公开(公告)号：CN117916901A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280060971.8

申请日：2022-09-09

Applicant: 国立大学法人三重大学

Inventor： 上杉谦次郎 ,  三宅秀人 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/16 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

Abstract: 一种III族氮化物发光器件，具备：模板部件，包括模板层，所述模板层包含(10‑12)面的X射线摇摆曲线的半值宽度为1000arcsec以下的AlXGa1‑XN(X大于0且小于等于1)且内含覆盖支撑体的主面的压缩应变；活性层，在285nm以下的深紫外波长区域上产生具有峰值波长的光，包含内含压缩应变的AlGaN；以及n型III族氮化物半导体区域，设置在模板部件上，该III族氮化物半导体区域包括设置在模板层上的第一n型III族氮化物半导体层及设置在第一n型III族氮化物半导体层上的第二n型III族氮化物半导体层，第一n型III族氮化物半导体层以模板层为基准具有2％以下的晶格弛豫率，第二n型III族氮化物半导体层具有0.4nm以下的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN1759469A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200480006280.1

申请日：2004-03-04

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 平松和政 ,  三宅秀人 ,  坊山晋也 ,  前田尚良 ,  小野善伸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 本发明涉及一种具有降低了位错密度的III－V族化合物半导体单晶的外延基板的制造方法，其特征在于，在制造具有作为由通式InxGayAlzN(式中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)表示的III－V族化合物半导体单晶，降低了位错密度的III－V族化合物半导体单晶的外延基板时，具有第一工序和第二工序，其中所述第一工序，使用具有多个突起状形状的该III－V族化合物半导体单晶，用由与该III－V族化合物半导体异种材料制成的掩模覆盖得仅使该结晶端部附近形成开口部分；所述第二工序，以该开口部分的III－V族化合物半导体单晶作为种晶，使该III－V族化合物半导体单晶沿着横向生长；能够制造位错密度小、弯曲少的氮化物系III－V族化合物半导体单晶的自立基板。