公开(公告)号：CN103915830A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201210595901.0

申请日：2012-12-28

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 刘晓艳 ,  马哲

IPC: H02H9/04

Abstract: 出于稳定电源的目的，芯片中可能会给需要稳定的电源连接放电通路，该放电通路能够在电源发生突然增大时，给电源放电，减弱或消除电源的异常变化，增强芯片的抗干扰和抗攻击能力。但是随之带来的问题是芯片的ESD性能可能会受到影响。本发明提出了一种提升芯片ESD性能的方法和电路，既保证了当电源向上突变时对电源的快速放电，又能够提升芯片的ESD性能。

公开(公告)号：CN102968655B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201110255705.4

申请日：2011-08-31

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 刘晓艳 ,  马哲 ,  王延斌 ,  王小宁 ,  张建平

IPC: G06K19/077

Abstract: 为了获得更快的交易速度，非接触卡芯片常常希望工作在更高的时钟频率。然而非接触卡工作在不同场强下时，能够获取的最大功率是不同的。场强越大，芯片能够获得的最大功率也越大，能够支持的工作频率越高。因此需要根据场强来选择非接触卡芯片的工作频率。本发明提供一种根据芯片放电电流和电源电压选择芯片工作频率的方法，保证芯片尽可能工作在较高的频率，而且不会出现工作频率升高导致的芯片复位和反复升降工作频率的现象。