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公开(公告)号：CN103506928B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201210202351.1
申请日：2012-06-19
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B24B29/02 , H01L21/304 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种超硬半导体材料抛光方法，通过参数非常接近的粗抛、精抛、化学机械抛光三个抛光工艺流程，可使被加工的超硬半导体材料获得极低表面粗糙度且具有原子台阶表面。本发明仅使用三个工艺，大大简化了超硬材料的抛光流程，降低了成本，保证了加工质量的一致性和稳定性，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN103173863B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201110440573.2
申请日：2011-12-23
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，涉及大尺寸碳化硅单晶生长装置，具体是一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体涉及一种使用PVT技术生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明在坩埚盖上表面开个球面孔，然后将完全贴合整个孔的特制外形的保温材料放进孔内铺平，然后将石墨盖片放入孔内并用力压平。这样使坩埚盖内部有一个夹心保温层，使坩埚盖表面对外综合散热均匀，减小晶体生长的径向温度梯度。
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公开(公告)号：CN103022220B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201110281114.4
申请日：2011-09-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
IPC: H01L31/18 , H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关的制造方法，包括步骤：提供半绝缘衬底，在其上形成透明电极层；在透明电极层上旋涂光刻胶层，对透明电极层作图形化，在半绝缘衬底的左右两端分别形成透明电极；在半绝缘衬底和透明电极上旋涂第二光刻胶层，对第二光刻胶层作图形化，露出需要形成金属电极的区域；形成金属电极，其与透明电极分别相接触而与半绝缘衬底隔开；去除第二光刻胶层。相应地，本发明还提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关。本发明在保证一定电极间距的情况下，增加了开关的电流密度容量，减小了场强集中，从而使光电导开关在具有高耐压特性的同时，还具有较低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN104695018A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310655381.2
申请日：2013-12-05
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
CPC classification number: C30B29/34 , C30B15/20 , C30B15/206 , C30B15/00
Abstract: 本发明公开了一种硅酸铝镓钽钙压电晶体及其制备方法。所述晶体的化学通式为Ca3TaAl(3-x)GaxSi2O14，其中，0.3＜x＜2.5；所述晶体具有与硅酸镓镧晶体相同的晶体结构，属空间群P321、点群32。本发明采用提拉生长法制备所述晶体。本发明所提供的硅酸铝镓钽钙压电晶体兼具优异的压电性能、良好的结晶性能、成本较低廉、易于生长大尺寸晶体等优点，有利于晶体的广泛实用化，有望获得大规模工业化应用。
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公开(公告)号：CN101762784B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN200910247731.5
申请日：2009-12-30
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G01R31/327 , G01R1/02
Abstract: 本发明涉及一种大功率光电导开关测试装置及其应用，本发明的测试装置包括：脉冲激光器、光源引入部分、光孔、高压测量主体电路、高压电源、示波器、光电管；脉冲激光器产生的激光脉冲由光源引入部分接收后形成光斑，光源引入部分调整光路并调控光斑的单位面积光强；光斑被光源引入部分内设置的分光镜分为测试用光斑和参考用光斑；光孔接收测试用光斑，并调整测试用光斑的光强；光电管接收参考用光斑，并将参考用光斑转化为电信号后传输至示波器；高压测量主体电路将待测光电导开关经测试用光斑照射后产生的电信号输出；高压电源施加电压于高压测量主体电路；示波器分析和显示来自高压测量主体电路的电信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103374750A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210129620.6
申请日：2012-04-28
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，包括，将所述籽晶晶片边缘通过粘结剂粘接于具有一定宽度以能可靠粘结固定所述籽晶的环形连接件的一端面；将所述连接件套装在端部周边边缘开槽、且所述槽尺寸与所述连接件匹配的籽晶托上，使所述连接件可靠固定于所述籽晶托，并使所述籽晶晶片紧贴所述端部的端面。本发明可以确保籽晶与籽晶托之间实现可靠的粘结固定，并且避免在籽晶背面涂刷粘结剂导致的不良影响，同时，籽晶中心大部分区域与籽晶托紧密接触，温度梯度分布均匀，有利于SiC晶体的均匀生长，进一步提高SiC晶体的质量。
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公开(公告)号：CN103374749A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210129619.3
申请日：2012-04-28
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C30B23/00
Abstract: 本发明公开一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构，所述系统具有用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的籽晶托，和在所述晶体生长室外围的保温层；所述的测温结构包括设置于生长室顶部的籽晶托上方的保温层上并能够通过其利用高温红外测温计测量晶体生长室内温度的开孔；以及插通所述开孔形成于籽晶托上的测温管。本发明的测温结构可以在晶体生长过程中准确测量坩埚顶部温度，从而实现精确控温，并且避免测温孔堵塞导致的温度梯度变化，提高晶体生长的成品率。
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公开(公告)号：CN103173861A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110440347.4
申请日：2011-12-23
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法。所述掺杂型钽酸镓镧(M-LGT)晶体通式为y％M:La3Ta0.5+xGa5.5-xO14，其中：-0.3≤x≤0.3，0≤y≤2，掺杂元素M为Ba、Mo和Al中的至少一种。该晶体可以采用提拉法或坩埚下降法等晶体生长方法制备，并通过优化生长气氛、掺杂元素及后处理条件，可以显著提高晶体高温下的电阻率。采用该晶体制作的压电元件首次成功应用于-200℃～649℃的超高温压电加速度传感器，该掺杂型高电阻率LGT晶体材料在未来的超高温压电器件中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103114336A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310077884.6
申请日：2013-03-12
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅晶片的退火方法，包括：将经初加工的碳化硅晶片置于退火炉中，在惰性气体或还原性气体的保护下，缓慢升温1～8小时（优选3～6小时）至退火温度1200～1800℃（优选1300～1500℃），在该退火温度恒温保温0.1～5小时（优选2～3小时），然后缓慢降温1～10（优选3～7小时）小时至室温。本发明通过对SiC晶片进行退火，与SiC晶锭的退火过程相比，具有退火温度低，时间短，在生产过程中容易实现等优点。经本发明退火处理，可以显著降低SiC晶片中的残余应力、减少缺陷，提高SiC晶片的结晶质量。
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公开(公告)号：CN102534762A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010586723.6
申请日：2010-12-14
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于晶体生长领域，涉及一种用于生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法。所述生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法，包括如下步骤：（1）丝网印刷；（2）籽晶粘结；（3）将粘结籽晶和籽晶托的结粘结剂进行固化处理，其中，固化后的粘结剂层的厚度为7-100微米。本发明的生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法，可以确保籽晶与籽晶托之间的粘结剂层厚度分布均匀，避免籽晶由于不均匀机械应力和热应力作用发生开裂，同时，籽晶温度梯度分布均匀，有利于SiC晶体的均匀生长，并进一步提高SiC晶体的质量。
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