合成单晶金刚石及其制造方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115698392A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202180039794.0

    申请日:2021-05-14

    Abstract: 一种合成单晶金刚石,其是包含100ppm以上且1500ppm以下的氮原子的合成单晶金刚石,其中,所述合成单晶金刚石包含聚集体,所述聚集体由一个空穴和与所述空穴相邻地存在的两个至四个中的任一数量的氮原子构成,所述合成单晶金刚石的{001}面中的 方向上的努氏压痕的对角线中的、短的一方的对角线的长度b与长的一方的对角线的长度a之比b/a为0.08以下,所述努氏压痕是依据JIS Z 2251:2009,在温度为23℃±5℃以及试验载荷为4.9N的条件下,对所述合成单晶金刚石的{001}面内的 方向上的努氏硬度进行测定而形成的。

    合成单晶金刚石及其制造方法
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117480284A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202280042116.4

    申请日:2022-05-02

    Abstract: 一种合成单晶金刚石,所述合成单晶金刚石是以原子数基准计包含50ppm以上且1200ppm以下的浓度的氮原子的合成单晶金刚石,其中,所述合成单晶金刚石的红外吸收光谱在波数1460cm‑1以上且1470cm‑1以下的范围内具有吸收信号。

    合成单晶金刚石及其制造方法
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115698393A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202180040021.4

    申请日:2021-05-14

    Abstract: 一种合成单晶金刚石,其是按原子数基准计以100ppm以上且1500ppm以下的浓度包含氮原子的合成单晶金刚石,其中,所述合成单晶金刚石包含聚集体,所述聚集体由一个空穴和与所述空穴相邻地存在的三个取代型氮原子构成,所述合成单晶金刚石的一阶拉曼散射光谱中的峰的拉曼位移λ’cm‑1与按原子数基准计以1ppm以下的浓度包含氮原子的合成IIa型单晶金刚石的一阶拉曼散射光谱中的峰的拉曼位移λcm‑1示出下述式1的关系,λ’‑λ≥0式1。

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