GaN HEMT漏极控制电路及设备

    公开(公告)号:CN109768789A

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201811619641.X

    申请日:2018-12-28

    Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMT漏极控制电路及设备。GaN HEMT漏极控制电路,包括:漏压开关驱动电路以及第一N型MOS管。漏压开关驱动电路的第一输入端用于连接外部电源,第二输入端用于接入漏压控制信号,第一输出端连接第一N型MOS管的栅极,第二输出端连接第一N型MOS管的漏极,第三输出端连接所述第一N型MOS管的源极;第一N型MOS管的源极用于连接GaN HEMT的漏极。基于上述结构,漏压开关驱动电路接收漏压控制信号,输出驱动信号给第一N型MOS管的栅极,控制第一N型MOS管漏源两极的通断;利用第一N型MOS管来控制GaN HEMT漏压的开与关,能够实现漏压开关的高速切换,同时,可降低漏极电源开关的损耗以及电路成本,提高电路的可靠性和效率。

    一种模拟预失真电路
    18.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208739085U

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201821598462.8

    申请日:2018-09-28

    Abstract: 本实用新型提供一种模拟预失真电路,该模拟预失真电路包括:模块控制单元、射频功率放大器、N个模拟预失真芯片,N为大于1的整数,模块控制单元与N个模拟预失真芯片分别相连,N个模拟预失真芯片的输出端分别与射频功率放大器的输入端相连,射频功率放大器的输出端与N个模拟预失真芯片的输入端分别相连,由模块控制单元调整M个模拟预失真芯片的工作频段,M为不大于N且大于1的整数,针对M个模拟预失真芯片中的每一个,都只处理对应其工作频段的信号。该方案中,对信号的频段进行了分段处理,每个模拟预失真芯片都只处理对应其工作频段的信号,因此可以提高模拟预失真信号的超宽带对消效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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