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公开(公告)号：CN104603910B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201380045827.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/26533 , H01L21/31105
Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其具有如下工序：在贴合前，至少在接合晶圆的整个表面形成绝缘膜，在保护接合晶圆的与贴合面相反侧的背面的绝缘膜的同时，通过使在离子注入层剥离接合晶圆之前的贴合晶圆接触可溶解绝缘膜的液体，或者暴露在可溶解绝缘膜的气体中，将位于接合晶圆与基底晶圆之间的绝缘膜从贴合晶圆的外周端向中心方向蚀刻。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，其在接合晶圆上形成绝缘膜进行贴合时，在控制平台的宽度，并防止产生SOI岛的同时，能够抑制擦痕及SOI膜厚分布异常。
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公开(公告)号：CN104620384B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201380047666.6
申请日：2013-10-11
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/26506 , H01L21/31111
Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，在由半导体单晶基板构成的接合晶圆上形成氧化膜，通过该氧化膜将氢气及稀有气体中至少一种气体离子进行离子注入，在所述接合晶圆上形成离子注入层，在将该接合晶圆进行了离子注入的表面与基底晶圆表面通过所述氧化膜进行贴合后，在所述离子注入层剥离所述接合晶圆，由此制作SOI晶圆，其中，将形成在所述接合晶圆上的氧化膜设为贴合面的背面的氧化膜厚于贴合面的氧化膜。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，其能够抑制在通过离子注入剥离法剥离的情况下产生的由于SOI晶圆与剥离后的接合晶圆的翘曲形状而导致产生的擦痕或SOI膜厚异常。
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公开(公告)号：CN105264641A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480028918.5
申请日：2014-03-25
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02329 , H01L21/187 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/6835 , H01L27/1203
Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，具有对剥离构成贴合晶圆的接合晶圆后的贴合晶圆，在含氢气氛下进行RTA处理后，进行牺牲氧化处理来减薄所述薄膜的工序，并且，在将所述RTA处理的保持开始温度设为比1150℃高的温度且将所述RTA处理的保持结束温度设为1150℃以下的条件下，进行所述RTA处理。由此，提供一种贴合晶圆的制造方法，其组合RTA处理与牺牲氧化处理，在进行贴合晶圆的薄膜表面的平坦化和薄膜减薄化时，能够抑制BMD密度增加且能够使薄膜表面充分平坦化。
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公开(公告)号：CN104620384A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380047666.6
申请日：2013-10-11
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/26506 , H01L21/31111
Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，在由半导体单晶基板构成的接合晶圆上形成氧化膜，通过该氧化膜将氢气及稀有气体中至少一种气体离子进行离子注入，在所述接合晶圆上形成离子注入层，在将该接合晶圆进行了离子注入的表面与基底晶圆表面通过所述氧化膜进行贴合后，在所述离子注入层剥离所述接合晶圆，由此制作SOI晶圆，其中，将形成在所述接合晶圆上的氧化膜设为贴合面的背面的氧化膜厚于贴合面的氧化膜。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，其能够抑制在通过离子注入剥离法剥离的情况下产生的由于SOI晶圆与剥离后的接合晶圆的翘曲形状而导致产生的擦痕或SOI膜厚异常。
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