公开(公告)号：CN104485367A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410785507.2

申请日：2014-12-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 袁国栋 ,  吴瑞伟 ,  李晋闽 ,  王军喜

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/20

Abstract: 一种改善HTT太阳能电池性能的微纳结构，包括：一衬底；一倒金字塔结构，该倒金字塔结构是在衬底正面腐蚀形成的；一纳米线结构，该纳米线结构是在倒金字塔结构上腐蚀形成的；一绝缘层，该绝缘层制作在倒金字塔结构上，并覆盖纳米线结构；一本征非晶硅层，其制作在衬底的背面；一掺杂非晶硅层，其制作在本征非晶硅层上；多个电极层，其制作在掺杂非晶硅层上。本发明可以减少光的反射，从而改善光吸收，提高转化效率，适用于制备高效的HIT太阳能电池。