公开(公告)号：CN101556983B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200810103520.X

申请日：2008-04-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨志坚 ,  方浩 ,  陶岳彬 ,  桑立雯 ,  李丁 ,  张国义

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种单芯片白LED及其制备方法，该LED包括依次叠加的光致荧光层、n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层，其中：有源层为可发射370-420nm的近紫外光波段的量子阱，光致荧光层是在近紫外光激发下发出黄绿荧光的非掺杂GaN层。所述光致荧光层是利用GaN材料中Ga空位和氧掺杂替氮位配对可以被近紫外光激发而发出黄绿光的特点而形成的，通过在生长GaN层时提高氨气源的流量将V/III比提高至4000-9000，或者降低生长温度至900-1050℃来大量引入上述缺陷。该LED器件只需单一芯片即可发出白色光，而且器件的制备工艺简单，无需荧光粉，寿命长，具有较高的光电转化效率。

公开(公告)号：CN101728250A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810224573.7

申请日：2008-10-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  桑立雯 ,  秦志新 ,  张延召 ,  杨志坚 ,  于彤军 ,  方浩

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  C23C16/34

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种生长p-AlGaN的方法，在用金属有机化学气相沉积方法生长p型AlGaN层时同时通入三甲基铟作为活性剂。通常采用高纯氢气作为载气，三甲基镓、三甲基铝和氨气分别作为Ga源、Al源和N源，二茂镁作为p型掺杂剂，三甲基铟和其他原料同时通入反应室外延生长p-AlGaN，三甲基铟的流量一般控制在20～300sccm。该方法简单易行，效果明显，不仅可以改善p-AlGaN的表面形貌，降低其本身的方块电阻，而且，将该方法应用于器件的制备中，可以有效降低器件的串联电阻和开启电压，增强器件的发光强度，尤其针对高Al组分p-AlGaN及深紫外LED器件效果更为显著。

公开(公告)号：CN101603172A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200810114598.1

申请日：2008-06-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  桑立雯 ,  秦志新 ,  杨志坚 ,  于彤军 ,  方浩

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供了一种生长AlN或AlGaN薄膜的方法，是在采用金属有机化学气相沉积方法常规生长AlN或AlGaN时通入适量的TMIn作为活性剂来改善AlN及AlGaN薄膜的晶体质量以及表面平整度。通常采用氢气作为载气，TMGa、TMAl和NH3分别作为Ga源、Al源和N源，TMIn和其他原料一起同时通入反应室，在1050－1200℃进行生长，其中TMIn的流量一般为40－400sccm。通过原子力显微方法表征样品的表面粗糙度和采用X射线衍射三晶摇摆曲线半峰宽来表征样品的晶体质量，可以看出，采用本发明方法所得的AlN和AlGaN样品和现有技术生长的样品相比，表面粗糙度明显下降，且晶体质量提高。

公开(公告)号：CN101562222A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200810104053.2

申请日：2008-04-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  杨志坚 ,  方浩 ,  陶岳彬 ,  桑立雯 ,  李丁

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种背面出光的单芯片白光LED及其制备方法，在双面抛光的蓝宝石衬底上依次层叠非掺杂GaN层、蓝光有源层、黄绿光光致荧光层、n型欧姆接触层、紫外光有源层和p型欧姆接触层，其中：所述紫外光有源层是可发射紫外光波段的量子阱；所述黄绿光光致荧光层是在制备时引入缺陷而形成的非掺杂GaN层，可在紫外光激发下发出黄绿色荧光。紫外光有源层发射的紫外光部分通过荧光转换得到的黄绿光，部分被蓝光有源层吸收激发出蓝光，黄绿光和蓝光混合得到白光，经衬底的另外一面出射。本发明利用了荧光层发光和倒装焊工艺背面出光的技术优势，只需单一芯片即可发出白色光，制备工艺简单，无需荧光粉，受命长，具有较高光的电转化效率。