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公开(公告)号：CN103746417B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310717584.X
申请日：2013-12-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02J7/00
Abstract: 本发明涉及低功耗控制技术领域，公开了一种电池监测芯片的低功耗控制方法及系统。本发明根据电池的使用状态，对电池监测芯片的寄存器进行读写操作，使电池监测芯片在初始上电情况下处于待机工作模式，再对电池监测芯片的寄存器进行读写操作，使芯片进入正常工作模式。若电池处于充电或放电状态，则保持正常工作模式；若电池处于静置状态，则进入掉电工作模式。当检测到电池再次进行充电或放电时，则再进入正常工作模式，从而使电池监测芯片工作于不同的工作模式，而待机工作模式和掉电工作模式均为低功耗的工作模式，使电池监测芯片不必时刻工作在正常工作模式，从而降低了电池监测芯片对电池电量的损耗，进而延长了电池的使用时间。
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公开(公告)号：CN103744464B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310714141.5
申请日：2013-12-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种具有电流补偿的带隙基准电路，包括带隙基准核心电路、补偿电流产生电路和启动电路。该基准电路在传统一阶温度补偿带隙基准的基础之上，由补偿电流产生电路产生一个与一阶温度补偿输出电压曲线互补的电流，并通过电阻R7将该电流转换成电压，并与带隙基准核心电路产生的电压叠加求和，产生一个高精度的输出电压。该电路不需要特殊的工艺，仅通过增加少量MOS管和电阻就能实现高阶补偿，具有直观简单、易于理解、容易实现的优点。
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公开(公告)号：CN103745973A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310733250.1
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及ESD技术领域，公开了一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路。其中，ESD保护器件包括：衬底、埋入层、高压N阱区、高压P阱区、低压P阱区及低压NMOS管；埋入层在衬底上；高压P阱区在埋入层上；低压P阱区在高压P阱区上；低压NMOS管在低压P阱区内；高压N阱区在高压P阱区的外部，并与埋入层接触；低压NMOS管的栅极与源极连接，并连接到高压P阱区上作为保护器件的正极；低压NMOS管的漏极与高压N阱区连接，作为保护器件的负极。本发明中的ESD保护器件的两端均可以接高电平，ESD电路中的ESD保护器件一一对应地与电池的两端连接，实现了对电池管理芯片的ESD保护。
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公开(公告)号：CN103744464A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310714141.5
申请日：2013-12-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种具有电流补偿的带隙基准电路，包括带隙基准核心电路、补偿电流产生电路和启动电路。该基准电路在传统一阶温度补偿带隙基准的基础之上，由补偿电流产生电路产生一个与一阶温度补偿输出电压曲线互补的电流，并通过电阻R7将该电流转换成电压，并与带隙基准核心电路产生的电压叠加求和，产生一个高精度的输出电压。该电路不需要特殊的工艺，仅通过增加少量MOS管和电阻就能实现高阶补偿，具有直观简单、易于理解、容易实现的优点。
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公开(公告)号：CN103326679A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310303476.8
申请日：2013-07-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F3/217
Abstract: 本发明公开了一种D类音频功率放大器及其音频信号处理方法。该D类音频功率放大器包括前级放大模块、三角波发生器、积分器、反馈回路、比较器和驱动模块；还包括脉冲宽度检测器，用于检测输出信号的脉冲宽度，脉冲宽度检测器的输入脉冲宽度在0～4μs范围内。由于增设了脉冲宽度检测器，本发明的D类音频功率放大器降低了还原的音频信号的饱和失真。PWM信号通过功率开关来驱动扬声器，而扬声器将音频信号还原，由于PWM信号的脉冲宽度准确包含了输入音频信号的幅值信息，本发明的D类音频功率放大器也提高了输出音质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102324587A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110130035.3
