公开(公告)号：CN108766488B

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201810314077.4

申请日：2018-04-10

Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院

Inventor： 李娜 ,  张雪 ,  侯士敏 ,  王永锋

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明涉及一种基于分子自旋态的超高密度存储器件及数据存储方法。该存储器件包括基体、数据存储介质和探针；所述基体为导电基体；所述数据存储介质为自旋态可变分子层，自旋态可变分子层规则排列在导电基体表面；所述探针用于将数据写入数据存储介质和/或读取存储在数据存储介质的数据；所述写入操作包括改变自旋态可变分子层中分子的自旋态，所述读取操作包括检测出自旋态可变分子层中分子的自旋态。本发明实现了信息的单分子写入，相邻分子可进行无干扰的自旋态调控，实现了信息的稳定存储，存储密度高达7*1013bit/cm2。

公开(公告)号：CN108766488A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810314077.4

申请日：2018-04-10

Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院

Inventor： 李娜 ,  张雪 ,  侯士敏 ,  王永锋

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明涉及一种基于分子自旋态的超高密度存储器件及数据存储方法。该存储器件包括基体、数据存储介质和探针；所述基体为导电基体；所述数据存储介质为自旋态可变分子层，自旋态可变分子层规则排列在导电基体表面；所述探针用于将数据写入数据存储介质和/或读取存储在数据存储介质的数据；所述写入操作包括改变自旋态可变分子层中分子的自旋态，所述读取操作包括检测出自旋态可变分子层中分子的自旋态。本发明实现了信息的单分子写入，相邻分子可进行无干扰的自旋态调控，实现了信息的稳定存储，存储密度高达7*1013bit/cm2。