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公开(公告)号：CN114486980A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011147201.6
申请日：2020-10-23
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: G01N25/00
Abstract: 本发明涉及热开关技术领域，尤其涉及一种热开关装置及低温测试设备。该热开关装置包括调节机构、夹持机构以及辐射屏罩，夹持机构包括两个定位板、两个第一连接板、两个第二连接板、两个夹持部以及一个固定部，固定部通过第一转动轴分别与两个第一连接板的上端转动连接，两个第一连接板的下端分别通过第二转动轴与两个第二连接板的上端对应转动连接，两个第二连接板之间通过第三转动轴相互交叉转动连接，两个第二连接板的下端分别与两个夹持部对应固定连接，两个定位板的上端分别与辐射屏罩的上顶板固定连接，两个定位板的下端分别与第三转动轴的两端对应固定连接。本发明适用于悬挂样品的降温控制，结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN108870821A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810679670.9
申请日：2018-06-27
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种以制冷机为冷源的低温冷却设备，包括具有真空腔的罩体，制冷机，以及设置于真空腔内的液氦池、超流氦池和样品容器；二级冷头上设置有冷凝器；超流氦池位于液氦池下方位置；液氦池容纳腔与超流氦池容腔之间通过节流管路连通；样品容器位于超流氦池下方位置，且样品容器与超流氦池的底面贴合固定；该设备还包括有主进气管路以及气体循环管路；主进气管路的一端与氦气供给设备连接，另一端与液氦池容纳腔连通连接；气体循环管路的一端与超流氦池容腔连通，另一端与主进气管路连通连接。本发明提供的低温冷却设备可快速的利用常温高纯氦气获取1.8K超流氦，被冷却样品预冷时间短，方便对需要极低温的装置进行快速冷却。
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公开(公告)号：CN106442895A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611042824.0
申请日：2016-11-21
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: G01N33/00
CPC classification number: G01N33/00
Abstract: 本发明公开了一种用于测试气体低温吸附性能的测试装置，包括低温装置、气体吸附仪和进气管路；低温装置包括制冷机、设置在制冷机二级冷头上的用于放置测试用样品的样品腔、罩设在制冷机二级冷头及样品腔外的屏蔽罩及罩设在所述屏蔽罩外使制冷机一级冷头、制冷机二级冷头和样品腔处在真空环境下的真空罩；所述样品腔通过输气管路与所述气体吸附仪内吸附仪参考腔连接。本发明所提供的测试装置以制冷机作为冷源，其解决了现有技术中气体低温吸附性能测试装置对低温液体的过分依赖，导致实验操作复杂，造成作为低温液体的原材料大量浪费的问题。
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公开(公告)号：CN104848718A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510207954.4
申请日：2015-04-28
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及脉动热管研究技术领域，提供了一种低温脉动热管预冷装置及包含该装置的测试系统。其中，低温脉动热管预冷装置包括真空罩、冷屏、制冷机和机械热开关；所述冷屏位于所述真空罩内；所述制冷机通过所述机械热开关实现与设置在所述冷屏内部的低温脉动热管的加热段之间的热接触/热分离。该低温脉动热管预冷装置，通过机械热开关对低温脉动热管的加热段进行预冷，可迅速降低低温脉动热管的饱和温度；在预冷完成以后完全断开机械热开关，从而不会对低温脉动热管的参数影响和传热极限等的分析造成影响，且不影响对低温脉动热管的传热性能测试。
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公开(公告)号：CN104792113A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410030416.8
申请日：2014-01-22
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: F25J1/02
CPC classification number: F25J1/0007 , F25J1/0037 , F25J1/004 , F25J1/0045 , F25J1/0208 , F25J1/0238 , F25J2220/02 , F25J2270/06
Abstract: 本发明提出一种氦液化器，其包括制冷机及内纯化器，内纯化器从制冷机引入冷源氦气，内纯化器包括一级、二级、三级换热器、气液分离器，冷源氦气引入三级换热器并流经二级换热器，一级换热器和制冷机相连接。内纯化器还包括连接于一级换热器和二级换热器之间、且顺流布置的四级换热器，冷源氦气流经过二级换热器后与回热氦气在四级换热器中进行换热。所述氦液化器可有效地提高工作稳定性。本发明另外提供所述氦液化器的控制方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102288634A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010209189.7
