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公开(公告)号：CN114264927A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111585674.9
申请日：2021-12-22
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本公开提供一种阵列器件测试装置，包括：装载板，用于装载待测的阵列器件；主控电路板，与所述装载板电连接，用于选择所述阵列器件中特定地址的单元器件，并控制施加给所述单元器件的直流信号与脉冲信号之间的切换；半导体参数分析仪，用于输出所述直流信号或所述脉冲信号对所述特定地址的单元器件进行测试；控制主机，用于控制所述主控电路板和所述半导体参数分析仪，并对所述半导体参数分析仪测试的结果进行统计分析。本公开另一方面还提供一种阵列器件的测试方法。
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公开(公告)号：CN113658881A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110933947.8
申请日：2021-08-13
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本申请实施例公开了一种TFT沟道缺陷态密度的提取方法，该方法只需根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线即可提取到TFT的沟道缺陷态密度，其中，TFT的沟道缺陷态密度包括TFT的沟道界面缺陷态密度，与现有技术通常根据TFT的C‑V特性曲线来提取TFT的沟道缺陷态密度的方法相比，该方法更加简单快速，且该方法可以根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线直接提取到TFT的沟道界面缺陷态密度，以便于后续区分TFT的沟道界面缺陷态密度和沟道内部缺陷态密度，从而定位TFT的沟道缺陷分布，进而分析沟道材料、工艺等对TFT性能的影响，这对TFT在实际生产过程中工艺的改进以及产品性能的检测指导性更强。
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公开(公告)号：CN109243357B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201811339697.X
申请日：2018-11-12
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G09G3/20
摘要： 本发明公开了一种像素扫描的驱动电路及方法。其中，该方法包括：控制部，用于提供控制信号，其中，控制信号包括：时钟控制信号和译码控制信号，时钟控制信号用于控制是否进行隔行扫描，译码控制信号用于控制起始扫描行；至少一个驱动部，与控制部相连，用于根据时钟控制信号和译码控制信号，生成用于进行像素扫描的驱动信号。本发明解决了现有像素驱动电路的驱动方式不灵活的技术问题。
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公开(公告)号：CN111445842B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202010453158.X
申请日：2020-05-25
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G09G3/32 , G09G3/3208 , G09G3/3266
摘要： 本发明公开一种显示阵列的驱动电路和驱动方法，涉及显示技术领域，以满足高分辨率的显示需求。所述显示阵列的驱动电路包括m行×n列个像素驱动单元。每个像素驱动单元在一个驱动周期内包括多个灰阶控制时段。像素驱动单元包括：选通晶体管、第一驱动晶体管、存储电容及发光电路。其中：选通晶体管分别与第一驱动晶体管的控制端和存储电容电连接。每个选通晶体管用于在每个灰阶控制时段内在m行扫描信号的控制下将m个数据信号一一对应写入每个存储电容内。第一驱动晶体管的第一电极与发光电路电连接。第一驱动晶体管的第二电极接地。每个第一驱动晶体管用于在每个灰阶控制时段内在m个数据信号的控制下控制每个发光电路工作。
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公开(公告)号：CN112271248A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011159657.4
申请日：2020-10-26
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 一种基于氧化物纳米线的压力传感器结构及其制备方法，该压力传感器结构包括衬底；底电极，设置在衬底上；种子层，设置在底电极上；氧化物纳米线，设置在种子层上；支撑层，设置在氧化物纳米线上；以及顶电极，设置在支撑层上。本发明提供的压力传感器，工艺比较简单，可以推广到制作多种具有压力感应效应材料的压力传感器；本发明的压力传感器器件制作简单，成本低，还具有低能耗的特点。
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公开(公告)号：CN112062993A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010984185.X
申请日：2020-09-18
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明提供了一种单分子层半导体高聚物薄膜的制备方法，所述方法包括：将高聚物溶解于有机溶剂中，获得浓度为20μg/ml～50μg/ml高聚物溶液，所述有机溶剂为甲苯、间二甲苯、对二甲苯中的一种；获得衬底，将所述高聚物溶液滴加到所述衬底的表面，静置后，获得薄膜衬底；将所述薄膜衬底进行退火处理，获得单分子层半导体高聚物薄膜。该方法通过溶液滴铸法直接大面积自组装在衬底上，制备了大面积的单分子层半导体高聚物薄膜。该方法制备简单，可用于未来做有机单分子层电子器件的关键技术铺垫。
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公开(公告)号：CN111985633A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010657004.2
申请日：2020-07-09
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G06N3/063
摘要： 本发明涉及人工神经形态技术领域，尤其涉及一种模拟人工感知神经元的方法及电路，该电路包括：图像传感器和振荡神经元电路；振荡神经元电路，包括：阻变存储器、电容器以及负载电阻，阻变存储器与所述电容器并联，负载电阻与阻变存储器串联；图像传感器与振荡神经元电路串联；图像传感器在接收到不同波长的入射光时，对不同波长的入射光进行处理，输出不同的图像信号；振荡神经元电路基于不同的图像信号，输出不同的振荡信号，以实现对不同波长的入射光进行处理的过程，以构造感知神经元，并模拟感知神经元的功能。
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公开(公告)号：CN111933197A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010656891.1
申请日：2020-07-09
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种对检测到的信号进行处理的方法及电路，该电路包括：阻变存储器、负载电阻、电容器、外加电源，阻变存储器与电容器并联，阻变存储器与负载电阻串联，该外加电源施加外加电压于阻变存储器和负载电阻串联形成的电路两端，将检测到的信号作为外加电压，经过该电路的处理后，输出振荡信号，在该外加电压超出第一阈值电压时，该阻变存储器从高阻态转变为低阻态，且电容器开始放电；外加电压降至第二阈值电压以下时，阻态存储器从低阻态转变为高阻态，且该电容器开始放电；基于该电容器的充电时长、放电时长、以及经过充电和放电得到的振荡频率，获得振荡信号的波形，进而用于模拟神经元系统中对采集到的信号进行处理的过程。
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公开(公告)号：CN111640800A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010366057.9
申请日：2020-04-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该器件包括：绝缘衬底；由下至上依次设置于所述绝缘衬底上的栅极、栅介质层、有源层和源漏电极；其中，所述有源层的材料为铁板钛矿与钛氧化物形成的异质结构材料。本发明提供的器件和方法，用以解决现有技术中半导体器件的性能有待提升的技术问题。提供了一种性能较优的半导体器件。
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公开(公告)号：CN111640673A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010352885.7
申请日：2020-04-29
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/34 , H01L21/28 , H01L21/44 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49
摘要： 本发明涉及薄膜晶体管技术领域，尤其涉及一种双栅薄膜晶体管及其制作方法，该双栅薄膜晶体管，包括：衬底、位于所述衬底上的有源层、位于所述有源层上的介质层、位于所述介质层两侧的源电极和漏电极；还包括：并排位于所述介质层上的第一栅电极和第二栅电极，且所述第一栅电极的功函数和所述第二栅电极的功函数间存在功函数差，由于第一栅电极的材料和第二栅电极的材料不同，即存在功函数差，因此，在沟道中形成加速电场，进而有利于增加载流子的迁移率，降低亚阈值摆幅，改善器件的偏置稳定性并减少器件的关态电流，能够在亚阈值区域表现较佳效果。
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