公开(公告)号：CN114217199B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202111503480.X

申请日：2021-12-10

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 王信 ,  李小龙 ,  张晋新 ,  玛丽娅·黑尼 ,  刘默寒 ,  李豫东 ,  郭旗 ,  陆妩

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，实现1/f噪声测试系统的测量电阻单元与变温室中待测样品的电气连接及噪声参数传递。本发明可以实现81K‑500K连续可调温度环境中的多种封装半导体器件的1/f噪声测试，用于半导体器件低频噪声测试及半导体器件缺陷的测试与分析。

公开(公告)号：CN114217199A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111503480.X

申请日：2021-12-10

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 王信 ,  李小龙 ,  张晋新 ,  玛丽娅·黑尼 ,  刘默寒 ,  李豫东 ,  郭旗 ,  陆妩

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，实现1/f噪声测试系统的测量电阻单元与变温室中待测样品的电气连接及噪声参数传递。本发明可以实现81K‑500K连续可调温度环境中的多种封装半导体器件的1/f噪声测试，用于半导体器件低频噪声测试及半导体器件缺陷的测试与分析。

公开(公告)号：CN108401151B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201810250683.4

申请日：2018-03-26

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 李豫东 ,  文林 ,  冯婕 ,  施炜雷 ,  于新 ,  玛丽娅·黑尼 ,  郭旗

IPC: H04N17/00

Abstract: 本发明涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法，该方法中涉及的远距离传输的图像转接装置是由测试板、第一Camerlink数据线、同轴发送盒、同轴穿罐电缆、同轴接收盒、第二Camerlink数据线、光纤发送端、光纤电缆、光纤接收端和图像采集计算机组成，通过设置图像采集软件的频率和图像模式使其满足互补金属氧化物半导体图像传感器要求，再设置图像传感器成像的增益、积分时间和帧率；然后采集、保存图像，开启单粒子辐照束流；继续采集、保存图像，当单粒子辐照束流达到1×107 ion·cm‑2后，关闭单粒子辐照束流，停止采集、保存图像。根据图像数据准确判断互补金属氧化物半导体图像传感器发生的单粒子效应。该方法可靠性高、数据传输速度快、操作方便、简单易行。

公开(公告)号：CN109187445A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201811242778.8

申请日：2018-10-24

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 玛丽娅·黑尼 ,  莫敏·塞来 ,  艾尔肯·阿不都瓦衣提 ,  赵晓凡 ,  慎小宝 ,  许焱 ,  雷琪琪 ,  李豫东 ,  郭旗

IPC: G01N21/63

Abstract: 本发明涉及一种光致发光测试中避免激发激光谐波影响的方法，该方法中涉及的装置由待测样品、凸透镜、单色仪、入射激光、光致发光、反射激光和探测器组成，通过改变入射激光与待测样品表面的夹角为10°-30°，而达到避免激发激光二次谐波影响目的。本发明所述方法具有操作简单、效率高、无需任何其他滤光片等特点。解决了目前存在的问题。