公开(公告)号：CN1532307A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410032371.4

申请日：2000-06-08

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎由希子 ,  西田彰志 ,  坂口清文 ,  浮世典孝

IPC: C25D11/02 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/02032 ,  C25D11/32 ,  C25D17/10 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/76259 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363

Abstract: 一种阳极化处理设备，包括，在用于阳极化处理的基片的周边部分，有与基片的背面接触的第一电极和与第一电极相对的第二电极，在它们之间插入基片；第一电极具有与第二电极大体相同的形式。该设备可用于以小力分离薄膜半导体层，所述薄膜半导体层几乎无裂、断或损，可高效率地制造高性能的产品。

公开(公告)号：CN1505174A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310114344.7

申请日：2000-07-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中川克己 ,  米原隆夫 ,  高井康好 ,  坂口清文 ,  浮世典孝 ,  岩根正晃 ,  岩崎由希子

IPC: H01L31/0256 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/76259 ,  H01L21/304 ,  Y10T156/1002 ,  Y10T156/1028 ,  Y10T156/1041 ,  Y10T156/1048 ,  Y10T156/1049

Abstract: 提供一种高品质的薄膜单晶太阳能电池组件，亦即耐久性和挠性优良的薄膜单晶太阳能电池组件和其生产方法。该薄膜单晶从衬底上的剥离是按照使根据薄膜单晶最容易劈裂的那些平面比如{111}的表象形成在薄膜单晶的表面的所有直线的方向，均不同于已剥离单晶前方线的方向的方式进行的。该薄膜单晶可用来生产太阳能电池和图象显示部件的驱动电路器件。具有挠性且包含有以薄膜单晶作为其至少一部分的光电元件的太阳能电池组件，是按照使组件固有的容易弯曲的方向不同于薄膜单晶最容易劈裂的方向的方式制造的。

公开(公告)号：CN1305763C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN03804814.0

申请日：2003-02-21

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 水谷匡希 ,  石原俊一 ,  中川克己 ,  佐藤宏 ,  吉野豪人 ,  西田彰志 ,  浮世典孝 ,  岩根正晃 ,  岩崎由希子

IPC: C01B33/02 ,  H01L31/04

Abstract: 提供了一种多晶硅衬底的制备方法，这种多晶硅具有作为太阳能电池衬底的优异特性。切割通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)，使多晶硅衬底(13)的主表面(14)的法线与通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)的晶粒(11)的纵向基本上垂直。

公开(公告)号：CN1151543C

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN99111393.4

申请日：1999-07-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩根正晃 ,  中川克己 ,  西田彰志 ,  浮世典孝 ,  岩崎由希子 ,  水谷匡希

IPC: H01L21/208 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1876 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 晶体硅层外延生长在表面具有多孔硅层的衬底上。通过液相外延进行外延生长时，硅材料溶入高温的熔融液中，然后把将进行外延的硅衬底浸入熔融液中。然后，其温度逐渐降低，由此从熔融液沉积的硅在硅衬底上外延生长。在这个处延中，主平面是(111)平面的衬底被用作硅衬底。这提供了一种晶体硅层在多孔硅层上外延生长而不引起任何非正常生长的过程，该过程的晶体硅层完全覆盖多孔硅层。

公开(公告)号：CN1495915A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN200310114912.3

申请日：1999-07-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩根正晃 ,  中川克已 ,  西田彰志 ,  浮世典孝 ,  岩崎由希子 ,  水谷匡希

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1876 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光电转换元件，包括从光入射侧提供的抗反射层、硅层和电极，其中硅层都是外延硅层，并且其中硅层包括从光入射侧提供的n+层和p－层。

公开(公告)号：CN1146957C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN00122589.8

申请日：2000-06-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎由希子 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  坂口清文 ,  浮世典孝

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76259 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368

Abstract: 在通过支撑元件对由基片上的分离层形成的半导体层进行支撑，并通过对支撑元件施加拉力机械破坏分离层，而形成薄膜半导体时，通过真空吸附和/或静电吸附来固定基片，并从除基片边缘之外的区域开始分离薄膜外延层。由此可提供一种能够以较高产量获得具有优异性质薄膜外延层的方法，并且允许重复使用基片，且在制造半导体基材和太阳能电池时不会因为分离力超过基片的粘接力而抬起基片。

公开(公告)号：CN1278656A

公开(公告)日：2001-01-03

申请号：CN00122589.8

申请日：2000-06-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎由希子 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  坂口清文 ,  浮世典孝

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76259 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368

Abstract: 在通过支撑元件对由基片上的分离层形成的半导体层进行支撑,并通过对支撑元件施加拉力机械破坏分离层,而形成薄膜半导体时,通过真空吸附和/或静电吸附来固定基片,并从除基片边缘之外的区域开始分离薄膜外延层。由此可提供一种能够以较高产量获得具有优异性质薄膜外延层的方法,并且允许重复使用基片,且在制造半导体基材和太阳能电池时不会因为分离力超过基片的粘接力而抬起基片。

公开(公告)号：CN1240302A

公开(公告)日：2000-01-05

申请号：CN99108640.6

申请日：1999-06-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 水谷匡希 ,  谷川功 ,  中川克己 ,  庄司辰美 ,  浮世典孝 ,  岩崎由希子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/76251 ,  C23C16/01 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/942 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1978

Abstract: 提供一种生产半导体薄膜的方法,其中在具有弯曲表面的支撑件弯曲表面上支撑形成于衬底上的半导体薄膜的同时,还旋转支撑件,从而将半导体薄膜从衬底上剥离下来。此外还提供生产半导体薄膜的方法,该方法包括将形成于衬底上半导体薄膜从衬底上剥离下来的步骤,其中在不用粘接剂将衬底固定于衬底支撑件上之后进行剥离步骤。这样提供将半导体薄膜从衬底上剥离下来而不使其损伤的方法和保持衬底而不使其沾污的方法。