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公开(公告)号：CN1155980C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN01140097.8
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用，属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列，是在金属薄膜电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列；基底厚度为1μm～0.5mm，纳米线直径为20～200nm，长度为100～500nm。制造步骤包括：(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板；(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发-电镀制造金属薄膜电极；(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列；(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板，露出金属纳米线。本发明的场发射阴极应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低，电流密度大，制备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN110176254A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910317941.0
申请日：2019-04-19
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于分子自旋态的磁场调控存储器件及数据存储方法。该存储器件包括基体，数据存储介质和探针，所述基体为导电基体；所述数据存储介质为自旋态可变有机分子层，其规则排列在导电基体表面；所述探针用于数据存储介质的数据的写入和/或读取；所述写入操作包括通过施加磁场改变自旋态可变分子层中有机分子的自旋态，所述读取操作包括检测出可变分子层中分子的自旋态；所述自旋可变有机分子为酞菁亚铁分子。本发明以酞菁亚铁分子为存储介质，通过改变施加磁场的强弱控制分子自旋态的转变，实现了信息的单分子写入，通过探针检测自旋态可以实现信息的单分子读取，从而达到利用磁场调控分子自旋态进行信息存储的目的。
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公开(公告)号：CN108766488A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810314077.4
申请日：2018-04-10
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及一种基于分子自旋态的超高密度存储器件及数据存储方法。该存储器件包括基体、数据存储介质和探针；所述基体为导电基体；所述数据存储介质为自旋态可变分子层，自旋态可变分子层规则排列在导电基体表面；所述探针用于将数据写入数据存储介质和/或读取存储在数据存储介质的数据；所述写入操作包括改变自旋态可变分子层中分子的自旋态，所述读取操作包括检测出自旋态可变分子层中分子的自旋态。本发明实现了信息的单分子写入，相邻分子可进行无干扰的自旋态调控，实现了信息的稳定存储，存储密度高达7*1013bit/cm2。
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公开(公告)号：CN1349240A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN01140097.8
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用,属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列,是在金属平面电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列;基底厚度为1μm～0.5mm,纳米线直径为20～200nm,长度为100～500nm。制造步骤包括:(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板;(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发－电镀制造金属薄膜电极;(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列;(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板,露出金属纳米线。本发明的场发射阴应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低,电流密度大,制备简单,成本低。
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