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公开(公告)号:CN105518841B
公开(公告)日:2018-09-25
申请号:CN201480048461.4
申请日:2014-08-29
IPC: H01L21/60 , H01L25/07 , H01L23/051 , H01L23/492 , H01L23/495
Abstract: 半导体装置包括:对置的第一和第二金属板;多个半导体元件,均介于第一和第二金属板之间;金属块,其介于第一金属板和每个半导体元件之间;焊料构件,其介于第一金属板和金属块之间且将第一金属板连接至金属块;和注塑树脂,其密封半导体元件和金属块。第一金属板的一面,其为金属块经由焊料构件连接至第一金属板的一面的对置侧,暴露于注塑树脂外。第一金属板具有沿着其中设置有焊料构件的区域外周形成的凹槽,凹槽共同围绕焊料构件以防止焊料构件在第一金属板的黏结面上散布。每个半导体元件可以是功率半导体开关元件如IGBT,其在转换电功率时进行开关操作,且每个半导体元件可以是为了在中断对应的一个半导体元件时循环电流所需的回流二极管。
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公开(公告)号:CN105900289A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201480072596.4
申请日:2014-12-30
CPC classification number: H01R13/03 , H01R12/716 , H01R13/05 , H01R13/11 , H01R2201/26
Abstract: 一种端子连接结构,包括:凸端子(16);以及凹端子(31)),其上装配有所述凸端子。所述凸端子包括第一金属材料(161)以及形成在所述凸端子的最外表面上以直接或间接地涂覆所述第一金属材料的第一金属膜(163)。所述凹端子包括第二金属材料(311)以及形成在所述凹端子的最外表面上以直接或间接地涂覆所述第二金属材料的第二金属膜(312)。所述第一金属材料的硬度不同于所述第二金属材料的硬度。
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公开(公告)号:CN104701306A
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:CN201410738558.X
申请日:2014-12-05
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H01L23/047 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体装置,其包括:半导体元件,其设置在平面上;密封树脂,其对所述半导体元件进行密封;端子,其电连接到所述半导体元件并且包括从所述密封树脂的预定表面突出的部分;以及凹部,当沿与所述平面垂直的方向观察时,所述凹部从所述预定表面朝向所述半导体元件侧凹进。当沿与所述平面垂直的方向观察时,在所述半导体元件侧的所述凹部的边包括R形状。
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公开(公告)号:CN104347573A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201410350640.5
申请日:2014-07-22
IPC: H01L23/495 , H02M7/00 , H02M1/00
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/89 , H01L2224/48247 , H01L2224/85001 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及引线框架、电力变换装置、半导体设备及其制造方法。根据本公开,提供一种引线框架,包括:并排地布置的第一岛和第二岛;外周框架;第一引线,第一引线在与第一方向垂直的第二方向上延伸;第二引线,第二引线在第二方向上延伸;第一联结部分,第一联结部分将第一引线联结到框架;第二联结部分,第二联结部分将第二引线联结到框架;中间部分,中间部分在第一方向上形成在第一和第二联结部分之间使得中间部分在第二方向上延伸以在在第一和第二岛之间的空间之前终止;和变形抑制部分,变形抑制部分被形成或者设置在第一引线、第二引线、第一和第二联结部分中的至少一个之中,并且被构造成抑制在模制过程期间第一和第二引线的变形。
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