公开(公告)号：CN102544108A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210008323.6

申请日：2012-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  蔡剑 ,  王漪 ,  王薇 ,  王亮亮 ,  任奕成 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开了一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法，该方法首先利用半导体缓冲层来增加源、漏电极与沟道材料的接触面积，减小源漏接触电阻，然后采用剥离工艺将连续生长的沟道层、栅介质层和栅电极层一起剥离。本发明简化了制造流程，有效减小了源漏端接触电阻，而且关键的沟道层、栅介质层和栅电极层这三层的生长过程完全没有脱离真空环境。本发明提高了器件特性，优化了效率以及成品率。

公开(公告)号：CN102468338A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010547529.7

申请日：2010-11-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  王漪 ,  张盛东 ,  孙雷 ,  张韬 ,  任奕成 ,  康晋锋 ,  刘晓彦 ,  韩汝琦

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/47 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管，属于半导体技术领域。该氧化锌基肖特基薄膜晶体管包括一栅电极，一栅绝缘介质层，一半导体导电沟道区，一源区和一漏区，所述栅电极位于玻璃或者塑料衬底之上，所述栅绝缘介质层位于玻璃和栅电极之上，所述半导体导电沟道层位于覆盖栅电极的栅介质之上，面积小于栅介质面积。所述源区和漏区在沟道区两端并与沟道区相交叠，所述源区和漏区的金属接触为肖特基金-半接触，并且源区和漏区的金属使用的材料不同，在氧化锌薄膜晶体管的源端形成高肖特基势垒，漏端形成低肖特基势垒。本发明可以有效地降低氧化锌薄膜晶体管的关态电流并提高开态电流。

公开(公告)号：CN101984506A

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN201010504099.0

申请日：2010-10-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  王漪 ,  张盛东 ,  孙雷 ,  张韬 ,  任奕成 ,  康晋锋 ,  刘晓彦 ,  韩汝琦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了一种二次光刻实现薄膜晶体管的制备方法，属于半导体技术平板显示领域。该方法具体包括：首先在玻璃或者塑料衬底上生长一层半导体沟道层；然后生长一层栅绝缘介质层；再进行第一次光刻和刻蚀定义栅绝缘介质层图形；随后生长一层导电薄膜材料，光刻和刻蚀形成栅电极、源端电极和漏端电极。本发明采用二次光刻形成薄膜晶体管的工艺技术，减少了光刻次数，简化了工艺步骤，从而提高了工作效率，降低了制造成本。为液晶显示等行业提供简便可行的薄膜晶体管制备方法。