公开(公告)号：CN101930954B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201010259659.0

申请日：2010-08-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄欣 ,  薛守斌 ,  艾玉杰 ,  黄如

IPC: H01L23/38

CPC classification number: H01L23/38 ,  H01L27/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于肖特基源漏SOI场效应晶体管的散热结构，属于微电子领域。该散热结构是与SOI场效应晶体管的源端或源、漏两端分别连接填充N型和P型高热电常数材料的两孔，漏端附近的N型高热电常数材料的金属引线相对于漏端接高电位，漏端附近的P型高热电常数材料的金属引线相对于漏端接低电位；源端附近的N型高热电常数材料的金属引线相对于源端接高电位，源端附近的P型材料的金属引线相对于源端接低电位。本发明利用帕尔帖效应，在热电材料与源或漏接触处吸收热量同时在热电材料与底电极金属连接处放出热量，从而将器件有源区的热量有效地传递到衬底，通过散热片散走。

公开(公告)号：CN101976654A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010280674.3

申请日：2010-09-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛守斌 ,  杨东 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供了一种提高LDMOS抗辐照特性的方法，属于集成电路抗辐照技术。本发明针对射频功率器件中的常规LDMOS晶体管结构提出：N型LDMOS晶体管的漂移区STI介质层和器件隔离区的介质层选用的材料和P型LDMOS晶体管的漂移区STI介质层和器件隔离区的介质层不同，其中N型LDMOS场效应晶体管漂移区STI介质层和器件沟槽隔离区选用辐照后更易俘获电子的材料，而P型LDMOS场效应晶体管漂移区介质层和沟槽隔离区介质层的填充材料为更容易俘获空穴的材料。本发明应用于半导体器件和集成电路抗辐照设计中，可提高集成电路的抗辐照能力、降低加固费用。

公开(公告)号：CN101923596A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010275725.3

申请日：2010-09-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛守斌 ,  王思浩 ,  谭斐 ,  安霞 ,  黄如 ,  张兴

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明涉及一种集成电路辐照效应的估算方法，属于集成电路领域。该估算方法主要包括以下步骤：A.将受到辐照后的集成电路中的NMOS器件在源、漏之间形成的导电通路作为一个寄生晶体管；B.利用陷阱电荷数与辐照剂量的关系式：Qtrap∝δT2STID，其中Qtrap是STI中俘获的电荷，TSTI寄生晶体管有效的栅氧厚度，D是辐照剂量，δ为拟合系数，得到寄生晶体管的漏电流，从而估算出整个集成电路的辐照效应。本发明可通过电路仿真，预测辐照损伤对集成电路的影响，同时也可以预测电路的敏感节点，进而为电路的抗辐照加固技术给予指导，并且可以降低实验成本。

公开(公告)号：CN101763446A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910243155.7

申请日：2009-12-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛守斌 ,  王思浩 ,  黄如 ,  张兴

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了一种CMOS器件的辐照位移损伤的估算方法，属于涉及CMOS器件的辐照位移损伤技术领域。该方法包括：根据入射粒子打到器件源漏端、沟道区和隔离区三个不同位置，建立一计算公式：Ids＝prob1×case1+prob2×case2+prob3×case3，其中，case是入射粒子打到器件不同位置处的位移损伤造成器件漏端电流变化，prob是入射粒子打到器件不同位置的概率，根据该计算公式，得到入射粒子位移损伤造成器件漏端电流的变化量Ids，从而估算出CMOS器件在辐射环境中的位移损伤。利用本发明能够准确地估算出器件和集成电路在辐射环境中的位移损伤效应。

公开(公告)号：CN101727525A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910243156.1

申请日：2009-12-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛守斌 ,  王思浩 ,  安霞 ,  黄如 ,  张兴

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供了一种分析CMOS器件辐照位移损伤的模型，属于CMOS器件的辐照位移损伤技术领域。该模型由六个子分析模块组成，包括：一漏、源端位移损伤分析模块、一沟道区位移损伤分析模块、一缺陷群分析模块、一复合增强迁移分析模块、一瞬态增强扩散分析模块和一隔离区位移损伤分析模块，利用蒙特卡罗的方法按照高斯分布随机生成入射粒子，所述模型根据入射粒子打入器件的位置，获取上述六个子分析模块中的一个或多个值，得到CMOS器件在辐照条件下的位移损伤效应。利用本发明能够准确地估算出器件和集成电路在辐射环境中的位移损伤效应。

公开(公告)号：CN101577279A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910087223.5

申请日：2009-06-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 王文华 ,  黄德涛 ,  黄如 ,  王阳元 ,  薛守斌

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种抗辐照的多叉指CMOS器件，属于电子技术领域。本发明多叉指CMOS器件包括有源区、STI区、和连接所述有源区和所述STI区的栅极，所述栅极呈多叉指状，其特征在于，所述有源区沿着有源区横向的宽度大于所述栅极位于所述有源区范围内沿着有源区横向的宽度。优选地，相邻的两个叉指的根部内轮廓线不呈各个折角同时为90°的折线状，位于端部的两个叉指的根部外轮廓线不呈直角状。本发明多叉指CMOS器件可以有效的降低栅串联电阻，从而提高电路的性能；同时占用的版图面积减小，可提高芯片的集成度。