申请日：2010-06-17
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及热物性测量装置，包括：制冷机(2)，其为待测样品提供冷量以将待测样品的温度降低到测量温度；密闭的真空腔(1)，其为测量提供真空绝热环境，其特征在于，还包括容纳待测样品的密闭的样品室(8)；样品架插入管(6)，该样品架插入管是一端为封闭端而另一端为敞口端的管形件，该封闭端伸入该真空腔(1)内；样品架(7)，其第一端连接该样品室(8)，其第二端与该样品架插入管(6)的敞口端可拆卸地密封接合，相互连接的该样品室(8)和该样品架(7)适于插入到该样品架插入管(6)内。本发明主要用于低温下对待测样品进行热物性测量，与传统的热物性测量装置相比，本发明的热物性测试装置具有样品更换便捷、测试周期短等优点。
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公开(公告)号：CN102288065A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010209186.3
申请日：2010-06-17
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明提供一种热开关，包括容纳有导热气体的密闭的容器(1)，该容器的一端为冷端导热块(2)，另一端为热端导热块(3)，其特征是，该容器(1)内还设有吸附器，该吸附器包括吸附器腔体(4)、装于该吸附器腔体内用于吸附该导热气体的吸附剂(5)和加热在该吸附器腔体内的吸附剂(5)的加热机构，在该吸附器腔体(4)上设有用于该导热气体进出该吸附器腔体的通气孔(7)。本发明主要用于控制测量时热量传递的导通与断开，与传统的热开关相比，其利用吸附剂吸附导热气体来使容器(1)内达到高真空状态，故本发明的热开关中无运动部件，结构简单，从而提高热开关的效率。本发明还提供一种用于待测样品的热物性测量的测量装置，它包括上述热开关和测量容纳在样品室内的待测样品的测量机构。
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公开(公告)号：CN112649284B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202110031460.0
申请日：2021-01-11
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于材料低温力学性能测试的辅助装置，包括：筒体，所述筒体的内壁与外壁之间形成真空夹层，所述筒体内填充有低温液体，材料试验机的夹持臂、材料试验机的力学支架和试样设置在所述筒体内；观察窗组件，安装在所述筒体，以对所述筒体内的所述试样的低温力学性能测试过程进行观察。本发明提供的用于材料低温力学性能测试的辅助装置，通过设置观察窗组件，实现了材料低温力学性能测试过程的可视化；同时本发明提供的用于材料低温力学性能测试的辅助装置可通过使用不同的低温工质，实现不同低温温区的材料低温力学性能测试过程的可视化，为低温环境下材料力学性能的评价、材料损伤过程的研究以及材料工艺的优化控制提供技术支撑。
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公开(公告)号：CN114486981B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202011147230.2
申请日：2020-10-23
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: G01N25/00
Abstract: 本发明涉及材料发射率测量技术领域，尤其涉及一种材料低温半球发射率的测试系统及方法。该材料低温半球发射率的测试系统包括测试装置、真空泵、制冷装置以及控温装置，真空泵和制冷装置分别与测试装置相连，测试装置包括真空罩、屏蔽罩、辐射屏罩以及悬挂设置在辐射屏罩内部的样品台，样品台包括电加热片以及分别设置在电加热片两侧的两个金属片，各金属片背向电加热片的一侧分别设有被测样品涂层，且各金属片上分别设有温度计，电加热片和各温度计分别与控温装置相连。本发明提供的材料低温半球发射率的测试系统，可实现10K到300K材料的平均半球发射率的连续测量，可测量温度范围更大，进而提高了测量准确度。
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公开(公告)号：CN114486981A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011147230.2
申请日：2020-10-23
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: G01N25/00
Abstract: 本发明涉及材料发射率测量技术领域，尤其涉及一种材料低温半球发射率的测试系统及方法。该材料低温半球发射率的测试系统包括测试装置、真空泵、制冷装置以及控温装置，真空泵和制冷装置分别与测试装置相连，测试装置包括真空罩、屏蔽罩、辐射屏罩以及悬挂设置在辐射屏罩内部的样品台，样品台包括电加热片以及分别设置在电加热片两侧的两个金属片，各金属片背向电加热片的一侧分别设有被测样品涂层，且各金属片上分别设有温度计，电加热片和各温度计分别与控温装置相连。本发明提供的材料低温半球发射率的测试系统，可实现10K到300K材料的平均半球发射率的连续测量，可测量温度范围更大，进而提高了测量准确度。
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