公开(公告)号：CN1322105C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200510067052.1

申请日：2005-04-27

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  关东化学株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  铃木达也 ,  大和田拓央 ,  池上薰 ,  石川典夫

IPC: C11D7/32 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/426

Abstract: 制造半导体器件的方法在衬底上形成的镍硅化物层上形成层间绝缘膜，并通过使用在层间绝缘膜上形成的光致抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻来形成通孔，然后通过灰化除去光致抗蚀剂图形。使用由具有1.0到5.0质量百分比的含氟化合物的含量、0.2到5.0质量百分比的螯合剂的含量和0.1到3.0质量百分比的有机酸盐的含量的水溶液组成的清洗液来清洗灰化工艺之后的晶片。

公开(公告)号：CN1733879A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510091415.5

申请日：2005-08-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  关东化学株式会社

Inventor： 富田宽 ,  山田裕司 ,  山田浩玲 ,  石川典夫 ,  阿部优美子

IPC: C11D7/36 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D7/08 ,  C11D7/34 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明开发一种洗涤液，其不蚀刻硅基板以及玻璃基板，且对由氧化铝粒子、二氧化硅粒子或者氮化硅粒子组成的粒子的除去能力高，还能够除去金属污染。本发明的半导体基板洗涤液组合物含有选自1分子中具有至少2个或更多个磺酸基的化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水。本发明的半导体基板的洗涤方法包括第一工序和第二工序，其中，所述第一工序是用含有具有磺酸基的高分子化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水的半导体基板洗涤液组合物洗涤半导体基板，所述第二工序是继第一工序之后，用纯水或溶解有臭氧气体的臭氧水或过氧化氢水洗涤所述半导体基板。

公开(公告)号：CN1542110A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410033493.5

申请日：2004-04-09

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 阿部优美子 ,  石川典夫

IPC: C11D7/26 ,  H01L21/08

CPC classification number: C11D7/5022 ,  C11D7/263 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02093

Abstract: 本发明涉及一种洗涤液，其具有从裸硅表面、Low－K膜这样的疏水性表面将粒子除去的高粒子去除能力。本发明通过在诸如草酸的有机酸的水溶液中组合特定的有机溶剂，使洗涤液与疏水性表面的润湿性提高。

公开(公告)号：CN1439701A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN03103788.7

申请日：2003-02-19

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 阿部优美子 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  富盛浩昭 ,  笠间佳子

IPC: C11D1/83 ,  H05K3/26

CPC classification number: C11D3/2082 ,  C11D1/004 ,  C11D1/22 ,  C11D1/24 ,  C11D1/345 ,  C11D1/72 ,  C11D3/2086 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明该洗净液组合物提供一种可以有效地除去疏水性基板表面的粒子和金属而不腐蚀该疏水性基板。该洗净液组合物用于在其上滴下水时的表面接触角是70度以上的半导体基板，并含有脂肪族多元羧酸类和表面活性剂，其中当该组合物滴下在前述半导体基板上时的接触角变成50度以下。

公开(公告)号：CN1271000A

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：CN00106046.5

申请日：2000-04-20

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  阿部优美子 ,  森清人

IPC: C11D1/00 ,  C11D3/20 ,  H01L21/461

CPC classification number: H05K3/26 ,  C11D3/2075 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H05K2201/0761 ,  H05K2203/122

Abstract: 本发明提供不腐蚀金属、能够高效率地同时去除基板表面的金属杂质和颗粒的洗净液。作为洗净电子材料用基板的洗净液,它含有分散剂和表面活性剂中的至少任一种及有机酸化合物。

公开(公告)号：CN1210886A

公开(公告)日：1999-03-17

申请号：CN98116270.3

申请日：1998-08-10

Applicant: 关东化学株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  森清人 ,  青木秀充

IPC: C11D9/30

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3245 ,  C11D11/0047 ,  H05K3/26

Abstract: 提供一种不腐蚀金属、可以容易地去除基板表面的金属杂质的洗涤液,即在环境负荷、保存性等方面没有问题的、布设了金属配线后的基板洗涤用的洗涤液。布设了金属配线后的基板洗涤用洗涤液,其特征在于含有草酸、草酸铵、多氨基羧酸类中至少一种。

公开(公告)号：CN101649202B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN200910164091.1

申请日：2009-08-10

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 村上豊 ,  石川典夫

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/02

Abstract: 本发明是有关于一种透明导电膜用腐蚀液组合物，其在液晶显示器等使用的ITO膜等的透明导电膜用腐蚀处理中草酸铟析出是很少的。通过含有草酸和、碱性化合物(其中三乙醇胺除外)的透明导电膜用腐蚀液组合物，在透明导电膜腐蚀工序中即使腐蚀液中的铟的浓度很高也可以有效地防止草酸铟的析出。

公开(公告)号：CN101319172B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200810108312.9

申请日：2008-06-06

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫

IPC: C11D7/32 ,  C09K13/06 ,  H01L21/302

CPC classification number: C11D3/26 ,  C03C15/00 ,  C03C23/0075 ,  C09K13/06 ,  C11D3/044 ,  C11D3/30 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明提供一种为碱水溶液、没有金属杂质的附着、进而具有洗涤能力的水溶液组合物。其是一种用于基板的洗涤或蚀刻的水溶液组合物，其含有由通式(1)所示的螯合剂及碱成分，通式(1)中，R是任意的1个或2个以上的氢可以被相同或不同的取代基取代的碳原子数为2～6的亚烷基、1，2-亚环己基或1，2-亚苯基；环A及B是任意的1个或2个以上的氢可以被相同或不同的取代基取代的苯环；其中，取代基选自由碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的链烯基、碳原子数为1～10的炔基、碳原子数为1～10的酰基、碳原子数为1～10的烷氧基、苯基、苄基、萘基、羧基、磺酸基、氰基、羟基、巯基、氨基、卤素及硝基组成的组。

公开(公告)号：CN1320088C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200410098311.2

申请日：2004-12-03

Applicant: 关东化学株式会社 ,  三洋电机株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  木野村芳孝 ,  泥谷秀树

IPC: C11D7/50 ,  H05B33/12

CPC classification number: C11D7/5004

Abstract: 本发明提供一种可以用1种清洗液去除附着在低分子型有机EL元件制造的真空蒸镀工序中掩模上的各种有机材料的清洗液以及清洗方法。本发明的所述清洗液含有1种或2种或以上的非质子性极性溶剂。

公开(公告)号：CN1706925A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510075587.3

申请日：2005-06-06

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社东芝 ,  关东化学株式会社

Inventor： 村松真文 ,  浅田和己 ,  萩野友纪乃 ,  奥山敦 ,  中岛崇人 ,  高濑和彦 ,  鱼住宜弘 ,  松村刚 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: C11D3/24 ,  H01L21/302 ,  G03F7/42

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/245 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  C23G1/24 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76811

Abstract: 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。