于预设阈值。本发明通过将目标影像中的病灶检测分为两个阶段，提取阶段和修正阶段，在提取阶段中进行病灶位置的粗预测，在修正阶段中进行病灶位置的精预测，以此来提高病灶位置的预测精度。
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公开(公告)号：CN104089572A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410364545.0
申请日：2014-07-28
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
IPC: G01B7/34
Abstract: 本发明公开了一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法，仅在功能区域进行刻蚀工艺前添加上述工艺流程，避免增加功能器件设计的复杂；利用检测区域电容变化反应功能区域侧壁粗糙，减小了小尺寸带来的误差，同时避免裂断面等对器件结构有损害的操作，实现对刻蚀结构的无损检测；检测区域数目由功能区域刻蚀窗口大小种类决定，实现了更加精准地检测不同条件下的刻蚀侧壁粗糙目的，同时实现对不同刻蚀条件下侧壁粗糙的一步检测。本发明设计的工艺流程简单，各工序均为成熟技术，工艺难度较低，实现简便，易于操作。
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公开(公告)号：CN119761464A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510261710.8
申请日：2025-03-06
Applicant: 北京大学 , 北京肿瘤医院(北京大学肿瘤医院)
IPC: G06N3/0985 , G06N3/084 , G06N3/0455 , G06F16/3329 , G06F16/353 , G06F40/295 , G16H50/30 , G16H50/70
Abstract: 本发明公开了一种大语言模型微调系统，涉及大语言模型技术领域，包括模型加载模块，所述模型加载模块用于加载预调整的大语言模型；微调模块，所述微调模块包括微调单元和解释单元，所述微调单元用于接收所述预处理模块传输的处理后的数据，训练得到所述模型加载模块大语言模型的调整参数，并根据调整参数来对所述模型加载模块大语言模型进行调整；微调单元接收经过预处理的数据，对模型进行微调，而解释单元则输出模型的决策过程，使得医疗专业人员能够理解模型的内部逻辑，它不仅提高了模型的适应性和准确性，校正模块接收解释单元的决策过程，并据此生成评估指标，输出校正后的大语言模型，提高了医疗决策的公平性和伦理性。
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公开(公告)号：CN104048592B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410174912.0
申请日：2014-04-28
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
Abstract: 本发明公开了一种利用电流变化检测刻蚀槽深的方法，通过设计特殊检测区域来实现即时反映刻蚀槽深的目的，采用MEMS加工工艺制备检测区域，利用电流计实现信号读取。该方法中通过采用SOI硅片以及MEMS加工工艺实现了功能区域和检测区域良好的电学隔离，避免检测电流对功能器件区造成损害。同时，通过图形转移在检测区域实现功能区域刻蚀窗口的复制，保证检测区域的刻蚀条件和功能区域趋于一致。最后对检测区域深槽结构进行严格地电学建模计算，获得刻蚀深度和电流信号之间的关系，并以此通过电流计的检测实现对刻蚀槽深的即时监控。
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公开(公告)号：CN104048592A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410174912.0
申请日：2014-04-28
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
Abstract: 本发明公开了一种利用电流变化检测刻蚀槽深的方法，通过设计特殊检测区域来实现即时反映刻蚀槽深的目的，采用MEMS加工工艺制备检测区域，利用电流计实现信号读取。该方法中通过采用SOI硅片以及MEMS加工工艺实现了功能区域和检测区域良好的电学隔离，避免检测电流对功能器件区造成损害。同时，通过图形转移在检测区域实现功能区域刻蚀窗口的复制，保证检测区域的刻蚀条件和功能区域趋于一致。最后对检测区域深槽结构进行严格地电学建模计算，获得刻蚀深度和电流信号之间的关系，并以此通过电流计的检测实现对刻蚀槽深的即时监控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104089572B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410364545.0
申请日：2014-07-28
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
IPC: G01B7/34
