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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102064096B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010572032.0
申请日：2010-12-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/033
CPC classification number: H01L21/3086 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L28/20
Abstract: 本发明提供一种细线条的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明采用了3次Trimming掩膜工艺，有效地改善了线条形貌，大大减小了LER(线边缘粗糙度)；同时与侧墙工艺相结合，成功制备出纳米级细线条并能够精确控制到20纳米，从而在衬底材料上制备出优化LER纳米级的线条。
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公开(公告)号：CN101789363B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201010128839.5
申请日：2010-03-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括：制备化学机械抛光停止层；淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜；将多晶硅薄膜加工成条状；在条状多晶硅的顶面和两个侧面上生长氧化硅，衬底材料由于氮化硅的保护没有被氧化；再淀积一层多晶硅，并以停止层为准化学机械抛光该多晶硅，在氧化硅的保护下依次干法刻蚀多晶硅、氮化硅和衬底材料，然后腐蚀去掉氧化硅硬掩模，制备出衬底材料的细线条。本发明制备出的超细线条的形状可以接近矩形，且线条左右两侧衬底材料分布情况一致。
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公开(公告)号：CN101789374B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010100174.7
申请日：2010-01-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/329 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法，降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中，IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的，不存在对准偏差的影响，通过在后续工艺中选择性湿法腐蚀源区、漏区和碰撞电离区上方的介质膜，可以依次自对准的将它们制备出来，由此消除了传统制备IMOS工艺中多次光刻之间对准偏差的影响，有利于制备出特性稳定可靠的平面IMOS器件。
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公开(公告)号：CN102082096A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010506130.4
申请日：2010-10-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种Ge或SiGe纳米线场效应晶体管的制备方法，首先在衬底上的隔离层上形成多晶硅栅；然后形成高K材料的栅介质层；再在栅介质层上淀积SiGe薄膜；对SiGe薄膜进行源漏掺杂后光刻定义出源漏区图形，并各向异性干法刻蚀SiGe薄膜，在多晶硅栅两侧形成SiGe侧墙，同时在栅长方向上SiGe侧墙的两头分别形成源区和漏区；最后对SiGe侧墙进行氧化，去掉表面形成的氧化层，得到Ge纳米线或高Ge含量的SiGe纳米线。该方法基于侧墙工艺和Ge聚集技术，在不采用先进光刻设备的条件下制备出Ge或SiGe纳米线场效应晶体管，制备成本低，而且与CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN101789363A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010128839.5
申请日：2010-03-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括：制备化学机械抛光停止层；淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜；将多晶硅薄膜加工成条状；在条状多晶硅的顶面和两个侧面上生长氧化硅，衬底材料由于氮化硅的保护没有被氧化；再淀积一层多晶硅，并以停止层为准化学机械抛光该多晶硅，在氧化硅的保护下依次干法刻蚀多晶硅、氮化硅和衬底材料，然后腐蚀去掉氧化硅硬掩模，制备出衬底材料的细线条。本发明制备出的超细线条的形状可以接近矩形，且线条左右两侧衬底材料分布情况一致。
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