公开(公告)号：CN1149594C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN98106910.X

申请日：1998-04-14

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  川崎重工业株式会社

Inventor： 大桥健 ,  河合正之

IPC: H01F7/02

CPC classification number: H01F7/0278 ,  H01F13/00 ,  H05H7/04

Abstract: 公开了一种用于Halbach型或混合型的插入装置的新颖的复合磁铁组件，本发明的磁铁块组件由多个对面放置的复合磁铁块组成，它们各自由一个单一的具有多条槽的基础磁铁块形成，在这些槽里插着镶嵌磁铁片或镶嵌磁极片，这样为改善磁场的规则性的沿磁铁块组件长度方向的尺寸精度要求大大下降。在Halbach型组件中的基础磁铁块与镶嵌磁铁片一样能用脉冲磁场在组装后被磁化。

公开(公告)号：CN117897357A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280059580.4

申请日：2022-08-26

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 大桥健 ,  田中秀二 ,  福冈宏文

IPC: C01B33/113 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48

Abstract: 本发明为一种一氧化硅粉末，其为由一氧化硅构成的一氧化硅粉末，其特征在于，在通过使用了Cu‑Kα射线的X射线衍射对该一氧化硅粉末进行测定而得到的X射线衍射光谱中，在2θ＝22°附近及2θ＝50°附近具有来自非晶相的宽峰，另一方面在2θ＝28°附近不具来自硅的晶相的峰。由此，提供一种一氧化硅粉末，其为非晶形且歧化率低。

公开(公告)号：CN101299334A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810082933.4

申请日：2008-03-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 大桥健

IPC: G11B5/73 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/82 ,  G11B5/7315 ,  G11B5/8404

Abstract: 本发明涉及磁记录介质用硅衬底及其制造方法。在粗研磨后的多晶硅衬底表面涂布含有硅酮类材料或有机二氧化硅的液剂，得到遮蔽台阶或晶粒间界的平滑薄膜之后，在适当的温度下对该薄膜进行热处理而使有机成分气化挥散，由此形成SiO2膜，对该SiO2膜进行CMP研磨等精密研磨，从而提高衬底的平坦性。由此，不受多晶晶粒的晶向不同及晶粒间界存在的影响，可以得到平坦且平滑的表面(波纹度和微波纹度的均方值均为0.3nm以下)。由此得到的磁记录介质用Si衬底，具有充分的耐冲击性，不会使加工工艺或磁记录层的成膜工艺复杂化，表面平坦性优良，并且可以降低成本。

公开(公告)号：CN1577511A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410071639.5

申请日：2004-07-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 石井政利 ,  津森俊宏 ,  大桥健

IPC: G11B5/84

CPC classification number: G11B5/8404

Abstract: 提供了一种用于制造磁记录介质的优选为小直径衬底的高效方法。更具体地说，提供了一种用于制造磁记录介质的衬底的方法，包括：取芯步骤，以从其直径至少为150mm至多为300mm的单晶硅晶片获得其外径至多为65mm的多个环形衬底，其中，内径和外径的取芯通过不同的方式来进行。在所述取芯步骤中，所述的内径取芯是通过水注切割或激光切割来进行的。