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公开(公告)号：CN107078187B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201580056613.X
申请日：2015-10-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/306 , H01L33/30
Abstract: 本发明提供一种发光组件以及发光组件的制造方法，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含有第二半导体层、活性层及第一半导体层，其中发光组件具有除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层上的第一奥姆电极、及设置于除去部的窗层兼支持基板上的第二奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的外周部除外的表面以及窗层兼支持基板的表面为经粗糙化，且发光部侧面的Rz为未满2μm。因此使漏电不良或ESD不良的发生受到抑制。
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公开(公告)号：CN107735870A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680037656.8
申请日：2016-08-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/306 , H01L33/30
Abstract: 本发明提供一种发光组件，具有经除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层的表面上的一第一欧姆电极、以及设置于除去部的窗层兼支持基板的表面上的一第二欧姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部分以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面上的第一欧姆电极的形成部以外、窗层兼支持基板的表面上除去部中的第二欧姆电极的形成部以外、以及窗层兼支持基板的侧面及内面经表面粗糙化。因此，能以对发光部与窗层兼支持基板的较多的区域予以表面粗糙化来提升发光组件的外部量子效率。
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公开(公告)号：CN119908184A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380066636.3
申请日：2023-07-10
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种微型LED特性评价用晶圆，其特征在于，具有：GaAs基板；所述GaAs基板上的一边为100μm以下的微型LED；与所述微型LED邻接的焊垫台部；所述微型LED和所述焊垫台部上的上部电极焊垫；及所述微型LED附近的所述GaAs基板上的下部电极焊垫，其中，所述微型LED与所述焊垫台部经由绝缘部连结。由此，提供一种微型LED特性评价用晶圆，其能够在保持外延片状态的情形下形成微型LED尺寸的组件来评价通电特性，且能够在环境试验下不会断线的情形下进行瞬时特性评价。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109643744B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201780045605.4
申请日：2017-06-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。
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公开(公告)号：CN107735870B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201680037656.8
申请日：2016-08-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/306 , H01L33/30
Abstract: 本发明提供一种发光组件，具有经除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层的表面上的一第一欧姆电极、以及设置于除去部的窗层兼支持基板的表面上的一第二欧姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部分以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面上的第一欧姆电极的形成部以外、窗层兼支持基板的表面上除去部中的第二欧姆电极的形成部以外、以及窗层兼支持基板的侧面及内面经表面粗糙化。因此，能以对发光部与窗层兼支持基板的较多的区域予以表面粗糙化来提升发光组件的外部量子效率。
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公开(公告)号：CN110534625A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910880386.2
申请日：2016-08-15
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光组件，具有经除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层的表面上的一第一欧姆电极、以及设置于除去部的窗层兼支持基板的表面上的一第二欧姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部分以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面上的第一欧姆电极的形成部以外、窗层兼支持基板的表面上除去部中的第二欧姆电极的形成部以外、以及窗层兼支持基板的侧面及内面经表面粗糙化。因此，能以对发光部与窗层兼支持基板的较多的区域予以表面粗糙化来提升发光组件的外部量子效率。
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公开(公告)号：CN109643744A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780045605.4
申请日：2017-06-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。
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公开(公告)号：CN107851699A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042450.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种发光组件的安装方法，于起始基板上，以起始基板相晶格匹配系材料，通过磊晶成长依序形成第一半导体层、活性层、第二半导体层及缓冲层；于缓冲层上，以对于起始基板为非晶格匹配系材料，通过磊晶成长形成窗层兼支承基板；去除起始基板；于第一半导体层上形成第一欧姆电极；于部分形成露出第二半导体层、缓冲层或窗层兼支承基板的除去部而设置段差；于除去部形成第二欧姆电极；分离形成有第一及第二欧姆电极的发光组件而制作发光组件芯片，以及于安装基板覆晶安装发光组件芯片，使发光组件芯片的形成第一及第二欧姆电极侧为安装基板侧。
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