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公开(公告)号：CN118969773A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411043120.X
申请日：2024-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种nTSV‑BPR电学测试结构及其制备方法，该方法包括如下步骤：提供衬底并对衬底进行刻蚀形成BPR沟道；沉积BPR导电材料以填充BPR沟道；对沉积的BPR导电材料进行刻蚀，形成所需形状的BPR；对衬底中的Si层进行同质外延形成外延Si层，外延Si层对BPR形成覆盖；对外延Si层进行刻蚀，形成纳米硅通孔；在纳米硅通孔表面沉积侧壁介质层；沉积纳米硅通孔导电材料以填充纳米硅通孔，形成nTSV填充层；在nTSV填充层上方进行沉积并刻蚀形成金属导电层。本发明的方法形成的nTSV与BPR的电学互连测试结构，不需要采用键合工艺，避免了晶圆键合造成的晶圆畸变，解决了BPR与nTSV的对准困难问题。
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公开(公告)号：CN112152578A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010968439.9
申请日：2020-09-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开一种调制信号解调电路、解调方法和电子设备，涉及电子电路技术领域，以解决难以检波浅调制信号的问题。调制信号解调电路包括：包络检波器和动态偏置控制环路；所述包络检波器的输出端电连接所述动态偏置控制环路的输入端，所述动态偏置控制环路的输出端电连接至所述包络检波器；所述包络检波器，用于将调制信号检波并放大，生成包络信号；所述动态偏置控制环路，用于根据所述包络信号生成所述包络检波器的偏置电压，其中，所述偏置电压用于当所述调制信号变化时控制所述包络检波器稳定在静态工作点。本发明提供的调制信号解调电路用于检波浅调制信号。
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公开(公告)号：CN105991002B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510058455.3
申请日：2015-02-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02M1/06
Abstract: 本发明公开了一种CMOS整流二极管电路单元，包括一个PMOS晶体管、一个NMOS晶体管、第一偏置电压源和第二偏置电压源；所述PMOS晶体管的源极与所述第二偏置电压源的负端相连，并一起连接到整流二极管单元的正端，所述PMOS晶体管的栅极与所述第一偏置电压源的负端相连，所述PMOS晶体管的漏极和衬底连接在一起，并与所述NMOS晶体管的漏极和衬底相连；所述NMOS晶体管的源极与所述第一偏置电压源的正端相连，并一起连接到整流二极管单元的负端，所述NMOS晶体管的栅极与所述第二偏置电压源的正端相连。本发明提供的CMOS整流二极管电路单元不仅具有较低的开启电压，而且具有非常低的反向漏电，适用于在超低功耗整流电路中，可有效提高整流电路的效率。
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公开(公告)号：CN102790174A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110132733.7
申请日：2011-05-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明实施例公开了一种电容器件，包括：下电极；下电极上的介质层，其中，所述介质层包括有机介质层；介质层上的上电极。通过形成包括有机介质层的介质层，有机介质层具有更好的电子俘获能力，可以减少电容器件的漏电，从而提高电容器件的性能。
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公开(公告)号：CN102723438A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110076731.0
申请日：2011-03-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法。本发明的有机阻变型存储单元，采用高功函数的金属或导电聚合物为阳极，低功函数的金属为阴极。阳极和有机半导体层之间形成欧姆接触，而阴极和有机半导体层之间形成肖特基接触，从而使该有机阻变型存储单元具有自整流性能。本发明在不明显提高成本和工艺复杂度的前提下，消除了有机阻变型存储单元的误读现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102544368A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210030512.3
申请日：2012-02-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括：在硅片上氧化制备二氧化硅绝缘层；对二氧化硅绝缘层进行OTS修饰；在修饰后的二氧化硅绝缘层表面上沉积生长有机半导体层；在有机半导体层表面上沉积生长一层金属氧化物半导体层；以及在金属氧化物半导体层表面上沉积生长一层金属电极。本发明的有机薄膜晶体管，具有性能高、工艺简单、重复性好，并且相对传统工艺制备的有机薄膜晶体管成本又明显降低。
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公开(公告)号：CN115420309A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211064576.5
申请日：2022-08-31
Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 国网北京市电力公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种传感器、用于传感器的抗电磁干扰接口电路及工作方法，抗电磁干扰接口电路包括：用于采集传感器电容Csen的电荷变化信号并发送至运算放大电路的信号采集电路；运算放大器OA1、运算放大器OA2和运算放大器OA3，运算放大器OA1、运算放大器OA2的正、反输入分别通过一个具备辅助偏置差分管结构的输入电路结构与信号采集电路的输出连接，接收采集传感器电容Csen的电荷变化信号；运算放大器OA1、运算放大器OA2输出分别连接运算放大器OA3的正、反输入。辅助偏置差分管通过控制输入差分管的体电位来辅助OA1和OA2的直流偏置，提高了电路直流工作点的稳定性，降低了电磁干扰对电路造成的偏置影响。
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公开(公告)号：CN111436916A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010252637.5
申请日：2020-04-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: A61B5/02
Abstract: 本公开提供了一种用于穿戴式三维脉搏波监测的模拟前端芯片架构，用于接收MEMS脉搏压力传感器采集的脉搏信号，所述模拟前端芯片架构包括多个信息采集通道，接收所述MEMS脉搏压力传感器采集的脉搏信号；每个所述信息采集通道同时采集直流分量信号和/或交流分量信号。本公开通过分别提取脉搏波的交流分量和直流分量，获取更完整的压力脉搏波信息；优化得到了足够低的等效输入噪声，使其远远小于脉搏信号幅值。
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公开(公告)号：CN108365603B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201810190419.6
申请日：2018-03-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于同时采集振动能和热能的能量采集系统，包括：基于电感的同步开关振动能采集单元，用于采集振动能，并将振动能转化为直流电能输出，包含：压电装置；电感L，与压电装置并联；以及传输门，设于压电装置与电感L之间；热能采集单元，用于采集热能，并将热能转化为直流电能输出，与基于电感的同步开关振动能采集单元并联，包含：热电装置；电容C，与热电装置并联；以及NMOS管，设于热电装置与电容C之间、以及电容C与电感L之间；以及控制信号产生单元，产生控制信号，分别控制传输门的通断、以及NMOS管的通断，利用两次LC谐振，实现同时采集振动能和热能并整合输出。该系统可同时采集多种能量源，并进行自启动。
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公开(公告)号：CN103051298B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201110314996.X
申请日：2011-10-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种可编程增益放大电路和可编程增益放大器，所述可编程增益放大电路为结构对称的全差分电路结构，包括两个结构相同的差分支路，每一差分支路分别包括连接信号输入端的共源极结构的差分输入级和连接信号输出端的共源极结构的差分输出级，差分输入级和差分输出级之间连接有开关电容阵列，并连接有反馈电阻形成闭环反馈电路；一差分支路的差分输入级和另一差分支路的差分输入级之间通过开关电阻阵列相连，形成源简并结构。所述可编程增益放大器包括以交流耦合方式连接的多个所述可编程增益放大电路和应用于接收端的输出缓冲级，本发明实施例所述的可编程增益放大器可以提供较大的增益调节范围，且可以满足线性度和带宽的要求。
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