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公开(公告)号：CN118458688B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410910279.0
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于拉曼光谱成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片，涉及检测芯片技术领域，提供晶圆基底，在其一侧形成原始功能层；在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向和列方向阵列排布的多个第一掩膜图案；以第一掩膜图案为掩膜对原始功能层进行各向同性刻蚀处理，形成多个原始功能结构；去除第一掩膜图案，以原始功能结构为掩膜对晶圆基底进行浅深硅刻蚀处理，形成纳米柱阵列衬底。该方法结合各向同性刻蚀，在晶圆基底上形成阵列排布的多个目标功能结构，有效提升光刻形成的目标功能结构的精度，通过需要掩膜的低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备，进一步应用至拉曼光谱成像中外泌体的检测。
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公开(公告)号：CN117282481B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202311340234.6
申请日：2023-10-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于微纳流体及生化传感技术领域，并具体涉及一种微纳流控芯片及采用所述微纳流控芯片进行的生化标志物分子的富集检测方法，微纳流控芯片包括芯片本体，所述芯片本体上设有第一通道、第二通道和纳流通道，所述第一通道上设有检测区，并与第一注液口连通；所述第二通道与第二注液口连通；所述纳流通道具有离子选择功能，并连通于所述第一通道和所述第二通道之间。通过上述结构，可以实现生化标志物的高倍数富集和高灵敏度检测，具有检测成本低、响应时间快、样品及试剂消耗量少等优势，具有极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN118458689B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410910282.2
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于拉曼成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片，涉及生物分子检测技术领域，包括：提供晶圆基底；在晶圆基底的一侧形成原始功能层；在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向间隔排布的多个第一掩膜图案；基于第一掩膜图案，形成多个第二掩膜图案；去除第一掩膜图案，以第二掩膜图案为掩膜对原始功能层进行第一刻蚀处理，形成沿行方向间隔排布的多个原始功能结构；对原始功能结构进行第二刻蚀处理，形成纳米柱阵列衬底。本申请两次刻蚀处理形成目标功能结构，可以提升光刻形成的目标功能结构的精度，从而通过低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备，提升纳米柱阵列衬底的制备效率，降低制备成本。
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公开(公告)号：CN117747601A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410190425.7
申请日：2024-02-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种基于埋入式硅基的大阵列APD基板及制备方法、功能芯片，涉及电子制造领域，包括：提供晶圆基底；对晶圆基底的第一侧进行刻蚀处理，在晶圆基底的第一侧形成第一数量的填埋槽；将多个APD单元填入多个填埋槽的中心区域内，以使APD单元与填埋槽的槽底键合，APD单元为APD芯片阵列或APD芯片，APD芯片阵列包含阵列排布的多个APD芯片；对晶圆基底的第一侧进行表面钝化处理，得到大阵列APD基板。本申请通过在晶圆基底上形成填埋槽，并将数量较少APD芯片阵列或APD芯片填充在填埋槽内构成大阵列APD基板，该制备方法在保证较高良率的同时，简化生成工艺流程，降低成本，实现高密度、大规模、高性能的大阵列APD基板的制备。
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公开(公告)号：CN117554606A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311333055.X
申请日：2023-10-13
Applicant: 北京大学
IPC: G01N33/543 , G01N33/53 , B01D61/00
