一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法

    公开(公告)号:CN103258859A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201310195082.5

    申请日:2013-05-23

    Abstract: 一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法,涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为InZnxLiyNzO;InZnxLiyNzO的靶包括In2O3、ZnO、Li2O和Zn3N2,x=0~2,y=0~0.1,Z=0~0.1,厚度为20~60nm。用磁控溅射法制备沟道层,溅射功率为70~200W,氧/氩压比为0~40%,生长温度为室温~500℃,退火温度为350~500℃或760~960℃。该薄膜晶体管主要用于平板显示和透明电路。

    高阶黄金分割汉明函数切趾版及制作啁啾光纤光栅的方法

    公开(公告)号:CN1975478A

    公开(公告)日:2007-06-06

    申请号:CN200610169736.7

    申请日:2006-12-28

    Abstract: 一种高阶黄金分割汉明函数切趾版及制作啁啾光纤光栅的方法。切趾版501的镂空部分呈两端窄,中间宽。两侧缓变区域502和504的长度和与整个切趾版501的长度比值为黄金分割比0.618,而两端缓变区域502与504的长度比值也为黄金分割比0.618。两端缓变区域502和504的曲线为汉明函数。使用时,将切趾版501竖立放置于光源与相位掩模版中间,使切趾版501的缓变区域502对着啁啾相位掩模版的短波长端,而缓变区域504对着相位掩模版的长波长端,切趾版将在光栅制作过程中对光源在光栅两侧的曝光强度进行调节,从而形成对光栅的切趾。这种切趾方法使光栅获得良好性能,便于操作,光路系统结构简单可靠,重复性好。

Patent Agency Ranking