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公开(公告)号：CN113917217A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111187762.3
申请日：2021-10-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于辐照后光电成像器件暗电流激活能测试方法。该方法涉及装置是由高低温箱和样品测试板两部分组成。将置于高低温箱中的样品测试板接通电源，然后调节高低温箱内的温度调节模块，达到目标温度后，保证测试样品与高低温箱环境温度一致，通过计算机中的采图软件，找出热像素灰度值达到饱和时对应的积分时间，确定为最大积分时间，等间隔选择10个小于最大值的积分时间，每个积分时间下采集10帧图像，完成不同温度下暗场测试；暗电流与工作温度之间的关系可以用阿伦纽斯公式描述，提取曲线的斜率，计算每个像素的暗电流激活能。本发明可以在实验室条件下完成辐照后暗电流激活能的测试，适用范围广，方法简单有效，计算结果准确。
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公开(公告)号：CN111366340B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010385703.6
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后饱和灰度值评估方法，该方法涉及装置是静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、大面阵彩色CMOS图像传感器样品、直流电源和计算机组成，首先打开积分球光源，并关闭测试室中其他照明光源，然后设置积分球光源为固定光强，由小至大调整积分时间，使输出图像由黑至最亮，根据坐标将图像传感器不同像素单元的相应数据归类放入R、GB、GR或B通道的灰度值矩阵中，分别计算各通道所有像素的平均灰度值，画出各通道所有像素的平均灰度值随积分时间变化的曲线，根据曲线可得饱和灰度值，本发明操作方便简单，可以直观的看出辐照引起器件各通道饱和灰度值退化的情况。为大面阵彩色CMOS图像传感器在空间应用时的抗辐射设计提供理论依据和技术支撑。
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公开(公告)号：CN112945270A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110108151.9
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01C25/00
Abstract: 本发明涉及一种基于星对角距平均测量误差的星敏感器辐射损伤外场评估方法，该方法涉及装置由样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、成像镜头、直流电源、计算机和转台组成，调整转台拍摄非天顶方向星区，采取星图进行星点提取、星图匹配，再调整转台的回转角和俯仰角，使外壳结构件上的固定成像镜头能够对准天顶方向天区，得到转台在方位俯仰都是相对0度时对应的星点坐标位置，再计算出非天顶方向星图中匹配成功的任意两颗恒星对应的星敏感器测量坐标系下的方向向量，并计算其夹角，得到测量星对焦距；再计算每幅星图匹配成功的任意两颗恒星在地心赤道惯性坐标系下的夹角，得到理论星对焦距。最后计算星对角距理论值和测量值均值的差值，即为星对焦距平均测量误差。本发明可以在外场条件下快速评估星敏感器在不同累积辐射剂量下辐射损伤，方法简单，实用性强。
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公开(公告)号：CN107197236A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710507516.9
申请日：2017-06-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H04N17/00
CPC classification number: H04N17/00
Abstract: 本发明涉及一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对在轨暗场测试采集到的其中任一幅图进行计算，得到该幅图的背景信号SBG和图像饱和信号Smax，然后统计该幅图中信号灰度值介于2SBG和Smax之间的热像素信号个数，对于单个热像素信号计算其最亮像素的灰度值，统计单个热像素的拖尾信号所占的像素个数，并计算单个热像素所占拖尾像素的灰度值之和，再计算单个热像素信号转移到输出端的转移次数，根据公式计算出单个热像素的电荷转移损失率，以此求出基于单个热像素的电荷耦合器件的单次电荷转移效率。最后计算所求出的N个电荷转移效率的均值，即为在轨电荷耦合器件的电荷转移效率。本发明实时性强，方法简单快速，计算结果准确。
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公开(公告)号：CN106840613A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710077573.8
申请日：2017-02-14
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01M11/02
CPC classification number: G01M11/00
Abstract: 本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。用辐照后亮场数据减掉相同积分时间的辐照后暗场数据，得到辐照后平均灰度值的差值及灰度值时域方差的差值，分别以其作为横、纵坐标绘制出辐照后正确的光子转移曲线，这曲线的线性部分的拟合斜率即为辐照后正确的转换增益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117041532A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311138362.2
