公开(公告)号：CN111406130A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201880052390.3

申请日：2018-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 森下昌纪 ,  高山英俊 ,  樋口恭明 ,  羽木良明

IPC: C30B29/42

Abstract: 一种砷化镓晶体基板具有150mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硅的原子浓度为3.0×1016cm-3以上且3.0×1019cm-3以下时，所述砷化镓晶体基板具有0cm-2以上且15000cm-2以下的平均位错密度，并且当碳的原子浓度为1.0×1015cm-3以上且5.0×1017cm-3以下时，所述砷化镓晶体基板具有3000cm-2以上且20000cm-2以下的平均位错密度。

公开(公告)号：CN111263833A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201880068736.9

申请日：2018-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西冈志行 ,  鸿池一晓 ,  柳泽拓弥 ,  樋口恭明 ,  羽木良明

IPC: C30B29/40

Abstract: 一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板具有100mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硫的原子浓度为2.0×1018cm-3以上且8.0×1018cm-3以下时，所述磷化铟晶体基板具有10cm-2以上且500cm-2以下的平均位错密度，并且当锡的原子浓度为1.0×1018cm-3以上且4.0×1018cm-3以下或者铁的原子浓度为5.0×1015cm-3以上且1.0×1017cm-3以下时，所述磷化铟晶体基板具有500cm-2以上且5000cm-2以下的平均位错密度。

公开(公告)号：CN101630641A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910164545.5

申请日：2009-07-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中山雅博 ,  樋口恭明

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/20 ,  H01L23/00

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B25/186 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供III-V族化合物半导体衬底、外延晶片及它们的制造方法，其中以高精度控制在衬底上或晶片中形成的氧化膜的厚度，并阻止所述外延晶片的表面变粗糙。本发明的制造III-V族化合物半导体衬底的方法包括如下步骤：首先，提供由III-V族化合物半导体构成的衬底；其后，用酸性溶液清洁所得到的衬底；随后，在所述清洁之后通过湿法在所述衬底上形成氧化膜。进一步地，通过在上述III-V族化合物半导体衬底上形成外延层可得到外延晶片。