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公开(公告)号：CN116386978A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310517261.X
申请日：2023-05-10
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开了一种无接头闭环高温超导线圈及超导磁体，包括线圈骨架和四饼线圈；线圈骨架包括两个双饼圆环骨架，双饼圆环骨架包括内侧线圈缠绕圆环部和外侧线圈缠绕圆环部；四饼线圈采用无接头绕制法缠绕而成：将超导带材沿中心分割线分离，形成左、右两个未分离端部和两条分离超导带材；将两条分离超导带材的右部分以第一缠绕方向分别缠绕在两个外侧线圈缠绕圆环部上，将两条分离超导带材的左部分以第二缠绕方向分别缠绕在两个内侧线圈缠绕圆环部上，第一缠绕方向与第二缠绕方向相反；将其中一个双饼圆环骨架翻转180°，使其上缠绕的内侧线圈和外侧线圈交换位置，得到四饼线圈。本发明取消线圈接头，能够实现高温超导磁体零电阻闭环运行。
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公开(公告)号：CN116156989A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211207560.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H10N10/852 , H10N10/17 , H10N10/01
Abstract: 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种复合热电柔性膜及其制备方法和应用。本发明提供了一种复合热电柔性膜，包括柔性基底和负载于所述柔性基底表面的热电功能膜，所述热电功能膜包括碳纳米管膜和附着于所述碳纳米管膜中的Bi2Se3纳米片；所述碳纳米管膜为由碳纳米管自由分布形成的网络结构；所述柔性基底为多孔有机膜。本发明提供的复合热电柔性膜以Bi2Se3纳米片和碳纳米管复合，通过碳纳米管形成的薄膜显著提高了复合热电柔性膜的导电性，同时碳纳米管的网络结构能够有效抵消外力带来的应力、应变，增强了膜材料的可变形能力，有利于实现本发明提供的复合热电柔性膜在柔性电子领域中的应用。
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公开(公告)号：CN115747565A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211263840.8
申请日：2022-10-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种Mg3Sb2基热电材料及其制备方法，属于热电材料技术领域。本发明通过在MgSbBiTe热电材料中共掺杂Co和Er元素，能够显著提高Mg3Sb2基热电材料的高温稳定性，这是由于阳离子元素Co和Er的加入，不仅可以保证材料的热电性能；还可以通过取代Mg元素，减少Mg元素含量，有效阻止高温Mg损失，且元素Co和Er的熔点显著高于Mg元素，它们的加入可以提高整个化合物的熔点，从而使得材料高温稳定性得以提高，所得Mg3Sb2基热电材料在673K下保持稳定。
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公开(公告)号：CN114373820A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210029909.4
申请日：2022-01-12
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/072 , H01L31/0392 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光伏技术领域，特别涉及一种薄膜太阳电池及其制备方法。本发明提供的薄膜太阳电池，包括依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、p型光学吸收层、n型窗口层、铁电膜层、第二载流子传输层和金属栅电极层；所述铁电膜层的材质包括BaTiO3、KNbO3、NaNbO3或BiFeO3。本发明同时利用传统光伏器件的p‑n结内建电场和铁电材料的退极化场，通过p‑n结内建电场、铁电退极化场多物理场耦合增强效应提高光生载流子分离与传输能力，降低复合，增加电池的开路电压，提高薄膜太阳电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN114351516A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210037028.7
申请日：2022-01-13
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开了一种超导磁悬浮轨道结构，涉及超导电磁应用技术领域，包括轨道体和若干永磁体，所述轨道体内设置有至少一条轨道腔体，各所述轨道腔体内均设置有若干所述永磁体，各所述永磁体能够沿所述轨道腔体的长度方向滑动，同一条所述轨道腔体内的各所述永磁体的磁极相同，且各所述永磁体的充磁方向与所述永磁体对应的所述轨道体的表面垂直。本发明解决了现有技术中永磁体轨道安装繁琐困难的缺陷，提供一种更加简单便捷的低成本的结构，实现更轻便和/或可变形的超导磁悬浮轨道结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111106453B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201911250570.5
