公开(公告)号：CN101246663A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200710196049.9

申请日：2001-09-21

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 西村三千代 ,  笹栗大助 ,  野村和司

IPC: G09G3/22 ,  H01J3/02 ,  H04N5/70

CPC classification number: H01J3/022 ,  G09G3/22 ,  G09G2320/02 ,  G09G2320/0238 ,  H04N5/70

Abstract: 本发明公开的是：一种驱动电子发射装置、电子源和成像装置的方法，电子源和成像装置的驱动电路以及一种电子源和成像装置，每个装置都能有效地终止电子发射。将电压(Vg－Vc)＞0施加给应当发射电子的处于驱动状态的电子发射装置，由此使电子发射装置发射出电子。将电压(Vg－Vc)＜0施加给不应当发射电子的处于终止状态的电子发射装置，由此使电子发射装置终止电子发射。通过这种方式，在终止状态的阴极电极与栅电极之间形成的电场变得与驱动状态中二者之间形成的电场相反，由此容易地削弱了指向阳极电极的电场，并有效地抑制了终止状态中的电子发射。

公开(公告)号：CN100390920C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN01145682.5

申请日：2001-09-21

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 西村三千代 ,  笹栗大助 ,  野村和司

IPC: H01J1/30 ,  H01J31/12 ,  G09G3/20

CPC classification number: H01J3/022 ,  G09G3/22 ,  G09G2320/02 ,  G09G2320/0238 ,  H04N5/70

Abstract: 本发明公开的是：一种驱动电子发射装置、电子源和成像装置的方法，电子源和成像装置的驱动电路以及一种电子源和成像装置，每个装置都能有效地终止电子发射。将电压(Vg-Vc)＞0施加给应当发射电子的处于驱动状态的电子发射装置，由此使电子发射装置发射出电子。将电压(Vg-Vc)＜0施加给不应当发射电子的处于终止状态的电子发射装置，由此使电子发射装置终止电子发射。通过这种方式，在终止状态的阴极电极与栅电极之间形成的电场变得与驱动状态中二者之间形成的电场相反，由此容易地削弱了指向阳极电极的电场，并有效地抑制了终止状态中的电子发射。

公开(公告)号：CN1084040C

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN95121796.8

申请日：1995-11-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 西村三千代 ,  野村一郎 ,  坂野嘉和 ,  冢本健夫 ,  宫田浩克 ,  高田一广

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J9/027 ,  H01J2201/3165

Abstract: 一种制造由一对电极和包括设置在电极之间的电子发射区的导电薄膜构成的电子发射器件的方法，其特征在于用如下步骤制造电子发射区：改变导电薄膜区域的组分和使电流流过所说的导电薄膜。

公开(公告)号：CN1195874A

公开(公告)日：1998-10-14

申请号：CN97120856.5

申请日：1997-12-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 西村三千代 ,  河出一佐哲 ,  宫崎和也

IPC: H01J1/30 ,  H01J29/46 ,  H01J31/12 ,  H01J9/02

CPC classification number: C03C21/002 ,  C03C17/06 ,  H01J1/316

Abstract: 含钠玻璃基片,具有改性表面,其上将要形成导电薄膜。改性表面由一层钠浓度小于玻璃基片本体的钠浓度的层构成,该层的钠含量与所有金属元素的比例不大于2%原子百分比。与玻璃基片的主体相比,改性表面上硫含量更低。