公开(公告)号：CN105531082A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480049857.0

申请日：2014-09-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 上野淳一 ,  佐藤三千登 ,  石井薰

IPC: B24B37/00 ,  B24B53/02 ,  B24B53/12 ,  B24D3/00 ,  B24D7/06 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B53/017 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明是一种修整装置，其使钻石磨粒压抵且滑动接触至用于研磨的发泡聚胺酯垫，来修整用于研磨的发泡聚胺酯垫，其特征在于：钻石磨粒被支撑在台座上，被该台座支撑的钻石磨粒具有多种粒度号数，该多种粒度号数的钻石磨粒是由粒度号数在#170以上的高粒度号数的钻石磨粒与在#140以下的低粒度号数的钻石磨粒构成，并以使多种粒度号数的钻石磨粒各自与发泡聚胺酯垫接触的修整面的高度位置在同一平面上的方式，被支撑在台座上。由此，提供一种修整装置，其在不闭塞发泡聚胺酯垫的发泡孔的情况下，利用一次的修整就能将表面充分地粗化，并能够缩短修整时间且能够设定较长的修整间隔，从而能够抑制生产率降低。

公开(公告)号：CN102625741B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201080025296.2

申请日：2010-06-22

Applicant: 富士纺控股公司 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 系山光纪 ,  高桥大介 ,  上野淳一 ,  小林修一

IPC: B24B37/24 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D3/32 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明提供了一种研磨垫，其能够提高对研磨液的亲和性，以谋求研磨性能的安定化。研磨垫10具备有胺基甲酸乙酯薄片2。胺基甲酸乙酯薄片2具有为了对被研磨物进行研磨加工的研磨面P。胺基甲酸乙酯薄片2是以干式成型法加以形成，是将混合有含异氰酸酯基化合物、水、整泡剂以及聚胺化合物的混合液反应硬化而成的聚胺基甲酸乙酯发泡体切片而形成的。在胺基甲酸乙酯薄片2内部，大致均等分散地形成有发泡3。在研磨面P上，则形成有发泡3的一部分开口的开孔4。在胺基甲酸乙酯薄片2内部，紧密形成的发泡3是以连通孔9相连通，当从研磨面P侧观察时，是以800个／cm2以上的比例形成连通孔9。研磨液则是通过连通孔9、发泡3而得以移动。

公开(公告)号：CN102625741A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201080025296.2

申请日：2010-06-22

Applicant: 富士纺控股公司 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 系山光纪 ,  高桥大介 ,  上野淳一 ,  小林修一

IPC: B24B37/24 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D3/32 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明提供了一种研磨垫，其能够提高对研磨液的亲和性，以谋求研磨性能的安定化。研磨垫10具备有胺基甲酸乙酯薄片2。胺基甲酸乙酯薄片2具有为了对被研磨物进行研磨加工的研磨面P。胺基甲酸乙酯薄片2是以干式成型法加以形成，是将混合有含异氰酸酯基化合物、水、整泡剂以及聚胺化合物的混合液反应硬化而成的聚胺基甲酸乙酯发泡体切片而形成的。在胺基甲酸乙酯薄片2内部，大致均等分散地形成有发泡3。在研磨面P上，则形成有发泡3的一部分开口的开孔4。在胺基甲酸乙酯薄片2内部，紧密形成的发泡3是以连通孔9相连通，当从研磨面P侧观察时，是以每单位面积800个/cm2以上的比例形成连通孔9。研磨液则是通过连通孔9、发泡3而得以移动。