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公开(公告)号：CN103699925A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310636543.8
申请日：2013-12-03
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明提出了一种用于双界面智能卡的具有外置谐振电容的电子模块封装电路，此方法可以将智能卡的谐振电容置于电子模块封装中，芯片内部不需要额外的谐振电容，芯片内部仅存在电路寄生的电容，从而降低了芯片面积、减小了芯片加工成本；而且采用此种方法，外置谐振电容的电子模块与现有工艺兼容，不需增加工序。
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公开(公告)号：CN118671552A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410692501.4
申请日：2024-05-30
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种芯片可靠性测试装置及芯片可靠性测试方法。根据本发明实施例的芯片可靠性测试装置包括USB集线器模块；第一主控测试单元，所述第一主控测试单元的第一端与所述USB集线器模块的第一端口相连接以传递信息，所述第一主控测试单元的第二端用于第一测试芯片的连接；以及第二主控测试单元，所述第二主控测试单元的第一端与所述USB集线器模块的第二端口相连接以传递信息，所述第二主控测试单元的第二端用于第二测试芯片的连接。根据本发明实施例的芯片可靠性测试装置及芯片可靠性测试方法，可以完成多个测试芯片的同测，降低了测试成本，提升了测试效率。
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公开(公告)号：CN101349995A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200710119109.7
申请日：2007-07-16
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F12/08 , G06K19/073
Abstract: 本发明是一种在XRAM中执行程序的MMU(存储管理单元)设计方法，其特点在于哈佛(havard)结构中被定义为XRAM的数据存储器通过该MMU的配制可映射为程序存储器，实现数据存储器执行程序的功能，解决了非易失性存储体(EEPROM/FLASH)做程序存储器而带来的系统运行频率瓶颈。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117829040A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410009259.6
申请日：2024-01-02
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明提出了一种可重构指令cache的硬件低功耗设计方法。针对不同cpu的软件编译特性，以及整个应用程序不同阶段编译出的指令特征，提供检测不同程序段对不同cache优化策略适配性的软件环境，结合软件环境给出的cache不同分支的占比，并根据公式的计算，得出是否做标志tagram预取操作的参数，实现不同的程序段动态重构cache的硬件架构，达到最大化降低功耗的目的。
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公开(公告)号：CN116643765A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310355735.5
申请日：2023-04-04
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F8/65 , G06F13/42 , G06F11/14 , G06F9/4401
Abstract: 一种多芯片集成的软件升级更新设计方法，采用统一标准协议且支持多地址覆盖的总线方式，通过复用总线的方式对不同地址的芯片进行访问对芯片内部固件或者软件进行升级更新，在升级更新过程中仅需操作升级更新的芯片，对其他芯片无影响。通过该方法能够简化外围电路设计和降低板级设计成本，并且能够保证芯片之间升级不会受到影响且不会破坏其他芯片的软件。本专利仅提供一种原型设计方法，并不局限于开发者使用何种具体方式和工具实现，也不局限于芯片以何种接口运行。
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公开(公告)号：CN112149368A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010972932.8
申请日：2020-09-16
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F30/32
Abstract: 按照I2C规范规定的通讯速率有100kbps、400kbps、1Mbps等几种速率，I2C主设备负责产生通讯时钟，但随着主设备工作环境、时钟晶振、供电电压等变化，可能会造成通讯时钟不准的情况，从而对通讯产生影响。本设计目的在于通过I2C主设备中搭建一个时钟自校准电路，实现对通讯时钟的快速自校准功能。本设计特点在于不占用多于芯片端口资源，可以最大程度复用模块自有资源实现自校准功能。
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公开(公告)号：CN107748909A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711081685.7
申请日：2017-11-07
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/07
Abstract: 非接触式智能卡芯片中大多以1444-3 Type-A为通信接口，这类接口芯片通过线圈从读卡器的场中获得能量，因此，读卡器场强的大小，卡距读卡器的距离，卡芯片内部的功耗大小以及功耗波动都会影响到卡距读卡器的最大工作距离、卡的工作性能、以及卡和读卡器之间的正常通信。本发明给出了一种非接触式智能卡芯片中功耗自适应的方法及电路，能够有效的提高卡的工作性能、减小最小工作场强、提高卡和读卡器之间通信的兼容性和稳定性。
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公开(公告)号：CN203689556U
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201320783833.0
申请日：2013-12-03
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 本实用新型提出了一种用于双界面智能卡的具有外置谐振电容的电子模块封装电路，此方法可以将智能卡的谐振电容置于电子模块封装中，芯片内部不需要额外的谐振电容，芯片内部仅存在电路寄生的电容，从而降低了芯片面积、减小了芯片加工成本；而且采用此种方法，外置谐振电容的电子模块与现有工艺兼容，不需增加工序。
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