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公开(公告)号：CN206022372U
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201621077243.6
申请日：2016-09-23
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/10 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型涉及一种电流增强型静电感应晶体管(SIT)。本实用新型的晶体管包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元，其特征是位于高阻外延层内、沟道下方有一层低阻隐埋层。本实用新型的器件通过引入隐埋层，有效提高了漏-源偏压对沟道势垒的控制效率，从而提高了器件的输出电流和其他输出特性，是一种能同时适用于N沟道SIT和P沟道SIT增强电流的有效方法。
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