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公开(公告)号：CN101548388B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200780043183.3
申请日：2007-11-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管包含具有氧化铟的沟道层(11)，该方法包括形成氧化铟膜作为沟道层，并在氧化气氛中使形成的氧化铟膜进行退火。
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公开(公告)号：CN101752428A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910258502.3
申请日：2009-12-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L21/34 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 一种场效应晶体管、场效应晶体管的制造方法和显示装置，该场效应晶体管至少具有：半导体层；和栅电极，该栅电极被设置在上述的半导体层之上使得其间具有栅绝缘膜，其中，上述的半导体层包含具有选自Zn和In的组的至少一种元素的第一非晶氧化物半导体层、和具有选自由Ge和Si构成的组的至少一种元素和选自Zn和In的组的至少一种元素的第二非晶氧化物半导体层。上述的第一非晶氧化物半导体层的成分与上述的第二非晶氧化物半导体层的成分不同。
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公开(公告)号：CN101548388A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200780043183.3
申请日：2007-11-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管包含具有氧化铟的沟道层(11)，该方法包括形成氧化铟膜作为沟道层，并在氧化气氛中使形成的氧化铟膜进行退火。
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公开(公告)号：CN104659105B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201410317457.5
申请日：2006-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/26 , H01L29/78 , H01L29/7869
Abstract: 这里公开了一种包括由包括In和Zn的氧化物半导体材料构成的沟道的场效应晶体管。通过In/(In+Zn)表达的原子组成比率不少于35原子％并且不多于55原子％。Ga不包括在氧化物半导体材料中，或者当Ga包括在其中时，将通过Ga/(In+Zn+Ga)表达的原子组成比率设置为30原子％或更低。所述晶体管具有改进的S值和场效应迁移率。
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公开(公告)号：CN104659105A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410317457.5
申请日：2006-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/26 , H01L29/78 , H01L29/7869
Abstract: 这里公开了一种包括由包括In和Zn的氧化物半导体材料构成的沟道的场效应晶体管。通过In/(In+Zn)表达的原子组成比率不少于35原子％并且不多于55原子％。Ga不包括在氧化物半导体材料中，或者当Ga包括在其中时，将通过Ga/(In+Zn+Ga)表达的原子组成比率设置为30原子％或更低。所述晶体管具有改进的S值和场效应迁移率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101911304B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200880123969.0
申请日：2008-12-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一种非晶氧化物至少包含：选自由In、Zn和Sn构成的组的至少一种元素；和Mo。该非晶氧化物中的Mo对比所有金属原子的数量的原子组成比大于等于0.1原子％且小于等于5原子％。
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公开(公告)号：CN101681922B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880017454.2
申请日：2008-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/24 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/247
Abstract: 在场效应晶体管中，该场效应晶体管的沟道层包括无定形氧化物，该无定形氧化物包括In、Zn、N和O，该无定形氧化物中的N对N和O的原子组成比(N/(N+O))大于或等于0.01原子百分比并且小于或等于3原子百分比，并且该无定形氧化物不包括Ga，或者，在该无定形氧化物包括Ga的情况下，该无定形氧化物中包含的Ga原子的数量小于N原子的数量。
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公开(公告)号：CN101752428B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200910258502.3
申请日：2009-12-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L21/34 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 一种场效应晶体管、场效应晶体管的制造方法和显示装置，该场效应晶体管至少具有：半导体层；和栅电极，该栅电极被设置在上述的半导体层之上使得其间具有栅绝缘膜，其中，上述的半导体层包含具有选自Zn和In的组的至少一种元素的第一非晶氧化物半导体层、和具有选自由Ge和Si构成的组的至少一种元素和选自Zn和In的组的至少一种元素的第二非晶氧化物半导体层。上述的第一非晶氧化物半导体层的成分与上述的第二非晶氧化物半导体层的成分不同。
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公开(公告)号：CN101663762B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200880012789.5
申请日：2008-04-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/247
Abstract: 本发明提供氧氮化物半导体，其包含金属氧氮化物。该金属氧氮化物含有Zn和选自In、Ga、Sn、Mg、Si、Ge、Y、Ti、Mo、W和Al中的至少一种元素。该金属氧氮化物具有7原子％-80原子％的N的原子组成比N/(N+O)。
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公开(公告)号：CN101719483A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910179050.X
申请日：2009-10-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/203 , H01L29/72 , H01L29/861 , H01L33/00 , H01L31/0264
CPC classification number: C30B29/406 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/403
Abstract: 本发明涉及用于生长纤锌矿型晶体的衬底及其制造方法，以及半导体器件。一种层叠结构包括：包括具有六重对称性的晶体的第一层，以及在第一层上形成的包括金属氧氮化物晶体的第二层，其中第二层包括选自由In、Ga、Si、Ge和Al构成的组中的至少一种元素、N、O和Zn作为主要元素，以及其中第二层具有面内取向。
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