GaN HEMT漏极控制电路及设备

    公开(公告)号:CN109768789A

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201811619641.X

    申请日:2018-12-28

    Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMT漏极控制电路及设备。GaN HEMT漏极控制电路,包括:漏压开关驱动电路以及第一N型MOS管。漏压开关驱动电路的第一输入端用于连接外部电源,第二输入端用于接入漏压控制信号,第一输出端连接第一N型MOS管的栅极,第二输出端连接第一N型MOS管的漏极,第三输出端连接所述第一N型MOS管的源极;第一N型MOS管的源极用于连接GaN HEMT的漏极。基于上述结构,漏压开关驱动电路接收漏压控制信号,输出驱动信号给第一N型MOS管的栅极,控制第一N型MOS管漏源两极的通断;利用第一N型MOS管来控制GaN HEMT漏压的开与关,能够实现漏压开关的高速切换,同时,可降低漏极电源开关的损耗以及电路成本,提高电路的可靠性和效率。

    超宽带多频多模功率放大系统

    公开(公告)号:CN105978493A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610270539.8

    申请日:2016-04-26

    CPC classification number: H03F1/0288 H03F1/3247

    Abstract: 本发明提供一种超宽带多频多模功率放大系统,包括输入取样单元、输出取样单元、多个预失真单元以及放大单元。所述输入取样单元得到多路输入取样信号,所述输出取样单元得到多路输出取样信号,多个预失真单元根据各个输入取样信号以及输出取样信号,得到对应的反向非线性失真信号,对输入取样信号进行预失真处理,得到非线性反向失真信号,所述放大单元将多个非线性反向失真信号与系统的输入信号进行耦合,并对耦合得到的合路信号进行Doherty放大输出,从而在模拟预失真技术与Doherty技术相结合的基础上,通过多路结构,实现超宽带多频多模功率放大器的功能。

    一种模拟预失真电路
    19.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208739085U

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201821598462.8

    申请日:2018-09-28

    Abstract: 本实用新型提供一种模拟预失真电路,该模拟预失真电路包括:模块控制单元、射频功率放大器、N个模拟预失真芯片,N为大于1的整数,模块控制单元与N个模拟预失真芯片分别相连,N个模拟预失真芯片的输出端分别与射频功率放大器的输入端相连,射频功率放大器的输出端与N个模拟预失真芯片的输入端分别相连,由模块控制单元调整M个模拟预失真芯片的工作频段,M为不大于N且大于1的整数,针对M个模拟预失真芯片中的每一个,都只处理对应其工作频段的信号。该方案中,对信号的频段进行了分段处理,每个模拟预失真芯片都只处理对应其工作频段的信号,因此可以提高模拟预失真信号的超宽带对消效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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