-
公开(公告)号：CN101101890A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710137953.2
申请日：2007-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76846
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法及由此制造的半导体器件。该制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成栅电极；在所述半导体衬底中形成源/漏区域使得源/漏区域位于每个所述栅电极的两侧；通过在形成有栅电极和源/漏区域的半导体衬底上蒸镀镍或镍合金且然后对镍或镍合金进行热处理，在所述栅电极和所述源/漏区域表面上形成镍硅化物层；在执行上述工艺后获得的表面上形成层间绝缘层，该层间绝缘层形成有接触孔，所述镍硅化物层的表面通过所述接触孔暴露；通过蒸镀难熔金属保形地沿着所述接触孔形成欧姆层，该难熔金属在500℃或更高的温度转化为硅化物；保形地沿着所述接触孔在所述欧姆层上形成扩散阻挡层；以及通过在所述接触孔中填埋金属材料而形成金属层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111816660B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202010272722.8
申请日：2020-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：包括交替堆叠的栅结构和第一电介质图案的堆叠结构；穿透堆叠结构的垂直沟道；以及从垂直沟道和第一栅结构之间延伸到垂直沟道和第一电介质图案之间的电荷存储层。栅结构包括具有彼此面对且具有不同宽度的顶表面和底表面的第一栅结构。电荷存储层包括在垂直沟道与第一栅结构之间的第一段以及在垂直沟道与第一电介质图案之间的第二段。第一段的厚度大于第二段的厚度。每个第一栅结构的顶表面的宽度和每个第一栅结构的底表面的宽度中的一个与在该第一栅结构上的第一电介质图案的宽度相同。
-
公开(公告)号：CN116057965A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180057330.2
申请日：2021-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W4/02
Abstract: 公开了一种用于提供电子装置的位置确认服务的方法以及支持其的装置。电子装置可以包括：位置测量电路；第一无线通信电路；第二无线通信电路；以及至少一个处理器。至少一个处理器可以：接收包括第一外部装置的标识信息和多跳计数的第一通告分组；在多跳计数为第一值时获得电子装置的位置信息；向服务器发送包括标识信息和位置信息的信号；以及广播第二通告分组，该第二通告分组包括第一外部装置的标识信息和具有从第一值增大的第二值的多跳计数。通过说明书识别的各种其他实施例也是可能的。
-
公开(公告)号：CN101928548A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010215469.9
申请日：2010-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J4/02 , G02F1/1339
CPC classification number: G02F1/1339
Abstract: 本发明涉及密封剂、具有其的显示装置及制造该显示装置的方法。所述密封剂包含固化树脂和具有肟酯化合物或2，4，6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦化合物的光引发剂。显示装置包括具有显示区域的第一基板、与第一基板相对的第二基板、介于第一基板和第二基板之间的液晶层、和与第一基板和第二基板接触以使第一基板和第二基板彼此结合的密封图案。密封图案可包含具有肟酯化合物或2，4，6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦化合物的光引发剂。在制造显示装置的方法中，沿着第一基板的周边部分涂覆所述密封剂以形成密封图案。将液晶滴在第一基板上。在第一基板上设置与第一基板相对的第二基板。使密封图案固化以使第一基板和第二基板彼此结合。
-
公开(公告)号：CN116057979A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180057067.7
申请日：2021-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W8/08
Abstract: 公开了一种提供电子装置定位服务的方法和支持该方法的装置。该电子装置可以包括第一无线通信电路、第二无线通信电路和至少一个处理器。该至少一个处理器可以：当从外部装置接收到通告数据包时，确定多个可访问的服务器中与通告数据包中包括的国家信息相对应的第一服务器；以及从第一服务器获得与外部装置相对应的公钥，以便对电子装置的位置信息进行加密，并向第一服务器发送加密后的位置信息。此外，通过本文件识别出的各种实施例是可能的。
-
公开(公告)号：CN111816660A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010272722.8
申请日：2020-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：包括交替堆叠的栅结构和第一电介质图案的堆叠结构；穿透堆叠结构的垂直沟道；以及从垂直沟道和第一栅结构之间延伸到垂直沟道和第一电介质图案之间的电荷存储层。栅结构包括具有彼此面对且具有不同宽度的顶表面和底表面的第一栅结构。电荷存储层包括在垂直沟道与第一栅结构之间的第一段以及在垂直沟道与第一电介质图案之间的第二段。第一段的厚度大于第二段的厚度。每个第一栅结构的顶表面的宽度和每个第一栅结构的底表面的宽度中的一个与在该第一栅结构上的第一电介质图案的宽度相同。
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.045 seconds)
