-
公开(公告)号：CN108190829B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201711498024.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法，在单晶硅衬底上形成介质层，并形成感压薄膜；在感压薄膜正面淀积金属催化剂层，在谐振子区域离子注入碳，并促使石墨烯生长；淀积刻蚀金属以形成电学互联；刻蚀介质层，释放形成石墨烯谐振子；制作玻璃封装盖板，将玻璃封装盖板与石墨烯谐振子所在面对准键合；制作玻璃保护板，将玻璃保护板与感压薄膜的背面深腔所在面对准键合，划片成分离压力传感器芯片。
-
公开(公告)号：CN111477689A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910071617.5
申请日：2019-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种高雪崩耐量碳化硅JBS结构及制备方法，结构主要包括阴极电极，N+型衬底，N-型外延层，P型注入区和阳极电极，其中P型注入区分两类，一类为条状注入区，另一类为锥状注入区。两类P型注入是通过在掩膜层上进行两次光刻刻蚀出深浅不同的沟槽实现的，引入锥状P型注入区可以明显提高碳化硅JBS的雪崩耐量。
-
公开(公告)号：CN109920713A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910179100.8
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J37/147 , H01J37/09 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 一种无掩膜按需掺杂的离子注入设备及方法，离子注入设备包括离子注入室，其包括离子源；离子引出组件；单离子释放组件，包括单离子束结构、离子阱和束线挡板；单离子检测组件，包括纳米孔光阑和单离子探测器；以及注入定位组件，包括样品台和成像单元，其中：离子源电离产生的离子由离子引出组件导出，经单离子束结构形成微束，然后通过离子阱选定待注入离子并进行逐个释放，形成单离子束；单离子束通过纳米孔光阑后注入样品，根据单离子探测器对离子数量的检测来控制束线挡板；样品台上固定带特征定位标记的样品，对样品台进行移动时，成像单元对特征定位标记进行成像定位，而使纳米孔光阑对准待注入位置，实现注入离子数量和位置的精确控制。
-
公开(公告)号：CN109709069A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811606056.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：SOI基片，包含底层硅、埋氧层和顶层硅，其中，顶层硅上制作有脊形光波导芯区结构，该脊形光波导芯区结构包括：依次连接的模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅，以及一微环谐振腔，该微环谐振腔位于模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅形成的直线一侧，与直波导位置对应且耦合连接，可与直波导进行光谐振耦合；气体传感上包层，位于一谐振耦合区域，该谐振耦合区域覆盖于直波导与微环谐振腔上方；以及绝缘上包层，覆盖于SOI基片上方除谐振耦合区域之外的区域。该气体传感器具有微型化、高灵敏度、响应速度快、不易受电磁干扰、制备工艺与CMOS工艺兼容、以及易于制备和集成的综合性能。
-
公开(公告)号：CN109686810A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811559379.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/112 , H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，包括：衬底；台面，由将生长在衬底上的有源层刻蚀后形成，或者由在衬底上生长有源层后，刻蚀部分衬底和有源层后形成；栅极，设置位于台面两侧，与台面形成肖特基接触；源极和漏极，设置位于台面另外两侧，与台面形成欧姆接触。本发明采用侧栅晶体管器件结构设计，能够大幅度减少沟道内的杂散模式，从而提高晶体管太赫兹探测器的共振响应特性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108217579A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711498022.5
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本公开提供了一种基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法，在玻璃片上制作振动空腔、预通孔以及连通振动空腔与预通孔的通气槽；在振动空腔内制作玻璃通孔，形成金属填充电极；将玻璃片的预通孔制作成锥形通孔；通过阳极键合，将玻璃片与待封装硅结构对准键合；将硅玻璃键合片放入电子束蒸发设备中，依次淀积金属钛和表层金属；图形化金属钛和表层金属，划片成独立器件，直接形成无金丝引线的贴片元器件。
-
公开(公告)号：CN105489756B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510881785.2
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提出的一种基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法，解决了GST填充困难和对化学机械抛光(CMP)工艺的依赖的难题。处于晶态和非晶态下的GeSbTe合金在碱性溶液中的腐蚀速率差异超过一个数量级，通过加热电极对GeSbTe合金施加电脉冲能够且仅能够将位于水平对置电极缝隙内的GeSbTe合金材料设置为非晶态。这样通过在碱性溶液中腐蚀适当时间，可以把GeSbTe合金自对准地填充到水平电极缝隙内。工艺简单易行，对要要制备的局限性相变节点没有体积上的限制。本发明对于快速实现小单元功耗、大器件工作可靠性、与现有的CMOS工艺兼容，具有非常好的产业化应用前景。
-
公开(公告)号：CN105529246A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510876293.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04
CPC classification number: H01L29/66053
Abstract: 本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC上刻蚀形成沟槽的效率明显增加，深宽比明显提升，同时具有均匀性好、沟槽侧壁光滑、工艺简单、可操作性强等优点。
-
公开(公告)号：CN105489755A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510874184.9
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L45/1273
Abstract: 本发明提出一种垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法，一方面，采用无掩模相变材料填充、退火并湿法腐蚀形成局域化相变材料的方法，不仅降低了填孔工艺中的深宽比，提高了薄膜的填充质量，而且该相变材料填充工艺为自对准工艺，工艺实施难度低；另一方面，该结构的锥形电极能够把两个电极间的电场在锥尖端附近强化，相当于减小了接触电极的尺寸，减小了有效相变体积，降低了功耗。此外，由于可用的相变材料储备充分，该结构还具有较好的疲劳特性，提高了器件的工作可靠性。
-
公开(公告)号：CN105258786A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510736562.7
申请日：2015-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于AFM的高频谐振子的谐振频率和/或品质因子测量方法，包括：将谐振子器件放于压电陶瓷上，将激励信号加到压电陶瓷上；将压电陶瓷及谐振子器件放于AFM样品台上，扫描谐振子以确定探针在器件表面位置，然后将探针精确定位于谐振子振幅较大的结构上；将激励信号源的频率先定于预先估计的谐振子谐振频率附近，等待激励进入稳定状态；设置激励信号源在估计谐振频率附近扫描，利用原子力显微镜探测在扫描频率下谐振子振动位移；改变探针位置到谐振子附近区域，得到器件在谐振子附近的振动位移；将相同频率的振动位移相减，得到在不同频率下谐振子的净振幅；以及处理得到的数据，得到谐振子的谐振频率和/或品质因数。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
190
records
(took 0.119 seconds)
