一种用于超高频射频识别标签反向通信速率的方法和电路

    公开(公告)号:CN103646225A

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201310637156.6

    申请日:2013-12-03

    Inventor: 沈红伟 徐海军

    Abstract: 本发明是一种用于超高频无源射频识别(RFID)国家标准反向通信速率实现方法。超高频国标准《信息技术射频识别800/900MH空中接口协议》中规定,标签到读写器反向通信速率由阅读器发送的询问命令(Query)参数确定。本发明在详细分析返回通信速率及频点容差基础上,结合射频识别800/900MHz空中接口协议,提出了相应的实现方法。该方法电路结构简单、资源消耗少、满足无源超高频标签芯片低功耗的要求。

    一种用于超高频无源电子标签加密认证的功耗处理方法

    公开(公告)号:CN102122341B

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:CN201010622310.9

    申请日:2010-12-27

    Inventor: 沈红伟

    Abstract: 本发明用于超高频无源电子标签加密认证时的功耗处理方法。本提案主要用于解决超高频无源电子标签安全算法的引入带来的芯片功耗与标签识别距离的矛盾问题。主要涉及到标签识别流程。标签接收到认证命令之后,与阅读器商量所需要的连续载波的时间,标签返回应答携带时间参数Treply的信息。阅读器发送确认命令,并发送Treply时间的连续载波。如果等待Treply时间没有收到标签响应,则结束或者重发认证命令。标签收到确认命令后,在Treply时间之内完成运算,并返回数据。阅读器认证标签是否为合法标签,如果为合法标签,用算法对标签携带的随机数加密发送给标签。标签确认认证结果。

    一种用于超高频射频识别标签反向通信速率的方法和电路

    公开(公告)号:CN103646225B

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201310637156.6

    申请日:2013-12-03

    Inventor: 沈红伟 徐海军

    Abstract: 本发明是一种用于超高频无源射频识别(RFID)国家标准反向通信速率实现方法。超高频国标准《信息技术射频识别800/900MH空中接口协议》中规定,标签到读写器反向通信速率由阅读器发送的询问命令(Query)参数确定。本发明在详细分析返回通信速率及频点容差基础上,结合射频识别800/900MHz空中接口协议,提出了相应的实现方法。该方法电路结构简单、资源消耗少、满足无源超高频标签芯片低功耗的要求。

    超高频RFID标签天线阻抗匹配方法和电路

    公开(公告)号:CN103647146A

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201310636667.6

    申请日:2013-12-03

    Inventor: 陈会军 沈红伟

    Abstract: 本发明公开一种RFID超高频标签天线的匹配方法。本发明的特点是将传统的三电感T型匹配扩展为三传输线T型匹配。三传输线T型匹配获得的提高包括,一是解决了参考面后移的问题,只需要在一个固定的参考面上观察阻抗,二是可以控制某个频段内的阻抗图形,而不是只考虑单频率点,所以有利于宽带匹配。三是将环形结构之外的天线部分也考虑进阻抗匹配方法中来。

    一种适用不同占空比的MMC码型数据解码方法

    公开(公告)号:CN102957503A

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201110254984.2

    申请日:2011-08-31

    Inventor: 李险峰 沈红伟

    Abstract: 本发明是一种适用不同占空比的超高频电子标签MMC码型数据的自适应解码方法。本方法也可适用于曼彻斯特码。MMC码型为一种超高频通讯过程中阅读器发送给无源电子标签的数据码型。其方法包括,所述电子标签从空中接收阅读器发送过来的MMC码型数据并将之转换成数字信号,然后在数字信号的上升沿和下降沿计数器清零(用计数器计算数据长度),再根据上升沿和下降沿,分别采取不同的计数器点进行采样,每位数据选取数据后部分的时间点,进行采样,从而得出当前的数据为1或0。本发明根据数字信号的上升沿和下降沿,进行清零,重新计算采样位置,使得采样点误差不累积,采样位置精度高,误差小,方法简单,易于实现。

    一种自适应阻抗匹配的超高频无源电子标签接口电路

    公开(公告)号:CN102110238A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200910243491.1

    申请日:2009-12-23

    Abstract: 本发明用于超高频无源电子标签芯片与天线接口的自适应阻抗匹配电路。超高频电子标签要求芯片与天线直接连接,为了更好的传输载波能量和标签返回信号能量,天线必须与芯片等效阻抗完全匹配。由于芯片等效阻抗是温度的函数,当温度变化时,芯片与天线的失配系数随之变化,影响标签射频能量的吸收和标签返回信号能量的大小,进而影响标签的识别距离。本发明一种自适应阻抗匹配电路,当温度变化时能自动调整芯片的阻抗,将芯片与天线的失配系数控制在一定范围内,达到提高标签性能的目的。

    一种用于超高频无源电子标签块写功能实现方法

    公开(公告)号:CN102110221A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200910243489.4

    申请日:2009-12-23

    Abstract: 本发明是一种用于实现超高频无源电子标签“块写”功能的方法。目前超高频无源电子标签18000-6C(EPC G2)协议规定了标签的“块写”命令,但没有具体的实现方法和流程,基于标准CMOS工艺的可擦写存储器也无法实现本功能。本发明在基于标准CMOS工艺的可擦写存储器性能基础上,结合18000-6C(EPC G2)协议,提出了“块写”命令的实现过程及标签和阅读器的交互过程,保证“块写”命令的可实现性,并给出相应的实现方法。

    一种基于深N阱结构的跨芯片保护环电路

    公开(公告)号:CN103887284B

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201210563690.2

    申请日:2012-12-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于深N阱(Deep Nwell)层跨芯片保护环(Sealring)的连接结构,这种连接结构在芯片跨划片槽传输信号的同时避免破坏本芯片的保护环(Sealring)。该器件包括埋于衬底中的深N阱(Deep Nwell),作为电阻两端的N阱(Nwell)、Ndiff(N+注入)、Metal(金属)。条带状的Deep Nwell通过与之接触的Nwell延伸至衬底表面,Nwell中的Ndiff与Metal形成欧姆接触,分别接外部信号线。

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