Abstract: 本发明公开了一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法，仅在功能区域进行刻蚀工艺前添加上述工艺流程，避免增加功能器件设计的复杂；利用检测区域电容变化反应功能区域侧壁粗糙，减小了小尺寸带来的误差，同时避免裂断面等对器件结构有损害的操作，实现对刻蚀结构的无损检测；检测区域数目由功能区域刻蚀窗口大小种类决定，实现了更加精准地检测不同条件下的刻蚀侧壁粗糙目的，同时实现对不同刻蚀条件下侧壁粗糙的一步检测。本发明设计的工艺流程简单，各工序均为成熟技术，工艺难度较低，实现简便，易于操作。
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公开(公告)号：CN103337380A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310125279.1
申请日：2013-04-11
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
IPC: H01G11/84
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及一种新型硅基超级电容及其制备方法，该方法包括：选择单晶硅片作为芯片基片；在基片上采用MEMS工艺光刻并定义电容制作区域；在电容制作区域刻蚀出黑硅；利用ALD单原子层淀积技术在黑硅上生长电容介质层以及电极层；淀积并图形化金属引出电极。本发明利用ALD单原子淀积技术在黑硅表面生长介质层和电极层，在实现大容量电荷储存的同时克服了传统超级电容难于微小和集成的缺点，同时将充放电速度提升至平板电容量级。
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公开(公告)号：CN116721772B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311002302.8
申请日：2023-08-10
Applicant: 北京市肿瘤防治研究所 , 北京大学
Abstract: 本发明提供一种肿瘤治疗预后预测方法、装置、电子设备及存储介质，属于医学检测技术领域，所述方法包括：获取待测患者的肿瘤抗HER2治疗信息，肿瘤抗HER2治疗信息包括肿瘤组织的切片图像、临床报告信息和患者信息；将待测患者的肿瘤抗HER2治疗信息输入至双模态预后模型，得到双模态预后模型输出的待测患者的肿瘤抗HER2治疗预后预测结果；双模态预后模型用于对肿瘤抗HER2治疗信息中的肿瘤组织的切片图像、临床报告信息和患者信息进行多模态特征融合，并基于融合得到的特征确定待测患者的肿瘤抗HER2治疗预后预测结果。本发明可以有效提高肿瘤抗HER2治疗预后预测精度，有助于患者的肿瘤抗HER2治疗预后的有效评估。
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公开(公告)号：CN106115616B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610479967.1
申请日：2016-06-27
Applicant: 北京大学
IPC: B81C99/00
Abstract: 本发明提供一种MEMS加工工艺的温度监控装置，包括：两个热驱执行器，每个热驱执行器均包括两个固定锚点，该两个固定锚点通过热驱梁连接，该两个热驱执行器通过一放大杠杆连接；一活动锯齿开关，包括一锯齿扣和一锯齿锁，该锯齿扣连接于所述放大杠杆的中点处，含有多个一类锯齿；该锯齿锁包括两个平行长梁，在每个长梁的内侧设有多个与所述一类锯齿配合的二类锯齿。本发明还提供一种MEMS加工工艺的温度监控方法，步骤包括：1)采用MEMS加工工艺制造功能器件时，随同一起制造上述温度监控装置；2)制造完成后查看所述温度监控装置的活动锯齿开关的齿扣度量；3)根据上述齿扣度量得到制造过程中所达到的最高温度。
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公开(公告)号：CN106115616A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610479967.1
申请日：2016-06-27
Applicant: 北京大学
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C99/004 , B81C99/005
Abstract: 本发明提供一种MEMS加工工艺的温度监控装置，包括：两个热驱执行器，每个热驱执行器均包括两个固定锚点，该两个固定锚点通过热驱梁连接，该两个热驱执行器通过一放大杠杆连接；一活动锯齿开关，包括一锯齿扣和一锯齿锁，该锯齿扣连接于所述放大杠杆的中点处，含有多个一类锯齿；该锯齿锁包括两个平行长梁，在每个长梁的内侧设有多个与所述一类锯齿配合的二类锯齿。本发明还提供一种MEMS加工工艺的温度监控方法，步骤包括：1)采用MEMS加工工艺制造功能器件时，随同一起制造上述温度监控装置；2)制造完成后查看所述温度监控装置的活动锯齿开关的齿扣度量；3)根据上述齿扣度量得到制造过程中所达到的最高温度。
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