申请日：2023-09-04
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器单粒子翻转在线判别方法，该方法包括：采集初始图像，初始图像为图像传感器在辐照源照射下采集的图像；采集在线图像，在线图像为图像传感器在辐照源照射下工作状态的图像；识别初始图像的第一亮斑、在线图像中的第二亮斑，分别记录第一亮斑信息、第二亮斑信息，亮斑的信息包括亮斑的个数和亮斑占据的像元；根据第一亮斑信息计算初始图像的初始灰度值，根据第二亮斑信息计算在线图像的全局灰度值、列灰度值、行灰度值；将在线图像的全局灰度值、列灰度值、行灰度值与初始图像的初始灰度值比较，进行灰度值异常判别；当灰度值发生异常，判定图像传感器发生单粒子翻转。本公开还提供一种图像传感器失效位置在线判别方法。
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公开(公告)号：CN116310512A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310106275.2
申请日：2023-02-13
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06V10/764 , G06V10/40 , G01N23/04 , G01N21/88
Abstract: 本公开提供了一种光电成像器件辐射损伤的分类方法，应用于图像传感器检测技术领域，包括：获取不同退火时间下光电成像器件采集到的暗场图像像素的暗电流数据，对满足预设条件的像素的暗电流数据进行样条插值，得到样条插值结果，对样条插值结果取切比雪夫零点，对切比雪夫零点进行拉格朗日插值，得到暗电流演变的多项式结果并将暗电流演变的多项式结果在预设坐标系中绘制成暗电流演变曲线，对于每两个不同的像素，分别将每两个不同的像素的暗电流演变曲线绘制于预设坐标系中，得到曲线绘制结果，根据曲线绘制结果，得到光电成像器件辐射损伤的像素级分类结果。本公开还提供了一种光电成像器件辐射损伤的分类装置、电子设备及存储介质。
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公开(公告)号：CN111220867A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010040606.3
申请日：2020-01-15
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应的测试方法。该方法所涉及的测试系统是由PC机和CMOS图像传感器测试板组成，其中CMOS图像传感器测试板由图像和数据接口、现场可编程门阵列、CMOS图像传感器和外围电路组成，在PC机中设置有图像成像软件和寄存器读写软件，PC机中图像采集卡通过数据线与CMOS图像传感器测试板中的图像和数据接口相连，现场可编程门阵列将图像数据映射成标准图像格式传递给PC机，电源通过外围电路为CMOS图像传感器和现场可编程门阵列供电，寄存器读写软件可读写CMOS图像传感器内部寄存器值，同时将读出值和初值进行比较，判定该寄存器是否发生翻转，并自动统计寄存器发生翻转次数。本发明所述方法简单快速，计算结果准确，实时性强。
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公开(公告)号：CN110702098A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910972061.7
申请日：2019-10-14
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于星对角距测量精度的星敏感器辐射损伤实验室评估方法，该方法中涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、样品调整转台、样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、直流电源、计算机、平行光管、自准直经纬仪、单星模拟器和成像镜头组成，利用自准直经纬仪将固定在样品测试板上的成像镜头和平行光管对齐，将单星模拟器调到零等星，样品调整转台调到回转角0°，俯仰角0°，通过成像镜头对模拟单星星点成像，再通过暗场测试，提取单个星点的质心坐标位置，然后换算成星点的方向矢量，利用星点方向矢量得到星对角距的测试值，再通过转台角度的调整得到星对角距的理论值，即为星对角距测量精度。本发明可以在实验室条件下快速评估星敏感器在不同累积辐射剂量下辐射损伤，方法简单，实用性强。
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公开(公告)号：CN106370629A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610720572.6
申请日：2016-08-25
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01N21/63
CPC classification number: G01N21/63
Abstract: 本发明涉及一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤分析的测试方法，该方法中涉及装置是由激光器、第一凸透镜、斩波器、低温样品室、载样铜片、待测光电材料、第二凸透镜、第三凸透镜、光栅光谱仪、探测器、锁相放大器和记录仪组成，利用斩波器斩波的具有频率的非连续激光，经过凸透镜聚焦后打在待测光电材料中心位置，样品受激光激发后发出的光经凸透镜收集聚焦并投射入光栅光谱仪的狭缝入口，经光谱仪分光后经由光电探测器接受信号，并经过锁相放大器对信号进行降噪放大，所采集的不同信号得出光电材料的光致发光谱，再将光电材料受高能粒子辐照后，再进行测试一次，即可得到光电材料的光致发光谱辐射损伤。该方法减轻了光电材料辐照前后光致发光谱测试的工作量；结构紧凑，操作简单方便。
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