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公开(公告)号：CN114603844A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210511928.0
申请日：2022-05-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种电子器件的一体化增材制造单片集成方法，使用可以同时装载多种功能材料的多喷头三维打印机一体化制造集成电子器件，打印材料至少包括但不局限于绝缘材料，导电材料，可选择性去除的支撑材料，在一个打印过程中同时使用绝缘材料制造器件的机械结构，用导电材料制造器件的电极及引线互连部，用可选择性去除的牺牲材料制造三维结构的临时支撑结构，一体化制造完成后选择性地去除支撑结构得到完整的器件，同时打印位于同一水平面的相应的垂直导线结构，用来将各电子器件的电极引到底部形成的焊盘，以便将打印完成的集成电子器件以倒装贴片的方式贴在电路板上，对单片集成器件中有低电阻率需求的结构表面进行有选择地生长金属。
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公开(公告)号：CN114559651A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210454656.5
申请日：2022-04-28
Applicant: 之江实验室
IPC: B29C64/112 , B29C64/40 , B29C64/379 , C25D5/02 , C25D7/00 , H02K15/02 , B33Y10/00 , B33Y40/00 , B33Y40/20
Abstract: 本发明公开了一种微静电马达执行器的一体化增材制造方法，采用具有多个打印喷头的三维打印机同时制造微静电马达的转子、转子电极、定子、定子电极、转轴、衬底、转子临时性支撑结构、转轴临时性支撑结构的制造，打印完成后，浸入相应的溶液中选择性地去除转子临时性支撑结构和转轴临时性支撑结构，得到微静音马达执行器，而不损害其他功能性材料结构，以导电材料为种子层可以在表面生长金属层，而不导电材料表面不会生长金属，实现金属层的选择性生长，整个器件在一个打印制造过程中完成，不需要额外的图形化、对准、装配工艺。
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公开(公告)号：CN113985524B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111606890.7
申请日：2021-12-27
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料波导的阵列波导光栅，所述阵列波导光栅包括阵列波导部分、输入平板波导、输出平板波导、输入信道波导、输出信道波导，所述阵列波导部分两端分别与所述输入平板波导和输出平板波导连接，所述输入平板波导末端与所述输入信道波导连接，所述输出平板波导末端与所述输出信道波导连接，所述阵列波导部分包括若干根阵列波导，所述阵列波导为超材料波导，在传统波导的周围周期性地排布亚波长波导得到多层结构，这一结构具有很强的各向异性，这一结构可用作传统波导的包层，使用强各向异性包层包围传统波导，整体形成超材料波导，有效抑制了传统波导的倏逝波及趋肤深度。
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公开(公告)号：CN116990905B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311252627.1
申请日：2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种折射率可调的亚波长光栅耦合器及其设计方法。该光栅耦合器包括依次层叠的衬底、埋氧层、波导层和上包层，模式光在波导层上沿第一方向传播，波导层包括光栅结构，光栅结构包括沿第一方向依次排列的多个单元光栅结构，其中，单元光栅结构包括第一折射率区和第二折射率区，第一折射率区包括第一波导；第二折射率区与第一折射率区相邻，第二折射率区包括多个沿第一方向交替排列的第二波导和间隔区，第二波导的折射率不等于间隔区的折射率，第一折射率区的等效折射率不等于第二折射率区的等效折射率，光栅结构的结构参数通过多次迭代确定。可实现调整光栅结构的有效折射率，降低器件的耦合损耗和尺寸，受制造工艺水平的影响较小。
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公开(公告)号：CN116314169B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310585098.0
申请日：2023-05-23
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成光接收芯片的封装结构，包括硅基光接收芯片、载体晶圆和外功能芯片；其中，所述硅基光接收芯片用于对接收的光载波信号进行分解得到多个单波长光信号，对单波长光信号进行波长调控，并将波长调控后的单波长光信号转化为电信号；在所述载体晶圆上集成硅基光接收芯片和外功能芯片，其中，在载体晶圆内部设置有金属电路，通过金属电路将硅基光接收芯片和外功能芯片相连；所述外功能芯片用于向所述硅基光接收芯片施加电压使得硅基光接收芯片能够对单波长光信号进行波长调控，还用于获得和放大硅基光接收芯片输出的电信号。该封装结构能够使得硅基光接收芯片在保证波长可调的同时保证了高速信号的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116314169A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310585098.0
