金属被膜的成膜装置和成膜方法

    公开(公告)号:CN114262925B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202110856960.8

    申请日:2021-07-28

    Abstract: 本发明提供能够以均匀的膜厚形成金属被膜的金属被膜的成膜装置和成膜方法。本发明的金属被膜的成膜装置,具备阳极、设置于上述阳极与成为阴极的基材之间的固体电解质膜、对上述阳极与上述阴极之间施加电压的电源部、在上述阳极与上述固体电解质膜之间收纳包含金属离子的溶液的溶液收纳部、以及通过上述溶液的液压将上述固体电解质膜向上述阴极侧加压的加压部,利用上述固体电解质膜对上述基材的表面加压,并且通过施加上述电压而使上述固体电解质膜的内部所含有的上述金属离子析出,由此在上述基材的表面形成金属被膜,其特征在于,还具备以包围上述阳极的外周面的方式设置的遮蔽电力线的遮蔽部件。

    布线基板的制造方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114980536A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210049035.9

    申请日:2022-01-17

    Abstract: 本发明提供能够降低绝缘层厚度的布线基板的制造方法,该布线基板具备绝缘性基材和设在绝缘性基材上且具有预定布线图案的布线层。布线基板的制造方法中,首先,(a)准备带图案基材。其中,带图案基材具备绝缘性基材、导电性种子层和绝缘层,导电性种子层设在绝缘性基材上且包含第1部分和第2部分,第1部分具有与布线图案对应的预定图案,第2部分是第1部分以外的部分,绝缘层设在种子层的第2部分上。接着,(b)在种子层的第1部分上形成厚度比绝缘层大的金属层。其中,在带图案基材与阳极之间配置树脂膜,树脂膜含有包含金属离子的溶液,在使树脂膜和种子层压接的状态下在阳极与种子层之间施加电压。接着,(c)除去绝缘层和种子层的第2部分。

    金属被膜的成膜方法和金属被膜的成膜装置

    公开(公告)号:CN114318481A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202110993317.X

    申请日:2021-08-26

    Abstract: 本发明涉及金属被膜的成膜方法和金属被膜的成膜装置。提供可防止污渍、变色的发生的金属被膜的成膜方法和成膜装置。在固体电解质膜(12)与基材(W)接触的状态下测定阳极(11)与基材(W)之间的交流阻抗。进行在交流阻抗中表示固体电解质膜(12)与基材(W)的接触状态的规定频率下的虚部是否为预先设定的可实施成膜的可成膜值以上的判定。虚部为可成膜值以上时,在用固体电解质膜(12)挤压基材(W)的状态下,形成金属被膜(F)。虚部比可成膜值小时,解除固体电解质膜(12)对基材(W)的挤压,使固体电解质膜(12)与基材(W)分离,用一定的张力使固体电解质膜(12)重新张紧后,在用重新张紧的固体电解质膜(12)膜挤压基材(W)的状态下形成金属被膜(F)。

    布线基板的制造方法
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114080115A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202110960010.X

    申请日:2021-08-20

    Abstract: 提供基底层与种子层的密合性提高了的布线基板的制造方法。向被覆层(13A)的布线部分(13a)照射激光(L),在基底层(12)与布线部分(13a)之间形成构成基底层(12)的元素和构成被覆层(13A)的元素相互扩散了的扩散层(14)。通过将被覆层(13A)之中的布线部分(13a)以外的部分从基底层(12)除去,从而形成种子层(13)。在阳极(51)与种子层(13)之间配置固体电解质膜(52),在阳极(51)与基底层(12)之间施加电压,从而在种子层(13)的表面形成金属层(15)。将从种子层(13)露出的基底层(12)的露出部分(12c)从基材(11)除去。

    金属感膜的制造方法和金属感膜

    公开(公告)号:CN113445034A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202110280881.7

    申请日:2021-03-16

    Abstract: 本发明涉及金属感膜的制造方法和金属感膜。本发明涉及金属感膜的制造方法,其包括:在由绝缘材料制成的树脂基材的表面形成具有能与金属离子进行离子交换的官能团的层的第1步骤,将表面形成有上述层的树脂基材用金属离子溶液进行处理,借由离子交换将金属离子导入上述层中的第2步骤,和将上述树脂基材用还原剂进行处理,使金属粒子在表面析出的第3步骤。本发明涉及金属感膜,其中,在表面析出的金属粒子间具有间隙,金属粒子的平均粒径为5nm~200nm。

    半导体装置
    16.
    实用新型

    公开(公告)号:CN203800031U

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201420191622.2

    申请日:2014-04-18

    Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。该半导体装置具备,绝缘板、设置在绝缘板上的布线板、及通过焊料而设置在布线板上的半导体元件,该半导体装置中还设有封装焊料的封装树脂和限制封装树脂的范围的限制部,限制部被配置为,包围着焊料及半导体元件,封装树脂被填充在焊料及半导体元件与限制部之间,且其上端面位于半导体元件的顶面与底面之间。采用本实用新型的结构,能够在提高焊料使用寿命的同时,防止半导体装置整体的使用寿命降低。

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