一种SiC MOSFET仿真建模方法及系统
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114564906A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202210173729.3

    申请日:2022-02-24

    IPC分类号: G06F30/367 G06F111/10

    摘要: 本发明公开了一种SiC MOSFET仿真建模方法及系统,方法包括:采用等效电路建模方法构建SiC MOSFET器件的动静态模型原理图;根据测试数据中的转移特性和输出特性,对压控电流源参数进行拟合提取;根据测试数据中电容‑漏源电压特性,对电容参数进行拟合提取;根据测试数据中体二极管特性,对体二极管参数进行拟合提取;对进行参数拟合提取后的动静态模型进行仿真测试,并根据仿真测试结果,判断当前模型拟合度是否符合要求,若不符合要求,则返回“根据器件测试数据中的转移特性和输出特性,对压控电流源参数进行拟合提取”的步骤,直至仿真测试结果符合要求为止,从而针对SiC MOSFET特性构建较为准确的仿真模型,来描述器件物理特性,指导高压SiC MOSFET在工程中的应用。

    一种有源钳位保护电路
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114069562A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111368143.4

    申请日:2021-11-18

    IPC分类号: H02H7/12

    摘要: 本发明提供的一种有源钳位保护电路,包括:待保护器件、钳位电路及下拉电路,其中,待保护器件的漏极与钳位电路的一端连接,待保护器件的栅极分别与外部控制电路及下拉电路的第一端连接,待保护器件的源极与下拉电路的第二端连接后接地,下拉电路的控制端与钳位电路的另一端连接;通过设置钳位电路及下拉电路,在待保护器件漏源极两端电压超过预设阈值时,触发钳位电路导通,吸收漏源极间峰值电压,并控制下拉电路导通,下拉电路将待保护器件的栅极电压拉低,强行关断待保护器件。既降低了待保护器件两端电压尖峰,又可以避免由于有源钳位动作导致待保护器件二次导通。