公开(公告)号：CN108183113A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711289553.3

申请日：2017-12-08

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 庄山敏弘 ,  高草木弘 ,  金田翼 ,  小川俊之

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0288

CPC classification number: H01L31/0288 ,  H01L21/04 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/203 ,  H01L21/322 ,  H01L27/146 ,  H01L31/103 ,  H04N5/367 ,  H04N5/369 ,  H04N5/378 ,  Y02E10/50

Abstract: 本申请涉及光电转换设备、相机、制造半导体基板的方法以及制造光电转换设备的方法。该光电转换设备具有硅基板，该硅基板包括被配置为执行光电转换的第一部分和被布置为比第一部分更远离硅基板的光接收表面并且包含碳的第二部分。作为第二部分中的碳峰值浓度的第一峰值浓度不小于1×1018[原子/cm3]且不大于1×1020[原子/cm3]，并且作为第二部分中的氧峰值浓度的第二峰值浓度不小于第一峰值浓度的1/1000且不大于第一峰值浓度的1/10。

公开(公告)号：CN106252367A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610407002.1

申请日：2016-06-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 庄山敏弘 ,  高草木弘 ,  山崎康生 ,  石野英明 ,  小川俊之

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开内容涉及成像装置、制造该成像装置的方法和照相机。一种制造成像装置的方法包括：制备包括晶圆和布置在晶圆上的硅层的基板，晶圆包括由单晶硅制成的、氧浓度不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的第一半导体区域，硅层包括由单晶硅制成的、氧浓度低于第一半导体区域中的氧浓度的第二半导体区域；在含有氧的气氛中使基板退火，并且将第二半导体区域中的氧浓度设置在不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的范围内；并且在退火之后在第二半导体区域中形成光电转换元件。