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公开(公告)号：CN116478617A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310058295.7
申请日：2023-01-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09D179/08 , C08G73/10 , H01L23/29 , H01L21/56 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及对于碱性过氧化氢水的保护膜形成组成物、半导体装置制造用基板、保护膜的形成方法。本发明的课题为提供一种使用了含有酰亚胺基的聚合物的保护膜形成组成物，其能形成不只是耐热性、基板上形成的图案的填埋、平坦化特性优异，对于基板的密合性亦为良好的保护膜，且能形成具备优良的碱性过氧化氢水耐性的保护膜。一种对于碱性过氧化氢水的保护膜形成组成物，含有(A)，是具有下列通式(1A)表示的含有至少1个以上的氟原子及羟基的重复单元且末端基团为下列通式(1B)及(1C)中的任一者表示的基团的聚合物；及(B)有机溶剂。式中，R1为下式(1D)表示的基团中的任一者，亦可将2种以上的R1组合使用。
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公开(公告)号：CN111995751B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010451030.X
申请日：2020-05-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G73/12 , C08J5/18 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法。课题为提供不仅在空气中，在钝性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且可形成对基板的密接性良好的有机下层膜的使用有含酰亚胺基团的聚合物的有机膜形成用组成物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法。解决方法为有机膜形成用材料，其含有(A)聚合物，具有式(1A)表示的重复单元且末端基团为式(1B)及(1C)中任一者表示的基团、及(B)有机溶剂。W1为4价有机基团，W2为2价有机基团。R1为式(1D)表示的基团中的任一者，也可组合使用2种以上的R1。
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公开(公告)号：CN114690555A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111600298.6
申请日：2021-12-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、以及图案形成方法及聚合物。本发明的课题是为了提供不损及树脂本身的碳含量且可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性的有机膜形成材料，以及提供使用了该有机膜形成材料的图案形成方法、及适于如此的有机膜形成材料的聚合物。该课题的解决手段为一种有机膜形成材料，其特征为含有：(A)具有下述通式(1)表示的重复单元的聚合物，及(B)有机溶剂；该通式(1)中，AR1、AR2、AR3及AR4为苯环或萘环，W1为具有至少1个以上的芳香环的碳数6～70的4价有机基团，W2为碳数1～50的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN113433796A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110308097.2
申请日：2021-03-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜形成方法、图案形成方法及有机膜形成用化合物。本发明的课题为提供不仅在空气中的成膜条件下会硬化而且即便在钝性气体中的成膜条件下也会硬化，并可形成不仅耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优异而且对于基板的密接性良好的有机膜的有机膜形成用化合物、及含有该化合物的有机膜形成用材料，提供使用了该材料的基板、有机膜形成方法及图案形成方法。解决该课题的手段为一种有机膜形成用材料，其含有(A)式(1A)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。式中，W1为4价有机基团，n1表示0或1的整数，n2表示1至3的整数，R1表示碳数2～10的炔基。
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公开(公告)号：CN107540491B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710387797.9
申请日：2017-05-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种糖醇化合物的金属低减法，所述方法用于得到能够适用于半导体装置制造工序的品质的糖醇化合物。所述糖醇化合物的金属低减法包含：(A)使用保护基团，保护含有作为杂质的金属的糖醇化合物的羟基的保护工序，(B)从上述羟基通过保护基团受到保护的糖醇化合物中，除去作为杂质的金属的金属除去工序，以及(C)对上述除去了金属的糖醇化合物的保护基团进行脱保护的脱保护工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109388021A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810863232.8
申请日：2018-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种可形成有机膜的有机膜形成用组合物，该有机膜能够通过使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地与已因干蚀刻而改性的硅成分残渣一并湿式去除。所述有机膜形成用组合物包含高分子化合物与有机溶剂，该高分子化合物具有由下述通式(1)～(4)表示的重复单元中的任意1种以上，在该有机溶剂中，选自丙二醇酯、酮及内酯中的1种以上的合计占超过全部有机溶剂中的30wt％的量。[化学式1]
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公开(公告)号：CN118259547A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311792811.5
申请日：2023-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题提供于使用高能射线的光学光刻中，感度及分辨度优良的非化学增幅抗蚀剂组成物，及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段是一种抗蚀剂组成物，包含下式(1)表示的超价碘化合物、含羧基的聚合物及溶剂，#imgabs0#式中，n是0～5的整数，R1及R2各自独立地为卤素原子、或也可含有杂原子的碳数1～10的烃基，又，R1及R2亦可互相键结并和它们所键结的碳原子及该碳原子间的原子一起形成环，R3是卤素原子、或也可含有杂原子的碳数1～40的烃基。
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公开(公告)号：CN111825596B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202010292123.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D403/14 , C07D207/404 , C07C233/75 , C07C39/17 , C08F22/40 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/027
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公开(公告)号：CN117590692A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311035093.7
申请日：2023-08-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及密合膜形成用组成物、图案形成方法、及密合膜的形成方法。本发明的课题为提供密合膜形成用组成物、使用该组成物的图案形成方法、及密合膜的形成方法，该密合膜形成用组成物提供于半导体装置制造步骤中微细图案化处理中，得到良好的图案形状，同时具有与抗蚀剂上层膜高的密合性且抑制微细图案的崩塌的密合膜。解决该课题的手段为一种密合膜形成用组成物，其用于形成抗蚀剂上层膜的正下的密合膜，其特征在于包含：(A)含有下列通式(1)表示的重复单元、及下列通式(2)表示的重复单元的高分子化合物，以及(B)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN113281964A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110190159.4
申请日：2021-02-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题是提供可形成溶剂耐性、耐热性、填埋特性、平坦化特性及图案形成能力优异的有机膜的有机膜形成用材料。一种有机膜形成用材料，含有以下列通式(1A)表示的结构作为部分结构的聚合物及有机溶剂。上述通式(1A)中，W1表示4价有机基团，W2表示单键或下式(1B)表示的连接基团，R1表示氢原子或碳数1～10的1价有机基团，n1表示0或1的整数，n2及n3满足0≤n2≤6及0≤n3≤6且1≤n2+n3≤6的关系。R2及R3各自独立地为氢、碳数为1～30个的有机基团，有机基团R2与有机基团R3亦可通过在分子内键结而形成环状有机基团。
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