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公开(公告)号：CN204632764U
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201520230938.2
申请日：2015-04-16
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/08 , H01L21/335
Abstract: 本实用新型涉及一种表面栅型静电感应晶体管(SIT)。本实用新型的晶体管由：漏极、位于漏极之上的N+低阻单晶的衬底、位于N+低阻单晶的衬底之上的N-高阻外延层和位于N-高阻外延层内的相互并联的多个SIT单元并联而构成，其中的有源区采用短沟道设计。本实用新型的器件降低了栅体自身的压降，增加了栅控灵敏度，提高了器件跨导，同时栅源面积减小，降低栅源寄生电容，增大SIT工作频率。相对于现有技术，本实用新型的短沟道设计取得了彻底的革命性的改进。
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