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公开(公告)号：CN105547533A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510903317.0
申请日：2015-12-09
Applicant: 北京大学
IPC: G01L1/18
CPC classification number: G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种压力计芯片结构及其制备方法，该结构相比传统典型结构具有尺寸小，稳定性好、抗过载能力强和长期可靠性高等突出优势。此外针对该芯片结构开发的工艺流程与常规微纳加工技术兼容，器件加工成本低廉，芯片可实现较高的一致性。这种方法加工的压力计芯片具有更高的长期工作稳定性和抗过载破坏性能、较高的工艺可靠性，更小的芯片尺寸和成本以及更广阔的应用领域。
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公开(公告)号：CN101357825B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200810222443.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000-1400W；承片台功率为300-400W；反应室压力为2-4mT；C4F8流量为10-20sccm；H2流量为4-8sccm；He流量为150-200sccm。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN101357825A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810222443.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000－1400W；承片台功率为300－400W；反应室压力为2－4mT；C4F8流量为10－20sccm/min；H2流量为4－8sccm/min；He流量为150－200sccm/min。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN1233985C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN03121169.0
申请日：2003-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种对准键合精度检测系统，其特征在于它包括：一显微镜，一螺旋游标测量目镜，一CCD摄像机，一图像显示器，一红外光源，所述螺旋游标测量目镜连接在所述显微镜的垂直目镜的接口上，所述CCD摄像机连接在所述螺旋游标测量目镜上，所述图像显示器通过视频电缆与所述CCD摄像机连接，所述红外光源设置在所述显微镜的承片台下方。本发明利用在近红外区硅片具有较好的红外通过能力，CCD摄像机对红外光具有较好的成像质量，以及螺旋游标测量目镜对键合误差具有较精确的测量效果等特点，将其与显微镜结合成一体，为微电子机械系统(MEMS)加工技术提供了一种有效的测量手段。它可以广泛用于各种硅MEMS器件加工工艺过程的质量监控中，还可以作为可见光黑白图像的摄像测量显微镜使用。
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公开(公告)号：CN1549302A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN03130642.X
申请日：2003-05-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了半导体微器件的一种键合方法及其键合强度的检测方法。键合方法包括以下步骤：1)设计并制备需要键合的硅结构片的键合面膜层结构；2)必要的界面处理；3)进行键合面间的键合对准；4)实施键合。本发明还提供了两种键合强度的检测方法，分别为压臂法和张开型测试法。本发明的方法具有工艺简便、可操作性强、精度高、键合温度低以及成本低等优势，可广泛应用于半导体微器件中的键合或封装中，具有很高的实用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1534273A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN03121169.0
申请日：2003-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种对准键合精度检测系统，其特征在于它包括：一显微镜，一螺旋游标测量目镜，一CCD摄像机，一图像显示器，一红外光源，所述螺旋游标测量目镜连接在所述显微镜的垂直目镜的接口上，所述CCD摄像机连接在所述螺旋游标测量目镜上，所述图像显示器通过视频电缆与所述CCD摄像机连接，所述红外光源设置在所述显微镜的承片台下方。本发明利用在近红外区硅片具有较好的红外通过能力，CCD摄像机对红外光具有较好的成像质量，以及螺旋游标测量目镜对键合误差具有较精确的测量效果等特点，将其与显微镜结合成一体，为微电子机械系统(MEMS)加工技术提供了一种有效的测量手段。它可以广泛用于各种硅MEMS器件加工工艺过程的质量监控中，还可以作为可见光黑白图像的摄像测量显微镜使用。
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公开(公告)号：CN114695590B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210395649.2
申请日：2022-04-14
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京交通大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种晶体管型光电探测器，包括：第一电极；第二电极，第二电极与第一电极间隔开；沟道层，沟道层至少设置在第一电极与第二电极之间；光敏层，用于接收光信号；第一介质层，第一介质层设置在沟道层与光敏层之间；以及第二介质层，第二介质层至少设置在光敏层与第一电极之间、和/或至少设置在光敏层与第二电极之间，以便阻断光敏层与第一电极和/或第二电极的导电通道。本公开还提供了一种晶体管型光电探测器的制备方法。
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公开(公告)号：CN114695590A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210395649.2
申请日：2022-04-14
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京交通大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种晶体管型光电探测器，包括：第一电极；第二电极，第二电极与第一电极间隔开；沟道层，沟道层至少设置在第一电极与第二电极之间；光敏层，用于接收光信号；第一介质层，第一介质层设置在沟道层与光敏层之间；以及第二介质层，第二介质层至少设置在光敏层与第一电极之间、和/或至少设置在光敏层与第二电极之间，以便阻断光敏层与第一电极和/或第二电极的导电通道。本公开还提供了一种晶体管型光电探测器的制备方法。
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公开(公告)号：CN101559916A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910082984.1
申请日：2009-04-28
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种掩蔽微结构的制备方法，属于微电子机械系统技术领域。该方法包括：在硅基片表面制成厚度为1～2μm的二氧化硅掩膜，并图形化，对硅进行深刻蚀，形成微槽或微开口结构；对微槽或微开口结构进行表面钝化；刻蚀去掉微槽或微开口结构的底部钝化层，对微槽或微开口结构的底部进行预刻蚀；接着继续各向同性刻蚀，形成微结构；然后，去掉硅片表面的掩膜和微槽或微开口结构侧壁的钝化层；回填形成掩蔽微结构。本发明利用厚掩膜很好的保护了硅片表面，不会出现针孔和钻蚀的现象。且掩蔽微结构的各向同性刻蚀在预刻蚀之后进行，可控制掩蔽微结构的截面形状，免去了复杂的工艺参数调整，也可避免对精密刻蚀设备的依赖。
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公开(公告)号：CN101372311A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810222444.4
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比氧化硅刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000－1800W；承片台功率为300－400W；反应室压力为4－12mT；C4F8流量为10－20sccm/min；H2流量为4－8sccm/min；He流量为150－200sccm/min。本发明高深宽比氧化硅刻蚀工艺的技术方案，通过对包括离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可明显提高氧化硅的刻蚀速率和对刻蚀掩膜选择比，同时能满足侧壁垂直度的刻蚀要求。
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