公开(公告)号：CN1461496A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN02801275.5

申请日：2002-04-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 横川功 ,  中野正刚 ,  三谷清

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/76254

Abstract: 根据本发明，提供一种贴合基板的制造方法，是针对至少具有将2枚的基板接合的工序、及对该接合后的基板给予热处理使其强固地结合的工序之形态的贴合基板的制造方法，其特征为：至少在接合前述基板之前，进行除去该基板表面的污染物质的洗净工序，接着，进行使洗净后的基板表面干燥的工序；该干燥工序不使用水置换法，而通过在接合前的基板上，残留水分，来提高基板接合后的接合强度。通过此手段，提供一种贴合基板的制造方法，以高生产性和高良率，制造出可以提高接合基板的接合界面的接合强度，在结合热处理后的贴合基板的结合界面，没有空洞不良或气泡不良等的基板。

公开(公告)号：CN101331585A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680047234.5

申请日：2006-11-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 三谷清

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是提供一种贴合基板的制造方法，是贴合有源层用晶圆与支撑基板用晶圆而成的贴合基板的制造方法，其特征是具备：第一制程，是在前述有源层用晶圆的表面，沿着外周部，在整个圆周的内侧，设置沟槽；第二制程，是以设置有前述沟槽的面作为贴合面，来贴合前述有源层用晶圆与前述支撑基板用晶圆；及第三制程，是将前述有源层用晶圆薄膜化，并除去前述有源层用晶圆的沟槽外侧的未结合部分。以此，能提提供一种贴合基板的制造方法，在薄膜化有源层用晶圆时，能够将制程简略化，且能够防止破裂或缺损、产生灰尘等，并能够管理有源层用晶圆的边缘部的形状。

公开(公告)号：CN1271721C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN02801275.5

申请日：2002-04-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 横川功 ,  中野正刚 ,  三谷清

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/76254

Abstract: 根据本发明，提供一种贴合基板的制造方法，是针对至少具有将2枚的基板接合的工序、及对该接合后的基板给予热处理使其强固地结合的工序之形态的贴合基板的制造方法，其特征为：至少在接合前述基板之前，进行除去该基板表面的污染物质的洗净工序，接着，进行使洗净后的基板表面干燥的工序；该干燥工序不使用水置换法，而通过在接合前的基板上，残留水分，来提高基板接合后的接合强度。通过此手段，提供一种贴合基板的制造方法，以高生产性和高良率，制造出可以提高接合基板的接合界面的接合强度，在结合热处理后的贴合基板的结合界面，没有空洞不良或气泡不良等的基板。

公开(公告)号：CN1465104A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN02802464.8

申请日：2002-07-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  富泽进一 ,  三谷清

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明涉及一种贴合晶片的制造方法，通过离子注入剥离法制造贴合晶片，该离子注入剥离法至少具有下列工序，即，将具有通过气体离子注入形成了微小气泡层的结合晶片与作为支持基板的基晶片进行接合的工序、及以上述微小气泡层为界剥离结合晶片从而在基晶片上形成薄膜的工序；其特征是：在剥离前述结合晶片后的贴合晶片上，在惰性气体、氢气、或这些气体的混合气体环境下施行热处理，然后对该贴合晶片施行热氧化，在前述薄膜表面形成热氧化膜，且除去该热氧化膜，由此减少前述薄膜的厚度。由此提供一种贴合晶片的制造方法，能在维持利用离子注入剥离法制造的贴合晶片的薄膜的膜厚均一性的同时，确实除去表面的损伤或缺陷，且能充分适用于量产技术。