申请日：2011-05-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于锂电池组管理芯片的电池数目检测电路及方法。所述电路包括和锂电池组相连的，用于将锂电池组中较高的节点电压降低至芯片内部低压电路的工作电压范围内的电池组节点电压增益模块；用于将电池组节点电压增益模块输出的多个待检测电压进行选择，并将多个待检测电压分别分时输入电池数目检测模块的电压多路选择器；用于比较各个待检测电压与最高电压的关系，得到电池数目的信息的电池数目检测模块和逻辑产生电路。本发明用于锂电池组管理芯片的电池数目检测电路是一种更加灵活的检测电路，适合集成化，并可以提高电池组管理芯片的灵活度；可以自由地管理不同数目的电池而无需调整系统的配置，从而增加了系统的灵活性。
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公开(公告)号：CN112886952B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110043559.2
申请日：2021-01-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03K5/135
Abstract: 本发明属于数字时钟电路技术领域，公开了一种高速时钟电路的动态延时补偿电路，包括：锁相环、粗计数器、第一细采样电路、三个同步模块以及输出选择模块；锁相环电路分别向粗计数器和第一细采样电路输出整体时钟信号和相位信号；粗计数器分别向三个同步模块输出粗计数器值；第一细采样电路生成细编码值并将细编码值以及经过延时DB和两次延时DB分别得到三路细计数器值；三个同步模块分别与第一细采样电路相连对应接收三路细计数器值并分别与粗计数器值同步而后生成三路同步信号值；输出选择模块基于预设的选取规则选取一路同步信号值输出。本发明提供的补偿电路具有简单，高效，低成本的优点，能够弥补温度对于电路的影响，本质上解决延时对于电路的影响。
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公开(公告)号：CN117578999A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311872876.0
申请日：2023-12-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种自校准振荡器，可以应用于集成电路技术领域。该自校准振荡器包括：第一斩波器、频率电压转换模块、斩波运放器、压控振荡器；其中，第一斩波器被配置为基于第一斩波频率，向振荡器周期性发送目标基准电流；频率电压转换模块被配置为向斩波运放器提供第一输入电压和第一基准电压；斩波运放器被配置为基于第二斩波频率，对第一输入电压和第一基准电压进行处理，得到目标输入电压和目标基准电压，并基于目标输入电压和目标基准电压，生成控制电压；压控振荡器被配置为基于控制电压，生成目标频率下的时钟信号。
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公开(公告)号：CN111416619A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010224274.4
申请日：2020-03-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03L7/18
Abstract: 本发明公开一种延时测量电路、延时测量方法、电子设备和芯片，涉及电子电路技术领域，以实现动态测量计数器翻转沿与主时钟触发沿之间的延时，使采样补偿更加准确，保证通道间一致性。该延时测量电路包括，逻辑电路，用于基于第一多比特信号、第二多比特信号和主时钟信号生成延时间隔信号；锁存电路，用于基于延时间隔信号上升沿对多相位时钟信号进行锁存，获得多相位时钟信号的锁存值；编码电路，用于基于锁存值生成第一多比特信号翻转沿和主时钟信号上升沿之间的延时码，或者，生成第二多比特信号翻转沿和主时钟信号下降沿之间的延时码。所述延时测量方法和芯片应用于延时测量。所述延时测量电路应用于电子设备中。
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公开(公告)号：CN103852622A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410081052.6
申请日：2014-03-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种电池组单体电池电压检测电路包括：高压模拟开关阵列，其输入端连接待检测单体电池两端，其输出端连接高共模输入误差放大器；高共模输入误差放大器，用于把高共模的电池信号变成以低电压为参考电压的差分信号进行检测；其中，检测电池组中待检测单体电池电压时，连接在此电池正负极板上高压模拟开关阵列中对应一组高压开关导通，把电池电压信号直接输出到高共模输入误差放大器。检测电池组中待检测单体电池电压时，连接在此电池正负极板上的高压开关导通，把电池电压信号输出到高共模输入误差放大器。采用本发明的高电压检测电路较传统的检测电路，节约芯片面积的同时提高了检测精度。
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