公开(公告)号：CN108074976B

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201711112450.X

申请日：2017-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  小泉正树 ,  佐野正树 ,  洪锡亨

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/285 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种TiN系膜及其形成方法，该TiN系膜即便薄膜化也能够作为阻挡膜保持高阻挡性，或者能够作为栅极金属抑制阈值电压的偏差。TiN系膜(201)由氧含量为50at％以上的TiON膜(202)和TiN膜(203)在基板(200)上交替叠层而成的叠层膜形成。TiON膜(202)和TiN膜(203)通过ALD法成膜。

公开(公告)号：CN106952894B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201611191916.5

申请日：2016-12-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  小泉正树 ,  佐野正树 ,  洪锡亨

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够同时达到对于氟酸的耐性高并且对于由氧系气体导致的压力变化小的DRAM电容器的下部电极。其解决方法为，一种在DRAM电容器中设置在电介体膜的下层并且由TiN系材料构成的下部电极204，上述下部电极由具有设置在两个外侧的氧浓度相对低的两层的第一TiON膜241、在它们的内侧各自形成的氧浓度相对高的第二TiON膜242和设置在第二TiON膜242的内侧的成为中心层的TiN膜243的5层的叠层结构而成。

公开(公告)号：CN106952894A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611191916.5

申请日：2016-12-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  小泉正树 ,  佐野正树 ,  洪锡亨

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够同时达到对于氟酸的耐性高并且对于由氧系气体导致的压力变化小的DRAM电容器的下部电极。其解决方法为，一种在DRAM电容器中设置在电介体膜的下层并且由TiN系材料构成的下部电极204，上述下部电极由具有设置在两个外侧的氧浓度相对低的两层的第一TiON膜241、在它们的内侧各自形成的氧浓度相对高的第二TiON膜242和设置在第二TiON膜242的内侧的成为中心层的TiN膜243的5层的叠层结构而成。