GaN HEMT漏极控制电路及设备
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109768789A

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201811619641.X

    申请日:2018-12-28

    IPC分类号: H03K17/687

    摘要: 本申请涉及一种GaN HEMT漏极控制电路及设备。GaN HEMT漏极控制电路,包括:漏压开关驱动电路以及第一N型MOS管。漏压开关驱动电路的第一输入端用于连接外部电源,第二输入端用于接入漏压控制信号,第一输出端连接第一N型MOS管的栅极,第二输出端连接第一N型MOS管的漏极,第三输出端连接所述第一N型MOS管的源极;第一N型MOS管的源极用于连接GaN HEMT的漏极。基于上述结构,漏压开关驱动电路接收漏压控制信号,输出驱动信号给第一N型MOS管的栅极,控制第一N型MOS管漏源两极的通断;利用第一N型MOS管来控制GaN HEMT漏压的开与关,能够实现漏压开关的高速切换,同时,可降低漏极电源开关的损耗以及电路成本,提高电路的可靠性和效率。

    一种模拟预失真电路
    17.
    实用新型

    公开(公告)号:CN209046595U

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201821867990.9

    申请日:2018-11-12

    IPC分类号: H03F1/32 H03F3/195 H03F3/213

    摘要: 本实用新型提供一种模拟预失真电路。该模拟预失真电路包括:模块控制单元、模拟预失真芯片、射频功率放大器和N个可调延时单元,N为大于1的整数,其中,模块控制单元与N个可调延时单元分别相连,模块控制单元与模拟预失真芯片相连,模拟预失真芯片的输出端与N个可调延时单元的输入端分别相连,N个可调延时单元输出端分别与射频功率放大器的输入端相连,射频功率放大器的输出端与模拟预失真芯片的输入端相连。由模块控制单元控制整个模拟预失真电路,使得该模拟预失真电路可以对输入信号进行时分处理,使模拟预失真芯片在一个时刻处理一个与自身工作频段对应的信号,从而提高了模拟预失真电路对超宽带信号的对消效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种功率检测器检测范围扩展装置

    公开(公告)号:CN207853907U

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201721889766.5

    申请日:2017-12-27

    IPC分类号: H04B17/327

    摘要: 本实用新型实施例涉及通信技术领域,尤其涉及一种功率检测器检测范围扩展装置,用于实现有效扩展功率检测器的检测范围的上限和下限。该装置包括功率检测器、检测范围扩展单元和监控单元;检测范围扩展单元的输入端用于接收待检测信号,输出端与功率检测器连接,调整端用于在监控单元的控制下调整检测范围扩展单元的预设变化量;检测范围扩展单元包括的衰减单元用于产生第一变化量的衰减,增益单元用于产生第二变化量的增益;监控单元用于根据功率检测器功率检测结果,若调整后待检测信号的功率不在功率检测器的检测范围内,则调整衰减单元的第一变化量,调节检测范围扩展单元的预设变化量。如此可以有效扩展功率检测器的检测范围的上限和下限。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利