公开(公告)号：CN1431686A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN03104779.3

申请日：2003-02-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 张大成 ,  李明 ,  李婷 ,  邓珂 ,  李修函 ,  王阳元

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  B81B5/00

Abstract: 本发明涉及一种高深宽比硅深刻蚀方法。采用具有双路气体自动切换功能的英国STS公司生产的STSMultiplex ICP高密度等离子刻蚀系统，采用如下的工艺条件：离子源功率：600W，承片台功率：12～14W，刻蚀气体流量：95sccm，刻蚀时间：13～15秒，钝化气体流量：95sccm，钝化时间：9～11秒，刻蚀与钝化重叠时间：0.5秒，反应压力：18～36mTorr，刻蚀样品：直径100毫米硅片，刻蚀掩膜：普通正性光刻胶。解决了硅深刻蚀过程中刻蚀速率随槽宽度变窄而降低的这一国际性难题，使采用复杂图形和梳齿图形的器件结构能够用高深宽比硅刻蚀技术来实现，为MEMS器件的制造提供了一种有效可行的加工手段。可广泛应用于微电子机械技术领域。

公开(公告)号：CN100435272C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200510012079.0

申请日：2005-07-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 阮勇 ,  张大成 ,  王阳元 ,  张兴 ,  李婷 ,  田大宇 ,  罗葵 ,  王兆江 ,  于晓梅 ,  杨芳 ,  李修函 ,  刘晓娣

IPC: H01L21/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种在感应耦合等离子体(ICP)刻蚀中保护刻蚀结构的方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法在感应耦合等离子体ICP干法刻蚀硅结构时，不将硅片刻蚀穿通，在硅结构上PECVD淀积氧化硅，各项同性刻蚀硅结构上表面的氧化硅，再ICP刻蚀剩余未穿通部分的硅，释放硅结构，使硅结构的侧壁形成保护层。本发明保证了刻蚀结构的完整性，使MEMS或NEMS器件具有实际提高工艺结果质量的作用。

公开(公告)号：CN1804043A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510011180.4

申请日：2005-01-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 于晓梅 ,  李修函 ,  张大成 ,  李婷

IPC: C12P19/34 ,  C12M1/00 ,  C12Q1/68

Abstract: 本发明提供一种微型聚合酶链式反应(PCR)芯片系统及其制备方法，涉及生物微机电系统技术领域。该PCR芯片包括若干个用于DNA扩增的阱式反应池，反应池通过若干流道与进出液口连接。在芯片上集成微加热器和微传感器，通过温度循环控制系统进行DNA扩增。可以在该芯片上设置微泵，在反应池入口处设置微阀，用于DNA引物的导入及反应池间的隔离。也可以在上述系统中设置荧光激发光源、荧光探测装置及荧光信号检测分析系统进行PCR产物的荧光在位检测。采用MEMS技术加工技术或微模型制备该芯片系统，该生物芯片系统提供了高通量和快速的DNA扩增手段，并具有便于携带、成本低和性能可靠的优点。