申请日：2019-12-09
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司 , 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明涉及一种第二代高温超导带材的连接方法及超导线，连接方法包括以下步骤：去除保护层：去除第二代高温超导带材的待连接区域的部分区域银层，使剩余银层和裸露出的超导层间隔分布；银层扩散焊：将至少两根经过去除保护层步骤处理的第二代高温超导带材的待连接区域两两搭接形成搭接区域，使彼此的剩余银层重合接触，然后夹住搭接区域，对银层进行扩散焊；超导层熔融扩散焊；以及超导电性恢复。本发明所述方法可以不破坏超导层结构，同时又能提供氧扩散通道，制备的超导接头在液氮温区具备超导特性的同时还具有较高的机械强度，同时剩余银层也可通过电流，使得超导接头还具有一定的失超保护能力。
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公开(公告)号：CN111349902A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010371633.9
申请日：2020-05-06
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种化学组成为Mg3.2Bi1.5Sb0.5的热电薄膜及其制备方法，属于热电材料技术领域。本发明通过真空磁控溅射的方式制备热电薄膜，所得热电薄膜具有二维空间结构，热导率低；同时薄膜结构能够形成量子禁闭效应，从而提高材料的功率因子。本发明使用c轴取向的LaAlO3单晶作为真空磁控溅射的基底，其与Mg3.2Bi1.5Sb0.5有非常高的晶格匹配度，能够诱导热电薄膜沿c轴方向择优生长，最终所得热电薄膜载流子迁移率大大增加，其热电性能也大幅增加。本发明通过先球磨、再热压的方式制备Mg3.2Bi1.5Sb0.5合金靶，所得合金靶在磁控溅射过程中不易开裂，沉积的薄膜成分非常均匀。
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公开(公告)号：CN109449226B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811284427.3
申请日：2018-10-31
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种薄膜太阳电池及其制备方法，属于太阳电池领域，包括依次叠层设置的衬底、透明导电薄膜、窗口层、CdTe光学吸收层、量子点缓冲层和导电背电极；所述量子点缓冲层包括SnSe量子点缓冲层或Sb2Se3量子点缓冲层。本发明以SnSe量子点缓冲层或Sb2Se3量子点缓冲层作为量子点缓冲层，由于SnSe量子点或Sb2Se3量子点的能级与CdTe不同，可以吸收CdTe不能吸收的光，从而提升短路电流密度。实施例的实验结果表明，本发明提供的薄膜太阳电池短路电流密度达35.64mA/cm2，此外，本发明提供的薄膜太阳电池结构简单，适宜规模化生产。
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公开(公告)号：CN111270214A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010223363.7
申请日：2020-03-26
Applicant: 郑州科之诚机床工具有限公司 , 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种磁控溅射制备C轴择优取向氮化铝多晶薄膜的方法和氮化铝多晶薄膜，涉及薄膜材料制备技术领域。本发明将半导体材料基片与高纯溅射铝靶相对垂直放置，可大幅提高溅射铝原子团到达基片后平行基片表面迁移运动的能量，有利于氮化铝薄膜C轴择优取向生长，提高薄膜的压电响应及机电耦合系数；本发明在半导体材料基片附近设置热丝，热丝产生的高温辐射对氮化铝薄膜进行快速热处理，能够提高薄膜的结晶程度。因此，本发明提供的方法能够实现较低温度下利用磁控溅射技术生长C轴择优取向氮化铝薄膜，得到的氮化铝薄膜结晶度高，具有较高的压电响应系数及机电耦合系数，能够作为芯片材料在声表面波器件或体声波器件中应用。
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公开(公告)号：CN109449226A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811284427.3
申请日：2018-10-31
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种薄膜太阳电池及其制备方法，属于太阳电池领域，包括依次叠层设置的衬底、透明导电薄膜、窗口层、CdTe光学吸收层、量子点缓冲层和导电背电极；所述量子点缓冲层包括SnSe量子点缓冲层或Sb2Se3量子点缓冲层。本发明以SnSe量子点缓冲层或Sb2Se3量子点缓冲层作为量子点缓冲层，由于SnSe量子点或Sb2Se3量子点的能级与CdTe不同，可以吸收CdTe不能吸收的光，从而提升短路电流密度。实施例的实验结果表明，本发明提供的薄膜太阳电池短路电流密度达35.64mA/cm2，此外，本发明提供的薄膜太阳电池结构简单，适宜规模化生产。
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