申请日：2023-05-23
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成光接收芯片的封装结构，包括硅基光接收芯片、载体晶圆和外功能芯片；其中，所述硅基光接收芯片用于对接收的光载波信号进行分解得到多个单波长光信号，对单波长光信号进行波长调控，并将波长调控后的单波长光信号转化为电信号；在所述载体晶圆上集成硅基光接收芯片和外功能芯片，其中，在载体晶圆内部设置有金属电路，通过金属电路将硅基光接收芯片和外功能芯片相连；所述外功能芯片用于向所述硅基光接收芯片施加电压使得硅基光接收芯片能够对单波长光信号进行波长调控，还用于获得和放大硅基光接收芯片输出的电信号。该封装结构能够使得硅基光接收芯片在保证波长可调的同时保证了高速信号的质量。
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公开(公告)号：CN115542461B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211414571.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于逆向设计的超高集成度硅基光接收芯片，包括所述光接收芯片上设置的端面耦合器、逆向设计偏振分束器、逆向设计波分解复用器以及高速锗硅探测器，所述逆向设计波分解复用器包括TE模式逆向设计波分解复用器和TM模式逆向设计波分解复用器，各器件之间通过光波导进行连接，高速锗硅探测器通过高频引线和高频电极与外部功能芯片连接。本发明一种基于逆向设计的超高集成度硅基光接收芯片，通过逆向设计方法设计偏振分束器以及基于TE、TM模式的波分解复用器件来解决传统光接收芯片上由于集成系统中分立器件中存在占位面积大、性能不稳定、带宽不够，串扰高的问题。
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公开(公告)号：CN115420952A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211373362.6
申请日：2022-11-04
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种高温压阻特性测量平台及方法，该平台包括耐高温压阻测量样品、施力装置单元、局部加热单元、电学测量单元、电路转接板单元和计算机控制单元，所述施力装置单元用于对所述耐高温压阻测量样品施加应力，所述局部加热单元用于对所述耐高温压阻测量样品的压力敏感区域进行局部加热，所述电学测量单元用于分别测量受热和受力前后所述耐高温压阻测量样品电阻值的变化，所述电路转接板单元用于将所述耐高温压阻测量样品的电学信号引出并与所述电学测量单元连接，所述计算机控制单元用于控制所述施力装置单元的施加应力、控制所述局部加热单元的加热温度及实时精确测量并记录所述电学测量单元的测量结果。
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公开(公告)号：CN114603844B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210511928.0
申请日：2022-05-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种电子器件的一体化增材制造单片集成方法，使用可以同时装载多种功能材料的多喷头三维打印机一体化制造集成电子器件，打印材料至少包括但不局限于绝缘材料，导电材料，可选择性去除的支撑材料，在一个打印过程中同时使用绝缘材料制造器件的机械结构，用导电材料制造器件的电极及引线互连部，用可选择性去除的牺牲材料制造三维结构的临时支撑结构，一体化制造完成后选择性地去除支撑结构得到完整的器件，同时打印位于同一水平面的相应的垂直导线结构，用来将各电子器件的电极引到底部形成的焊盘，以便将打印完成的集成电子器件以倒装贴片的方式贴在电路板上，对单片集成器件中有低电阻率需求的结构表面进行有选择地生长金属。
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公开(公告)号：CN117471676A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311513166.9
申请日：2023-11-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了可晶圆集成的含有静电驱动垂直微镜的耐高温干涉仪，包括晶圆及其上的固定干涉臂和可调干涉臂，可调干涉臂包括固定电极和静电驱动的垂直微镜，垂直微镜包括透镜及驱动电极，通过固定电极和驱动电极之间的排斥或吸引实现垂直微镜的偏转或折射率改变，使得通过调干涉臂的光程差发生改变，再与通过固定干涉臂的光形成干涉，其中可调干涉臂的制备工艺为：在晶圆上表面深刻蚀形成固定电极及垂直微镜，对形成的垂直侧壁进行平坦化抛光；在晶圆、固定电极和垂直微镜表面沉积绝缘层；在晶圆的上表面形成电极及互连线图形，在垂直微镜上沉积金属层，通过剥离的方法形成引线互连；去除垂直微镜未被金属层覆盖的绝缘层，形成透镜。
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