Abstract: 本申请涉及生化传感技术领域的一种多孔滤膜辅助的磁珠法免疫检测方法，包括：提供磁珠、目标分子抗体、多孔滤膜；并且所述磁珠的粒径大于所述多孔滤膜的孔径；将所述磁珠与所述目标分子抗体偶联，得到免疫磁珠；将待测溶液与所述免疫磁珠混合，在适于免疫反应的条件下进行孵育，得到反应后的溶液；用所述多孔滤膜过滤所述反应后的溶液，然后对所述多孔滤膜进行荧光检测，根据检测结果计算待测溶液中目标分子的浓度。本申请的检测方法实验步骤较少、试剂需求量小，极大简化了操作流程，在多孔滤膜辅助下极大提高了目标分子，特别是万古霉素等小分子物质的检测灵敏度，且重复性好、稳定性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117504955A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311337418.7
申请日：2023-10-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于微纳流体和生化传感技术领域，特别涉及一种栅控微纳流控器件及其制备方法，栅控微纳流控器件包括芯片本体，所述芯片本体上设有第一通道、第二通道、纳流通道和栅控电极，所述第一通道与第一进液口连通；所述第二通道与第二进液口连通；所述纳流通道具有离子选择功能，并连通于所述第一通道和所述第二通道之间；所述栅控电极与所述纳流通道间隔设置，适于调节所述纳流通道的离子选择功能。本发明提供的栅控微纳流控器件具备可调节的富集功能，可以根据不同的工作条件和需求，灵活地改变富集模式，从而满足不同的应用需求。
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公开(公告)号：CN117282481A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311340234.6
申请日：2023-10-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于微纳流体及生化传感技术领域，并具体涉及一种微纳流控芯片及采用所述微纳流控芯片进行的生化标志物分子的富集检测方法，微纳流控芯片包括芯片本体，所述芯片本体上设有第一通道、第二通道和纳流通道，所述第一通道上设有检测区，并与第一注液口连通；所述第二通道与第二注液口连通；所述纳流通道具有离子选择功能，并连通于所述第一通道和所述第二通道之间。通过上述结构，可以实现生化标志物的高倍数富集和高灵敏度检测，具有检测成本低、响应时间快、样品及试剂消耗量少等优势，具有极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN113948636B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202111064414.7
申请日：2021-09-10
Applicant: 北京大学
IPC: H10B63/00
Abstract: 本发明涉及一种界面型纳流体忆阻器，包括：衬底；纳米沟道，设置在所述衬底顶部；金属层，覆盖所述纳米沟道的底部和侧壁并且覆盖位于所述纳米沟道一侧或两侧的衬底表面；以及二氧化硅层，覆盖所述金属层的部分表面。本发明的界面型纳流体忆阻器采用金属层作为栅控电极，可有效防止漏电流对其他器件的影响，且由该忆阻器形成的忆阻器阵列的加工工艺相比现有技术非常简单。此外，本发明的界面型纳流体忆阻器作为一种纳流体神经突触器件，既可实现兴奋型纳流体神经突触器件的功能，又可实现抑制型纳流体神经突触器件功能。另外，本发明还涉及所述界面型纳流体忆阻器的制备方法。
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公开(公告)号：CN116040576A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310034814.6
申请日：2023-01-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种柔性材料的纳米通道及其母模的制备方法。方法包括：在硅基衬底上形成光刻胶；对光刻胶进行曝光和显影，在光刻胶中形成预设版图的沟道，所述沟道贯穿所述光刻胶至硅基衬底；然后在所述光刻胶上方形成硬掩膜层，所述硬掩膜层填充所述沟道；之后剥离去除光刻胶，最后在所述硬掩膜层的遮挡下刻蚀硅基衬底。本发明填补了柔性材料纳米通道专一性母模的空白，并且具有较高的精度，耐磨损且脱模容易，适合基于柔性材料的纳米通道的批量生产，并且该方法对不同纳米图形的适用性强。
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公开(公告)号：CN118458689A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410910282.2
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于拉曼成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片，涉及生物分子检测技术领域，包括：提供晶圆基底；在晶圆基底的一侧形成原始功能层；在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向间隔排布的多个第一掩膜图案；基于第一掩膜图案，形成多个第二掩膜图案；去除第一掩膜图案，以第二掩膜图案为掩膜对原始功能层进行第一刻蚀处理，形成沿行方向间隔排布的多个原始功能结构；对原始功能结构进行第二刻蚀处理，形成纳米柱阵列衬底。本申请两次刻蚀处理形成目标功能结构，可以提升光刻形成的目标功能结构的精度，从而通过低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备，提升纳米柱阵列衬底的制备效率，降低制备成本。
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