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公开(公告)号：CN118507578A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410735464.0
申请日：2024-06-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构，属于半导体光电子技术领域。所述结构包括InP衬底，InP缓冲层，InGaAs吸收层，InGaAsP渐变层，集成一有源淬灭器件的InP电荷层，InP帽层，SiN介质层，N电极，P电极。该器件为一正照射单光子雪崩二极管。其中InP帽层集成一金属‑绝缘‑半导体场效应晶体管(MISFET)，且场效应晶体管的漏极与InGaAs/InP单光子雪崩二极管P极共用一个扩散区。本发明将实现单光子雪崩二极管的被动淬灭主动恢复功能，并将有源淬灭器件集成在InP帽层上，减少了电路连接过程中引入的寄生参数，从而可以降低雪崩二极管的雪崩电荷，抑制后脉冲。并且该种集成方式可基于标准的单光子雪崩二极管的制造工艺，仅增加一步光刻步骤便能实现集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118248706A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410346963.0
申请日：2024-03-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种增加红外焦平面电学连通率的电极结构及其制备方法。该方法依据光敏芯片与读出电路倒焊互连时的偏移规律，设计并制备光敏芯片矩形电极结构；在倒焊互连过程中，增加读出电路铟柱与光敏芯片矩形电极和铟柱的接触面积，在倒焊偏移存在的情况下，提高了光敏芯片与读出电路耦合互连的电学连通率。本发明不受阵列规模和像元尺寸限制，尤其适用于对倒焊偏差容忍度低的高密度小像元焦平面阵列，有效降低红外焦平面探测器盲元率。
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公开(公告)号：CN109378280A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811387834.7
申请日：2018-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种用于高密度面阵性能验证的测试结构，所述结构包括半绝缘InP衬底、N型InP缓冲层、InGaAs吸收层、N型InP帽层、光敏区、P电极、N电极。光敏区由18组有效面积为60μmⅹ60μm的探测器光敏元阵列组成，每组探测器阵列共同引出一个P电极，所有探测器阵列共用一个N电极。本发明的优点在于：1、通过测试结构的制备和测试，可以对比不同阵列设计的性能，为大面阵设计提供理论依据；2、中心距较小的面阵测试复杂，且测试结果受到其他因素影响，而本发明公布的测试结构测试步骤简便易操作，可以直接得到面阵的性能参数。
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公开(公告)号：CN209150051U
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201821916462.8
申请日：2018-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本专利公开了一种用于高密度面阵性能验证的测试结构，所述结构包括半绝缘InP衬底、N型InP缓冲层、InGaAs吸收层、N型InP帽层、光敏区、P电极、N电极。光敏区由18组有效面积为60μmⅹ60μm的探测器光敏元阵列组成，每组探测器阵列共同引出一个P电极，所有探测器阵列共用一个N电极。本专利的优点在于：1、通过测试结构的制备和测试，可以对比不同阵列设计的性能，为大面阵设计提供理论依据；2、中心距较小的面阵测试复杂，且测试结果受到其他因素影响，而本专利公布的测试结构测试步骤简便易操作，可以直接得到面阵的性能参数。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN222776535U
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202421297381.X
申请日：2024-06-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H10F30/225 , H10F77/20
Abstract: 本实用新型公开了一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构，属于半导体光电子技术领域。所述结构包括InP衬底，InP缓冲层，InGaAs吸收层，InGaAsP渐变层，集成一有源淬灭器件的InP电荷层，InP帽层，SiN介质层，N电极，P电极。该器件为一正照射单光子雪崩二极管。其中InP帽层集成一金属‑绝缘‑半导体场效应晶体管(MISFET)，且场效应晶体管的漏极与InGaAs/InP单光子雪崩二极管P极共用一个扩散区。本实用新型将实现单光子雪崩二极管的被动淬灭主动恢复功能，并将有源淬灭器件集成在InP帽层上，减少了电路连接过程中引入的寄生参数，从而可以降低雪崩二极管的雪崩电荷，抑制后脉冲。并且该种集成方式可基于标准的单光子雪崩二极管的制造工艺，仅增加一步光刻步骤便能实现集成。
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公开(公告)号：CN209150052U
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201821919497.7
申请日：2018-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/66 , H01L23/544 , G01R31/00 , G01Q60/46
Abstract: 本专利公开了一种用于小间距扩散成结表征的测试结构，所述结构包括半绝缘InP衬底、N型InP缓冲层、InGaAs吸收层、N型InP帽层、光敏区、P电极、N电极，所述光敏区包括2个不同间距的3ⅹ2扩散窗口区阵列。本专利的优点在于：1.通过制备不同间距的扩散区矩阵测试结构进行测试，可以确定扩散成结的深度和横向扩散宽度、电学串音和光学串音；2.通过分析和对比测试结果，可以为大规模小像元平面型探测器的制备提供合适的扩散间距。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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